公开(公告)号：CN116500858A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202210054445.2

申请日：2022-01-18

Applicant: 上海艾深斯科技有限公司

Inventor： 郑学刚

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/075 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11 ,  H01L23/29

Abstract: 本发明涉及用于双层光抗蚀剂涂层的光抗蚀剂涂层组合物，作为组合的光抗蚀剂(PR)和Si基硬掩模(SiHM)，通过涂覆这样的组合物来涂覆微电子器件的方法，和通过涂覆这样的组合物来形成图案化器件的方法。

公开(公告)号：CN117343638A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202210735927.4

申请日：2022-06-27

Applicant: 上海艾深斯科技有限公司

Inventor： 郑学刚

IPC: C09D183/04 ,  C09D7/65 ,  C08G77/04 ,  C08G77/06 ,  B05D1/00

Abstract: 形成多孔的介电涂层的方法，通过(A)将包含(i)具有式[RSi(OH)2O0.5]m[RSiO1.5]n[RSi(OH)O]p[SiO2]k[Si(OH)O1.5]a[Si(OH)2O]b[Si(OH)3O0.5]c[Si(OH)O(CH2)2Si(OH)O]d[Si(OH)2O(CH2)2Si(OH)2O]e[Si O1.5(CH2)2SiO1.5]f的硅氧烷共聚物、(ii)溶剂和(iii)热或光自由基引发剂的溶液组合物施加至半导体器件；和(B)去除溶剂和固化硅氧烷共聚物制剂，从而在半导体器件上形成具有闭孔的多孔低k涂层。

公开(公告)号：CN116500863A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202210054461.1

申请日：2022-01-18

Applicant: 上海艾深斯科技有限公司

Inventor： 郑学刚

IPC: G03F7/075 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11

Abstract: 新的组合物包含抗反射涂层(ARC)和硬掩模(HM)的组合物的硅氧烷共聚物，硅氧烷共聚物由以下单体的共水解形成：(RO)4Si、R1SiCl3、R2SiCl3、R3SiCl3和R4SiCl3其中：R是烷基例如甲基或乙基基团，R1是发色团例如苯基、苯基甲基、苯基乙基和苯基丙基，R2是H，R3是甲基或任选取代的C2‑C5烷基基团，并且任选的R4是亲水基团例如2‑[甲氧基(聚亚乙基氧基)6‑9丙基]或2‑(甲酯基)乙基，其中起始单体混合物中每种单体的摩尔％浓度0.00

公开(公告)号：CN119126491A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202310692140.9

申请日：2023-06-12

Applicant: 上海艾深斯科技有限公司

Inventor： 郑学刚

IPC: G03F7/039 ,  G03F7/004

Abstract: 本发明涉及新型聚合物和含有所述聚合物的组合物，从而提供基于聚合物的光致抗蚀剂用于光刻法例如KrF中的不同应用。本发明的光致抗蚀剂组合物包含乙酰氧基苯乙烯共聚物和羟基苯乙烯共聚物的混合物。

公开(公告)号：CN119119648A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202310692771.0

申请日：2023-06-12

Applicant: 上海艾深斯科技有限公司

Inventor： 郑学刚

IPC: C08L25/18 ,  G03F7/038

Abstract: 本发明涉及新型聚合物和含有这样聚合物的组合物，从而提供基于聚合物的光致抗蚀剂用于光刻法例如KrF中的不同应用。

公开(公告)号：CN116500864A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202210055708.1

申请日：2022-01-18

Applicant: 上海艾深斯科技有限公司

Inventor： 郑学刚

IPC: G03F7/075 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11

Abstract: 新的组合物包含作为组合的抗反射涂层(ARC)和硬掩模(HM)的硅氧烷共聚物，其由以下单体的共水解形成：R1SiCl3、R2SiCl3、R3SiCl3、X3Si(CH2)aSiX3、R4SiX3、Si(OR)4，其中：X＝Cl或OR，R是烷基例如甲基或乙基，R1是发色团例如苯基、苯基甲基、苯基乙基和苯基丙基，R2是H，R3是甲基或任选取代的C2‑C5烷基基团，并且任选的R4是亲水基团例如2‑[甲氧基(聚亚乙基氧基)6‑9丙基]或2‑(甲酯基)乙基，其中起始单体混合物中每种单体的摩尔百分比为0.00

公开(公告)号：CN119126487A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202310693382.X

申请日：2023-06-12

Applicant: 上海艾深斯科技有限公司

Inventor： 郑学刚

IPC: G03F7/004 ,  C08F212/14 ,  C08F220/18 ,  C08F212/08

Abstract: 本发明涉及新型基于聚合物的光致抗蚀剂及其制备，从而提供基于聚合物的光致抗蚀剂用于KrF和极紫外光刻法(EUVL)中的不同应用。本发明的光致抗蚀剂组合物包含含有光酸可解离基团的乙酰氧基苯乙烯共聚物和含有光酸可解离基团的羟基苯乙烯共聚物的混合物。

公开(公告)号：CN116496500A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202210054448.6

申请日：2022-01-18

Applicant: 上海艾深斯科技有限公司

Inventor： 郑学刚

IPC: C08G77/18 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11

Abstract: 新的组合物包含作为组合的抗反射涂层(ARC)和硬掩模(HM)的硅氧烷共聚物，其由以下单体的共水解形成：(RO)4Si、R1SiCl3、R2SiCl3、R3SiCl3和R4SiCl3其中：R是烷基例如甲基或乙基基团，R1是248nm显微光刻法中抗反射的发色团例如多环芳基基团例如蒽、蒽甲基、蒽乙基和蒽丙基，R2是H，R3是甲基或非必要取代的C2‑C5烷基基团，并且非必要的R4是亲水性基团例如2‑[甲氧基(聚亚乙基氧基)6‑9丙基]三氯硅烷或2‑(甲氧羰基)乙基三氯硅烷。其中起始单体混合物中每种单体的摩尔％浓度0.00