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公开(公告)号：CN108153117B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN201711247835.7
申请日：2017-12-01
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： G03F7/30
摘要： 本发明提供一种有效地抑制处理进行的程度由于基片上的位置不同而产生偏差的装置。涂敷、显影装置(2)包括旋转保持部(30)、显影液供给部(40)和控制器(100)。控制器执行：在晶片(W)的表面(Wa)上形成冲洗液的积液之后，使显影液供给部的喷嘴(41)的接液面与该冲洗液的积液接触，从喷嘴排出显影液形成稀释显影液的积液的控制；使晶片以第一转速旋转的控制，上述第一转速是使得与接液面的外周相比位于内侧的稀释显影液保留在接液面和表面之间，与接液面的外周相比位于外侧的稀释显影液向晶片的外周侧扩展的转速；和在晶片以比第一转速小的第二转速进行旋转的状态下，一边排出显影液，一边使喷嘴向晶片的外周侧移动的控制。
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公开(公告)号：CN114025885A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202080047747.6
申请日：2020-06-25
申请人： 东京毅力科创株式会社
摘要： 一种涂布方法，是向基板供给处理液并通过旋涂法来在基板上涂布上述处理液的涂布方法，在所述涂布方法中，在上述处理液的供给开始的同时或者晚于上述处理液的供给开始地将表面张力比上述处理液的表面张力小的上述处理液的溶剂与上述处理液混合地供给到上述基板。
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公开(公告)号：CN106971941B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201610849869.2
申请日：2016-09-26
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/67
摘要： 本发明提供一种能够更切实地抑制显影的进行量由于基板上的位置的不同而产生偏差的基板处理方法和基板处理装置。基板处理方法包括：在使晶圆以第一转速旋转、使接液面与晶圆的表面相对的状态下，从喷出口向晶圆的表面供给显影液，一边使接液面与显影液接触一边使喷嘴移动，从而在晶圆的表面上形成显影液的液膜；在液膜形成在晶圆的表面上之后，在来自喷出口的显影液的供给停止了的状态下，以比第一转速低的第二转速使晶圆旋转；在以第二转速使晶圆旋转之后，以比第一转速高的第三转速使晶圆旋转；在以第三转速使晶圆旋转之后，使晶圆的转速为第二转速以下，从而在晶圆的表面上保持液膜。
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公开(公告)号：CN108693716B
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN201810292782.9
申请日：2018-03-30
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： G03F7/30
摘要： 本发明提供一种对显影的显影方法、显影装置和存储介质，其进行以下步骤：在停止从在显影液喷嘴(31)的相对面(32)向下方开口的排出口(33)排出显影液的状态下，使显影液喷嘴(31)相对于基片(W)的表面上升，利用该显影液的表面张力，将排出口(33)下方的一部分积液提起的步骤；使显影液喷嘴(31)的上升停止，由提起了的该一部分积液形成上端与相对面接触(32)并且随着向该上端去逐渐变细的显影液柱的步骤；和对显影液柱施加剪切力来将该显影液柱的上端剪断，使显影液柱从相对面(32)分离的分离步骤。由此，能够防止显影液从与形成于该基片的显影液的积液接触的显影液喷嘴落下到基片上而发生异常。
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公开(公告)号：CN114002920A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202110812427.1
申请日：2021-07-19
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： G03F7/30
摘要： 本发明提供一种基板处理方法、计算机可读存储介质以及基板处理装置，能够实现基板面内的显影处理的均匀化。基板处理方法包括：进行第一显影处理，在所述第一显影处理中，将具有一个端面和在端面开设的喷出口的喷嘴以端面与基板的表面相向的方式配置，在一边使基板旋转一边从喷出口以第一流量喷出显影液的状态下，一边使端面与基板的表面上的显影液接触一边使喷嘴移动；以及在第一显影处理之后进行第二显影处理，在所述第二显影处理中，一边使基板旋转，一边在使端面在与基板的表面的中心相向的位置接触基板的表面上的显影液的状态下从喷出口以比第一流量大的第二流量喷出显影液。
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公开(公告)号：CN108153117A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711247835.7
申请日：2017-12-01
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： G03F7/30
CPC分类号： G03F7/3021 , G03F7/162 , G03F7/3064 , G03F7/30
摘要： 本发明提供一种有效地抑制处理进行的程度由于基片上的位置不同而产生偏差的装置。涂敷、显影装置(2)包括旋转保持部(30)、显影液供给部(40)和控制器(100)。控制器执行：在晶片(W)的表面(Wa)上形成冲洗液的积液之后，使显影液供给部的喷嘴(41)的接液面与该冲洗液的积液接触，从喷嘴排出显影液形成稀释显影液的积液的控制；使晶片以第一转速旋转的控制，上述第一转速是使得与接液面的外周相比位于内侧的稀释显影液保留在接液面和表面之间，与接液面的外周相比位于外侧的稀释显影液向晶片的外周侧扩展的转速；和在晶片以比第一转速小的第二转速进行旋转的状态下，一边排出显影液，一边使喷嘴向晶片的外周侧移动的控制。
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公开(公告)号：CN106971941A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201610849869.2
申请日：2016-09-26
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/67
CPC分类号： G03F7/3021 , B05C5/02 , B05C11/08 , B05D1/005 , H01L21/6715 , H01L21/027 , H01L2221/67
摘要： 本发明提供一种能够更切实地抑制显影的进行量由于基板上的位置的不同而产生偏差的基板处理方法和基板处理装置。基板处理方法包括：在使晶圆以第一转速旋转、使接液面与晶圆的表面相对的状态下，从喷出口向晶圆的表面供给显影液，一边使接液面与显影液接触一边使喷嘴移动，从而在晶圆的表面上形成显影液的液膜；在液膜形成在晶圆的表面上之后，在来自喷出口的显影液的供给停止了的状态下，以比第一转速低的第二转速使晶圆旋转；在以第二转速使晶圆旋转之后，以比第一转速高的第三转速使晶圆旋转；在以第三转速使晶圆旋转之后，使晶圆的转速为第二转速以下，从而在晶圆的表面上保持液膜。
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公开(公告)号：CN114025885B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202080047747.6
申请日：2020-06-25
申请人： 东京毅力科创株式会社
摘要： 一种涂布方法，是向基板供给处理液并通过旋涂法来在基板上涂布上述处理液的涂布方法，在所述涂布方法中，在上述处理液的供给开始的同时或者晚于上述处理液的供给开始地将表面张力比上述处理液的表面张力小的上述处理液的溶剂与上述处理液混合地供给到上述基板。
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公开(公告)号：CN107272354B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201710213294.X
申请日：2017-04-01
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： G03F7/30
摘要： 在形成有抗蚀剂膜并曝光后的半导体装置的制造用的基板的面内进行显影处理以使抗蚀剂图案的尺寸的均匀性变高。实施以下工序：对上述的基板的表面供给显影液进行显影的显影工序；接着，为了从上述基板将上述显影液的一部分甩掉除去，以上述基板在绕中心轴的第一旋转方向上旋转的方式，使该基板的转速上升的第一旋转工序；和接着，为了将残留在上述基板的上述显影液从该基板甩掉除去，使上述基板在与上述第一旋转方向相反的第二旋转方向上旋转的第二旋转工序。由此，能够防止基板的面内的各部中的显影时间的不均，所以能够在基板的各部以均匀性高的尺寸形成抗蚀剂图案。
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公开(公告)号：CN109656108A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811181921.7
申请日：2018-10-11
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： G03F7/30 , H01L21/67 , H01L21/027 , B05B13/04 , B05D1/00
摘要： 本发明提供一种显影处理装置、显影处理方法以及存储介质。显影处理装置具备：旋转保持部，其保持晶圆并且使该晶圆旋转；显影液供给部，其具有喷嘴，所述喷嘴包括与晶圆的表面相向的液体接触面和在该液体接触面开口的喷出口；以及控制器，其中，控制器执行如下的控制：在晶圆旋转时，使喷出口喷出显影液，并且一边使液体接触面与表面的显影液接触一边使喷嘴从晶圆的外周侧向旋转中心侧移动的控制；在执行该控制后，一边使液体接触面与表面的显影液接触一边使喷嘴从晶圆的旋转中心侧向外周侧移动的控制；以及在执行该控制期间，使晶圆的转速与液体接触面的中心向外周靠近相应地逐渐下降的控制。
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