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公开(公告)号：CN106893973B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201710156286.6
申请日：2017-03-16
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于多晶薄膜领域，提供一种在非晶基带表面制备双轴织构NaCl薄膜的方法；首先Hastelloy合金基带进行溶液平坦化沉积得到表面沉积有非晶氧化钇的基带，然后采用离子束辅助沉积在基带表面制备得一层IBAD‑NaCl薄膜，最后再沉淀一层自外延NaCl层。本发明在经过溶液平坦化处理得到的哈氏合金非晶层表面制备出具有双轴织构的NaCl薄膜，该方法制备得薄膜不仅具有优秀的面内外织构，质量已经非常接近单晶，而且工艺简单，无毒害，成本低廉，适合大规模工业化应用。
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公开(公告)号：CN107574475A
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201710559394.8
申请日：2017-07-11
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种HfS2单晶纳米片的制备方法，属于半导体材料的制备领域。包括以下步骤：1)将S源和Hf源放入石英管的上游区域，内径小于石英管的内嵌石英管放置于下游区域，云母基片置于内嵌石英管中；2)石英管内部抽真空，通入惰性气体使管内气压保持常压环境，然后通入载气流和保护气体；3)加热S源和Hf源至蒸发，在温度为800～980℃、云母基片与内嵌石英管的下壁的距离d为0.5～2.5mm的条件下，反应5～15min，待石英管自然降到室温，取出基片。本发明通过对云母基片与内嵌石英管的下壁的距离d以及沉积温度等参数的优化，实现了厚度为0.8～15nm，边长～5μm的HfS2纳米片的可控生长。
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公开(公告)号：CN106521457A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610881886.4
申请日：2016-10-10
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: C23C16/46 , C23C14/08 , C23C14/541 , C23C14/562 , C23C16/40 , C23C16/545
Abstract: 本发明属于薄膜制备技术领域，具体为一种用于高温薄膜沉积的加热装置。本发明的加热装置包括两个电极组；电流I通过电极从金属衬底基带的两个边缘导入到金属衬底基带上，并在其上流动；金属衬底基带(具有较高电阻率的哈氏合金等)在自身电阻的作用下发热达到YBCO生长所需的温度，而沉积区处于两个电极组之间。本发明装置原理、结构简单；加热迅速，能效高；可用于带状的金属衬底或其上制备有(导电或绝缘的)缓冲层的带状金属衬底的加热；通过消除电极与基带间因接触不良导致的放电，该加热方式可以实现单面或双面YBCO长带材的连续卷绕制备。
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公开(公告)号：CN105911400A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610444611.4
申请日：2016-06-17
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: G01R31/00 , G01R1/04 , G01R1/0408
Abstract: 一种新型的应变产生装置，包括绝缘底座，至少一对可在绝缘底座上滑动的夹具装置，至少一对可在绝缘底座上滑动的推动装置和至少一对动力系统，所述夹具装置包括第一部件和第二部件，用于夹紧被测样品，所述推动装置设置于被测样品两侧，用于向被测样品施加不同方向的应力，所述动力系统包括脉冲发生器和步进电机，用于向推动装置提供动力。本发明应变产生装置可控制被测样品产生不同方向的应力，并且可通过改变被测样品弯曲曲率半径控制应力的大小，无需大量的人工手动操作，效率高，成本低，可保证被测样品在测试过程中保持稳定的应力大小；本发明应变产生装置可应用于不同类型的柔性材料的电学性能的测试，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN104021880B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410243268.8
申请日：2014-06-03
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种涂层导体用双面MgO缓冲层的制备方法，属于超导材料技术领域，本发明包括下述步骤：1)基带预处理：在基带底面和顶面制备非晶薄膜，使基带表面粗糙度达到预设标准；2)在步骤1)得到的基带的底面覆盖金属保护层，在基带的顶面沉积IBAD?MgO薄膜；3)将金属保护层与基带底面分离，并在基带顶面的IBAD?MgO薄膜表面覆盖金属保护层，然后在基带底面沉积IBAD?MgO薄膜，得到双面沉积有IBAD?MgO薄膜的基带；4)以双面沉积有IBAD?MgO薄膜的基带作为基底，在基底的一面沉积一层自外延MgO薄膜；5)在基底另一面上也沉积一层自外延MgO薄膜。本发明采用二次沉积技术，实现双面IBAD?MgO薄膜的沉积，为开发双面带材，大幅度提高带材载流能力，降低成本提供了关键基础。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105206744A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510506263.4
申请日：2015-08-18
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供了一种双层薄膜结构的柔性阻变存储器及其制备方法，属于阻变存储器领域。所述柔性阻变存储器从下往上依次为柔性衬底、底电极、ZnO薄膜层、Al2O3薄膜层和顶电极，所述ZnO薄膜层和Al2O3薄膜层共同组成了阻变存储器的阻变存储介质层。本发明阻变存储器具有优异的阻变效应：稳定的高低阻态分布，较高的开关比，较长的保存时间，实现了器件在经过一定次数的弯曲后仍保持良好的阻变特性；且本发明柔性阻变存储器在柔性存储和电路领域具有潜在的应用。
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公开(公告)号：CN103117317B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201310037225.X
申请日：2013-01-31
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/08 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种硅面SiC衬底上的石墨烯光电器件及其制备方法，属于光电器件技术领域。包括Si面碳化硅衬底（1）、R30°界面碳缓冲层（2）、石墨烯层（3）；其中R30°界面碳缓冲层（2）位于Si面碳化硅衬底（1）和石墨烯层（3）之间；所述石墨烯层（3）上表面具有金属叉指对电极（4）。制备工程包括硅面SiC衬底表面处理和SiC热裂解生长R30°界面碳缓冲层（2）和石墨烯层（3）主要步骤。本发明提供的硅面SiC衬底上的石墨烯光电器件具有石墨烯/R30°界面碳缓冲层/Si面碳化硅衬底的结构，制备工艺简单、无需掺杂工艺，制备过程中能够避免光刻胶对石墨烯的污染，制备出的石墨烯光电器件光照下的电阻变化率比传统结构高2～3个数量级。
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公开(公告)号：CN102709322B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201210172341.8
申请日：2012-05-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 高阈值电压氮化镓增强型晶体管结构及制备方法，涉及半导体技术。本发明自下至上包括基板、GaN和AlGaN层和绝缘栅介质层，其特征在于，所述绝缘栅介质层包括绝缘隧道层、固定电荷层和绝缘帽层，固定电荷层设置于绝缘隧道层上方或嵌于绝缘隧道层上部，固定电荷层的上方设置有绝缘帽层，绝缘帽层上方为栅金属。本发明的有益效果是，与其它制造增强型GaN场效应晶体管的技术相比，本技术的制备工艺可控性好，所研制的器件性能重复性好。所研制的增强型GaN MISHEMT器件性能良好，阈值电压大，最大源漏饱和电流密度大，栅漏电小，器件工作电压范围宽，完全可满足GaN集成电路研制需要。
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公开(公告)号：CN104021880A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410243268.8
申请日：2014-06-03
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种涂层导体用双面MgO缓冲层的制备方法，属于超导材料技术领域，本发明包括下述步骤：1)基带预处理：在基带底面和顶面制备非晶薄膜，使基带表面粗糙度达到预设标准；2)在步骤1)得到的基带的底面覆盖金属保护层，在基带的顶面沉积IBAD-MgO薄膜；3)将金属保护层与基带底面分离，并在基带顶面的IBAD-MgO薄膜表面覆盖金属保护层，然后在基带底面沉积IBAD-MgO薄膜，得到双面沉积有IBAD-MgO薄膜的基带；4)以双面沉积有IBAD-MgO薄膜的基带作为基底，在基底的一面沉积一层自外延MgO薄膜；5)在基底另一面上也沉积一层自外延MgO薄膜。本发明采用二次沉积技术，实现双面IBAD-MgO薄膜的沉积，为开发双面带材，大幅度提高带材载流能力，降低成本提供了关键基础。
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公开(公告)号：CN102863019B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201210369204.3
申请日：2012-09-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: C01G23/00
Abstract: 尖晶石结构薄膜型钛酸锂负极材料的制备方法，属于能源领域以及新材料领域，本发明包括以下步骤：（1）将乙醇溶剂和水解抑制剂超声混合均匀，按Li∶Ti=4∶5～4.5∶5的原子比加入锂源和钛源，同时进行40-65℃加热、磁力搅拌至完全溶解混合均匀，得到混合溶液；加入体积为混合溶液体积1/4～1/2的甲醇，去除杂质水后加热，然后搅拌；最后加入1-5滴乙醇胺，形成无水前驱溶液；（2）将步骤（1）所得前驱溶液均匀涂覆于基片表面；（3）将表面附着液膜的基片置于管式炉中预烧得到预烧薄膜；（4）将预烧薄膜高温退火处理，气氛为干燥的氧气；退火结束后自然降温直至室温，即可得到尖晶石钛酸锂薄膜。本发明所需设备简单，制备方法简单易行，能够制备出高质量样品。
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