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公开(公告)号：CN103474502B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201310384478.4
申请日：2013-08-29
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种补偿型热释电红外单元探测器，属于红外探测器技术领域。它包括外壳（1）、设置在外壳首端的窗口，所述窗口上设置有红外滤光片（2）、底座（3）、引脚（4）、双面电路板（5）、场效应管（6）、热释电红外敏感元（7）、热释电补偿敏感元（8）、电阻（9）；双面电路板（5）中心设置有通孔，场效应管（6）内嵌在所述通孔中，其底部与双面电路板（5）下表面齐平，其中场效应管（6）的厚度小于双面电路板（5）的厚度；所述通孔的正上方设置有热释电红外敏感元（7）和热释电补偿敏感元（8）。该补偿型热释电红外单元探测器具有性能优越、制作简单、生产成本低、生产效率高和应用范围广的优点。
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公开(公告)号：CN105206744A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510506263.4
申请日：2015-08-18
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供了一种双层薄膜结构的柔性阻变存储器及其制备方法，属于阻变存储器领域。所述柔性阻变存储器从下往上依次为柔性衬底、底电极、ZnO薄膜层、Al2O3薄膜层和顶电极，所述ZnO薄膜层和Al2O3薄膜层共同组成了阻变存储器的阻变存储介质层。本发明阻变存储器具有优异的阻变效应：稳定的高低阻态分布，较高的开关比，较长的保存时间，实现了器件在经过一定次数的弯曲后仍保持良好的阻变特性；且本发明柔性阻变存储器在柔性存储和电路领域具有潜在的应用。
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公开(公告)号：CN105181621A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510528726.7
申请日：2015-08-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N21/3504
Abstract: 本发明属于气体传感器技术领域，提出了一种全集成红外气体传感器，由微型气室与集成模块键合构成，其中，集成模块包括硅衬底以及硅衬底上的红外光源、红外探测器和信号处理电路；微型气室由上、下硅片键合构成，所述上硅片开设气孔，所述下硅片开设V型微槽、与上硅片及其气孔组合形成光腔，V型微槽两端开设红外光源窗口和红外敏感元窗口；所述红外光源、红外探测器分别与红外光源窗口、红外敏感元窗口对应设置。本发明微型气室采用上、下硅片键合的结构设计，有效减小气室体积；且蛇形的V型微槽能够增加光程长度、提高测量精度；即本发明提供全集成红外气体传感器具有体积小、测量精度高、制备成本低的优点。
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公开(公告)号：CN105047618A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510442923.7
申请日：2015-07-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于电子材料与元器件技术领域，尤其涉及一种有机复合材料厚膜器件基板。该基板包括：基板结构加强层、平坦层、互连层电路、互连通孔、连接外部引脚的焊盘、极化电极端、切割槽和集成其他器件用的焊盘。基板结构加强层采用玻纤、半玻纤或聚四氟乙烯制作；平坦层采用聚酰亚胺PI，其厚度为1μm-100μm；互连层电路是1μm-50μm厚度的铜箔，通过热压法制备于两PI平坦层表面，并通过湿法腐蚀铜箔形成电路连接图案、集成其他器件用的焊盘、连接外部引脚的焊盘和极化电极端。本发明提供的基板能够实现厚膜器件与基板材料的集成制备的同时，具有成本低、工艺简单、满足批量生产的要求。
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公开(公告)号：CN102842530A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210290315.5
申请日：2012-08-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 厚膜材料电子元器件，属于电子材料与元器件技术领域。本发明包括带有凹槽的衬底、阻挡层、底电极、热释电材料和上电极，在上电极和底电极之间，设置有隔离层，上电极跨越隔离层和隔离层下方的底电极，连接到热释电材料。本发明可以有效防止电极间的短路，使热释电厚膜探测器获得良好的性能，且提高了探测器的成品率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102820421A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210290319.3
申请日：2012-08-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 硅杯凹槽结构热释电厚膜探测器，属于电子材料与元器件技术领域。本发明包括上表面设有凹槽的硅衬底、底电极和上电极，凹槽内填充有热释电厚膜材料，底电极通过凹槽侧壁引出，所述硅衬底上表面与设置有底电极的凹槽侧壁的夹角为钝角。本发明有利于提高厚膜的质量和探测器的成品率，使热释电厚膜探测器获得良好的性能。
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公开(公告)号：CN101826550B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201010159582.X
申请日：2010-04-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: ABO3/TiO2/MgO/III-V族氮化物半导体异质结构及制备方法，涉及微电子材料领域。本发明包括半导体衬底和ABO3钙钛矿结构功能氧化物薄膜，其特征在于，在衬底基片和功能氧化物薄膜之间，有一个由纳米厚度的TiO2模板层和MgO势垒层构成的复合缓冲层。本发明首次在低温下通过激光分子束外延的方式在GaN外延片上制备了外延质量良好的TiO2/MgO复合缓冲层，其中MgO层起到势垒层的作用，而TiO2作为模板层可以有效诱导ABO3薄膜外延生长。
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公开(公告)号：CN101826550A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN201010159582.X
申请日：2010-04-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: ABO3/TiO2/MgO/III-V族氮化物半导体异质结构及制备方法，涉及微电子材料领域。本发明包括半导体衬底和ABO3钙钛矿结构功能氧化物薄膜，其特征在于，在衬底基片和功能氧化物薄膜之间，有一个由纳米厚度的TiO2模板层和MgO势垒层构成的复合缓冲层。本发明首次在低温下通过激光分子束外延的方式在GaN外延片上制备了外延质量良好的TiO2/MgO复合缓冲层，其中MgO层起到势垒层的作用，而TiO2作为模板层可以有效诱导ABO3薄膜外延生长。
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公开(公告)号：CN115605026B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202211288678.5
申请日：2022-10-20
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于电子器件领域，具体涉及一种可直接实现权重差分的无源忆阻交叉阵列器件。本发明基于缺陷分布对阻变方向进行调控，发明了一种新的无源忆阻交叉阵列器件，通过对忆阻交叉阵列中相邻两行忆阻单元输入相反极性的读电压直接进行权重差分。本发明大幅降低了外围电路的复杂度，不再需要依赖减法电路进行权重差分；同时，也不再依赖三极管进行多阻态设置，通过不同的外部电压脉冲刺激，可分别在相反的读电压下读取多个稳定且可区分的电阻状态，进一步降低了外围电路的复杂度，这使得整个系统的能耗将进一步降低。本发明大幅降低了整个神经网络计算过程的能耗，可直接用于后续基于忆阻器的神经网络计算中。
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公开(公告)号：CN118157622A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410366776.9
申请日：2024-03-28
Applicant: 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
Abstract: 本发明属于半导体器件领域，具体涉及一种嵌入式的声表面波谐振器；该谐振器包括：衬底、压电材料、第一叉指电极、第二叉指电极和声反射器；压电材料设置在衬底上，第一叉指电极、第二叉指电极和声反射器设置在压电材料表面或部分嵌入压电材料中，声反射器均设置在压电材料上；压电材料上表面为一斜坡；本发明可提升声表面波谐振器的功率耐受程度，降低叉指电极带来的质量负载效应程度，同时能一定程度提升机电耦合系数、品质因数，具有良好的应用前景。
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