公开(公告)号：CN1302586C

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN200410023702.8

申请日：2004-02-27

申请人： 山东大学

发明人： 张少军 ,  尹鑫 ,  蒋民华 ,  王青圃 ,  张怀金 ,  王继扬

IPC分类号： H01S3/127

摘要： 一种多块晶体电光Q开关器件，属于旋光性电光晶体材料在光电技术领域中的应用。本发明由至少两块La3Ga5SiO14或掺Nd离子La3Ga5SiO14或相关系列晶体材料La3Ga5-xAlxSiO14，Sr3Ga2Ge4O14，Na2CaGe6O14，Ca3Ga2Ge4O14，La3Ga5.5Nb0.5O14，La3Ga5.5Ta0.5O14按照一定的设计切型和设计晶轴取向制成的一种晶体电光Q开关器件，用于Ho：YAG脉冲激光器及其他近红外和可见脉冲激光器作电光调Q使用。它解决了现有技术存在的半波电压高，消光比低，电场偏压影响晶体的旋光性，Q开关器件的消光比受晶体生长应力影响大，对晶体质量要求苛刻等缺点。本发明的晶体电光Q开关器件具有半波电压低，消光比高，基本上消除电场偏压对晶体旋光性的影响，使晶体生长应力的影响降低，稳定性好，降低制作成本等优点。

公开(公告)号：CN1836842A

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：CN200610043816.8

申请日：2006-04-19

申请人： 山东大学

发明人： 徐现刚 ,  胡小波 ,  陈秀芳 ,  蒋民华

IPC分类号： B24B29/02 ,  H01L21/304

摘要： 大直径高硬度6H－SiC单晶片的表面抛光方法，属于晶体材料加工技术领域。将表面经过研磨的碳化硅晶片，进行粗抛光和精抛光两次抛光。粗抛光是在保证平整度的条件下，快速去除研磨造成的表面损伤层，并降低表面粗糙度；精抛光采用机械和化学抛光相结合的方法，进一步改善晶片表面的微粗糙度，实现表面高光洁度。精抛光克服了传统机械抛光法和化学腐蚀法的缺点，可获得表面损伤层小、高完整性、高平整度、超光滑的表面，加工出的晶片翘曲度小，厚度均匀性好。该方法加工精度高，工艺流程简单，效率高。

公开(公告)号：CN1677704A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN200510042064.9

申请日：2005-01-31

申请人： 山东大学

发明人： 刘宏 ,  王继扬 ,  韩峰 ,  崔洪梅 ,  李霞 ,  林延霆 ,  蒋民华

IPC分类号： H01L35/34 ,  H01L37/00 ,  C23C18/00

摘要： 本发明公开了一种利用液相化学法制备硫族化合物热电薄膜的方法，该方法以铋、锑、锡或铅的盐，及硒和碲的无机物为原料，制备前驱体溶液，采用甩膜方法制备前驱体薄膜，经干燥后采用共还原法将前驱体薄膜还原并经热处理制成硫族化合物及其复合掺杂的热电薄膜。本发明首次以无机化合物为原料，用共还原技术制备硫族化合物热电薄膜，采用此方法可以在形成的多晶硫族化合物薄膜上制得第二层成分不同的硫族化合物薄膜，然后将两种薄膜交替成制备高热电性能的硫族化合物热电超晶格。这种制备热电薄膜化学法配合集成电路印刷技术，进行套版印刷，可以真正实现微型热电器件的集成化，从而促进热电制冷及微电子、光电子、通讯、激光、超导等领域的发展。

公开(公告)号：CN1215972C

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：CN03111724.4

申请日：2003-01-16

申请人： 山东大学

发明人： 崔得良 ,  于美燕 ,  郝宵鹏 ,  刘振刚 ,  蒋民华

IPC分类号： C01B21/06

摘要： 一种在水热条件下多步原位反应合成氮化物微晶和体块晶体的方法，属于纳米材料和晶体材料生长技术领域。通过在维持反应体系的温度和压力不变的情况下，用多次或者连续向反应体系中补充原料的方法控制晶核的形成和晶体的生长过程。另外，为了消除还原剂反应后的副产物对氮化物微晶和晶体的污染，选用了水合肼等新的还原剂，提出了在水热条件下制备粒度均匀、结晶完整的BN、GaN、AlN、InN微晶和体块晶体材料的技术方案，以实现氮化物微晶和体块晶体材料的低成本大批量生产。本发明方法制备的氮化物微粉以及晶体材料，广泛用于金属切削、超硬耐腐蚀防护涂层制造、光电子器件的衬底材料、军用特种窗口材料、大功率电子器件封装材料等。

公开(公告)号：CN1211390C

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN03112444.5

申请日：2003-06-25

申请人： 山东大学

发明人： 延云兴 ,  陶绪堂 ,  蒋民华 ,  杨家祥

IPC分类号： C07F9/54

摘要： 一种合成4-取代氨基苄基鏻盐的方法，属于化学技术领域。本发明的方法是用4-取代氨基苯甲醛制备4-取代氨基苯甲醇，再用4-取代氨基苯甲醇直接制备相应的4-取代氨基苄基鏻盐。本发明方法具有产率高、操作简单、后处理容易、时间短等特点，实现了直接由对氨基的苯甲醇制备含氨基的鏻盐，从而也大大降低了制备氨基苄基三苯基鏻盐的成本。

公开(公告)号：CN1483724A

公开(公告)日：2004-03-24

申请号：CN03112443.7

申请日：2003-06-25

申请人： 山东大学

发明人： 陶绪堂 ,  蒋民华

IPC分类号： C07D215/26 ,  H01L33/00 ,  H05B33/14

摘要： 高纯8－羟基喹啉铝类化合物及其制备方法与应用，属于有机电致发光材料和器件技术领域。高纯8－羟基喹啉铝类化合物是利用LiAlH4和含活性氢的化合物在室温下反应获得的，制备方法包括在惰性气氛保护下，将8－羟基喹啉或2－甲基－8－羟基喹啉溶入有机溶剂中，使其完全溶解后，将化学计量比的LiAlH4加入到上述溶液中，反应结束将溶液过滤，所得固体经提纯干燥。本发明的高纯8－羟基喹啉铝类化合物用于电致发光器件的电子输送层和发光层，单色、多色、彩色或白色发光器件，或红色发光器件及磷光器件的基底材料。

公开(公告)号：CN1470318A

公开(公告)日：2004-01-28

申请号：CN03112453.4

申请日：2003-06-27

申请人： 山东大学

发明人： 崔得良 ,  蒋民华 ,  郝霄鹏 ,  于美燕

IPC分类号： B01J3/04

摘要： 用于控制水热和溶剂热反应过程的高压反应釜，属于化工设备技术领域。包括高压反应釜的釜体、釜盖和紧固件，加热炉及温度控制器，磁力驱动搅拌器和转速控制器，压力测量装置，安全防爆装置，用于取样和通气的阀门、管道，在反应釜内、外加装了一套或者多套内置式反应罐和/或外置式反应罐。本发明的高压反应釜可以有效地控制反应过程和结晶过程，制备的样品结晶质量比现有技术大幅度改善。此外，通过控制反应过程进行的速度，还可以很方便地控制所制备材料的粒度及其分布，并能够控制多相共存的材料中各个物相的相对含量。

公开(公告)号：CN1323738A

公开(公告)日：2001-11-28

申请号：CN01115125.0

申请日：2001-07-10

申请人： 山东大学

发明人： 崔得良 ,  郝霄鹏 ,  徐现刚 ,  蒋民华

IPC分类号： C01B35/14 ,  C04B35/583

摘要： 一种利用有机溶剂液相化学反应制备氮化硼纳米微粉的方法,属于纳米材料技术领域。本发明针对现有技术存在的合成温度高压力大设备复杂等问题,提出把硼源溶入有机溶剂,充分搅拌再加入氮源,然后在密闭容器50－600℃反应或在敞口容器惰性气体保护50－300℃反应,反应完毕抽滤,干燥,可得六方氮化硼纳米微粉。在反应容器中按照0.01－200克/升溶液的量加入用于诱导立方氮化硼生长的晶粒,可得立方氮化硼纳米微粉。本发明方法的显著效果在于反应过程是在常压和低压条件下完成的,易于实现低成本大批量生产。

公开(公告)号：CN1148638A

公开(公告)日：1997-04-30

申请号：CN96109014.6

申请日：1996-07-23

申请人： 山东大学

发明人： 王继扬 ,  潘恒福 ,  魏景谦 ,  刘耀岗 ,  田丽莉 ,  邵宗书 ,  蒋民华

IPC分类号： C30B13/14

摘要： 本发明涉及自倍频激光非线性光学晶体材料掺稀土四硼酸铝钆及其熔盐法生长工艺。本发明晶体分子组成为RexGd1-xAl3(BO3)4，0≤x≤0.18，Re为稀土元素或过渡金属，该晶体具有很强的非线性光学性质及良好的激光性质，适合LD泵浦倍频及自倍频激光器应用。将RGAB、K2Mo3O10、Re2O3和B2O3按1∶(2.0～3.0)∶(0.1～1.2)∶(0.1～1.2)的摩尔比称量，然后按熔盐法工艺生长晶体。以本法生长晶体质量好，工艺稳定，重复率高，设备简单，成本低，操作简便，生长后处理容易。

公开(公告)号：CN86100393B

公开(公告)日：1988-03-02

申请号：CN86100393

申请日：1986-01-22

申请人： 山东大学

发明人： 刘跃岗 ,  徐斌 ,  韩建儒 ,  蒋民华

IPC分类号： C30B29/14 ,  C30B9/06

摘要： 助熔剂法生长ＫＴＰ晶体的一种工艺，属盐熔液冷却法生长晶体的技术领域。以ＫＰＯ３和Ｋ４Ｐ２Ｏ７为助熔剂，将一定配比的原料放入铂坩埚中，电炉丝加热。ＴｉＯ２＋ＫＰＯ３ ＫＴｉＯＰＯ４（ＫＴＰ）原料全部熔化后降至饱和点，顶部下籽晶并旋转之。不断降温生长，周期１～２月。本发明的工艺和装置，操作简便，效果良好，适用于工业生产。