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公开(公告)号:CN110342317B
公开(公告)日:2024-02-06
申请号:CN201910732357.1
申请日:2019-08-09
Applicant: 湖南麓汶新材料有限公司
Inventor: 游金龙
Abstract: 本发明公开一种高品质金葱粉生产线及生产工艺,生产线包括用于分切原料的分切设备,用于真空电镀的真空电镀设备、用于涂布上色的上色设备、用于成型外形的外形成型设备、用于打粉的上粉设备以及用于回收浮粉的浮粉回收设备。本发明自动化程度更高,利于高效高品质生产金葱粉,而且可生产出不同规格和形状的金葱粉膜。
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公开(公告)号:CN117463578A
公开(公告)日:2024-01-30
申请号:CN202210857477.6
申请日:2022-07-20
Applicant: 沈阳芯源微电子设备股份有限公司
Abstract: 本发明提出了一种改善晶圆上光阻涂布均匀性的方法,在光刻胶涂胶时,涂胶步骤中,1500‑3500rpm/min时的打胶时间设置要小于胶泵总打胶时间(根据粘度不同,通过实验调整时间配比,占打胶时间百分之85%‑95%,随光刻胶粘度增加适当降低打胶时间),进而留下一部分打胶时间在其下一步骤打出光刻胶,然后再以1000‑3500rpm/min的转速旋转一定时间成膜。提高光刻胶膜厚的均匀性。
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公开(公告)号:CN117446864A
公开(公告)日:2024-01-26
申请号:CN202311393521.3
申请日:2023-10-25
Applicant: 集美大学
Abstract: 本发明提供了一种过渡金属二硫化物薄膜的制备方法及热退火炉,属于薄膜材料制备技术领域。本发明将过渡金属二硫化物对应的前驱体化合物与复合溶剂混合,将所得前驱体化合物溶液涂覆在绝缘衬底I的表面,固膜后在绝缘衬底I的表面形成前驱体化合物薄膜,之后在前驱体化合物薄膜的表面放置绝缘衬底II,得到绝缘衬底I/前驱体化合物薄膜/绝缘衬底II工件,将其叠层放置于第一碳片与第二碳片形成的夹层结构中,进行退火处理使所述前驱体化合物反应转化为过渡金属二硫化物,得到过渡金属二硫化物薄膜。采用本发明方法能够快速制备连续过渡金属二硫化物薄膜,且制备得到的过渡金属二硫化物薄膜质量好。
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公开(公告)号:CN116376433B
公开(公告)日:2024-01-19
申请号:CN202211701207.2
申请日:2022-12-28
Applicant: 齐鲁工业大学
IPC: C09D183/06 , C09D183/08 , C09D5/08 , C09D5/00 , B05D5/00 , B05D7/14 , B05D1/00 , B05D1/02
Abstract: 提供一种具有机械化学稳定性的MSC防腐超滑涂层及其防腐方法。MSC防腐超滑涂层能够通过喷涂方法制备,同时具有机械化学稳定性、高硬度和对不同基材的强附着力。超滑防腐MSC涂层涂覆在金属上;所述MSC涂层由EPFS、GPOSS与HPS团聚得到,EPFS链和GPOSS笼与HPS结合形成球状团簇,MSC表面的平均摩擦系数测得低至0.0756,MSC在不锈钢基材上的附着力可以达到9.47±0.32MPa;在1000次磨损循环后,水滴仍可以从涂层表面滑离,没有任何残留。MSC能够保护金属免受恶劣环境的腐蚀,例如,它可以承受500小时的铜离子加速酸性盐雾(CASS)腐蚀试验。MSC对金属基材的优异腐蚀保护性能使其可用于海洋基础设施和运输设备。
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公开(公告)号:CN117406519A
公开(公告)日:2024-01-16
申请号:CN202210795530.4
申请日:2022-07-07
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: G02F1/1506 , G02F1/153 , G02F1/155 , G02F1/1523 , C23C14/35 , C23C14/08 , B05D1/00 , B05D3/06 , B05D7/24
Abstract: 本发明涉及一种高分辨率图案化电致变色显示器件及其制备方法。所述高分辨率图案化电致变色显示器件,包括依次层叠设置的第一透明电极层、缓冲层、含有多个孔洞阵列排布的电致变色层、填充于孔径且覆盖在电致变色层上的凝胶电解质层和第二透明电极层。
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公开(公告)号:CN117343638A
公开(公告)日:2024-01-05
申请号:CN202210735927.4
申请日:2022-06-27
Applicant: 上海艾深斯科技有限公司
Inventor: 郑学刚
IPC: C09D183/04 , C09D7/65 , C08G77/04 , C08G77/06 , B05D1/00
Abstract: 形成多孔的介电涂层的方法,通过(A)将包含(i)具有式[RSi(OH)2O0.5]m[RSiO1.5]n[RSi(OH)O]p[SiO2]k[Si(OH)O1.5]a[Si(OH)2O]b[Si(OH)3O0.5]c[Si(OH)O(CH2)2Si(OH)O]d[Si(OH)2O(CH2)2Si(OH)2O]e[Si O1.5(CH2)2SiO1.5]f的硅氧烷共聚物、(ii)溶剂和(iii)热或光自由基引发剂的溶液组合物施加至半导体器件;和(B)去除溶剂和固化硅氧烷共聚物制剂,从而在半导体器件上形成具有闭孔的多孔低k涂层。
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公开(公告)号:CN109656108B
公开(公告)日:2024-01-05
申请号:CN201811181921.7
申请日:2018-10-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/30 , H01L21/67 , H01L21/027 , B05B13/04 , B05D1/00
Abstract: 本发明提供一种显影处理装置、显影处理方法以及存储介质。显影处理装置具备:旋转保持部,其保持晶圆并且使该晶圆旋转;显影液供给部,其具有喷嘴,所述喷嘴包括与晶圆的表面相向的液体接触面和在该液体接触面开口的喷出口;以及控制器,其中,控制器执行如下的控制:在晶圆旋转时,使喷出口喷出显影液,并且一边使液体接触面与表面的显影液接触一边使喷嘴从晶圆的外周侧向旋转中心侧移动的控制;在执行该控制后,一边使液体接触面与表面的显影液接触一边使喷嘴从晶圆的旋转中心侧向外周侧移动的控制;以及在执行该控制期间,使晶圆的转速与液体接触面的中心向外周靠近相应地逐渐下降的控制。
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公开(公告)号:CN117324417A
公开(公告)日:2024-01-02
申请号:CN202311307127.3
申请日:2023-10-10
Applicant: 上海方隆金属材料有限公司
Abstract: 本申请涉及合金加工的技术领域,具体公开了一种中高碳铆钉钢丝生产工艺。中高碳铆钉钢丝生产工艺,其步骤包括:将钢材依次进行(一)硼砂处理;(二)热处理;(三)酸洗、磷化;(四)拉拔处理;所述热处理包括如下步骤:S1、以20‑30℃/min的加热速度升温至730‑750℃,保温90‑120min;S2、以10‑15℃/min的加热速度升温至800‑850℃,保温60‑90min;S3、以5‑10℃/min的加热速度升温至900‑930℃,保温50‑70min;S4、以20‑30℃/h的冷却速度降温至730‑750℃;S5、以25‑35℃/h的冷却速度降温至520‑540℃;S6、冷却,完成热处理。本申请的一种中高碳铆钉钢丝生产工艺,其具有可提升钢材通条性,使所制产品冷镦不易开裂的优点。
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公开(公告)号:CN117182545A
公开(公告)日:2023-12-08
申请号:CN202311171632.X
申请日:2023-09-12
Applicant: 哲弗智能系统(上海)有限公司
Abstract: 本申请公开了一种复合探测器组装工艺及自动化生产线,其中,一种复合探测器自动化生产线,包括依次设置的烧录工站、FCT测试工站、涂覆段、组装段、测试段,本申请实施例中,采用上述的一种复合探测器组装工艺及自动化生产线,将烧录工站、FCT测试工站、涂覆段、组装段、测试段进行优化组合,依次执行PCBA的程序烧录、三防漆喷覆以及外壳组装,实现了复合探测器的自动化生产,大大提高了生产效率,降低成本,同时组装过程中对复合探测器的各项指标进行测试并记录测试数据,保证成品性能的同时实现了各工序中的数据追溯,在后续出现问题时能够及时对问题流程进行数据调整,提高整个组装工艺流程的可靠性,产品的良品率以及生产智能化程度大幅提升。
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公开(公告)号:CN115770708B
公开(公告)日:2023-12-05
申请号:CN202211485241.0
申请日:2022-11-24
Applicant: 长鑫存储技术有限公司
Abstract: 本公开提供了一种半导体器件及其制作方法,涉及半导体技术领域。该制作方法包括:提供一晶圆,晶圆固定于旋转涂布装置的基板上,旋转涂布装置具有出液端,出液端与基板相对设置;出液端对晶圆表面输出涂覆液;旋转涂布装置以第一旋转速度带动晶圆做旋转运动,使涂覆液沿晶圆半径方向由内至外布满晶圆表面;旋转涂布装置以第二旋转速度带动晶圆做旋转运动,第二旋转速度小于第一旋转速度,涂覆液在晶圆表面由外至内回缩,使涂覆液均匀分布于晶圆表面,形成涂覆层。通过控制晶圆以不同的转速进行转动,利用不同转速之间变换时产生交替的离心力以及回缩力,使涂覆液在晶圆表面均匀分布,为器件后续制程提供平坦的膜层面,克服了器件的制造缺陷。
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