公开(公告)号：CN118754657A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202410905183.5

申请日：2024-07-08

申请人： 江苏雷奥信息科技有限公司

发明人： 商超 ,  刘尊亮 ,  徐艳华 ,  郭元友 ,  周华东 ,  孟建文

IPC分类号： C04B35/493 ,  C04B35/622 ,  A61N7/02

摘要： 本发明公开了一种基于PMN‑PZT复合材料的超声治疗换能器制备方法，采用PMN‑PZT复合材料进行超声治疗换能器的制作。通过在PZT陶瓷中添加PMN陶瓷构成全新的三元系压电陶瓷材料，达到兼具PMN陶瓷和PZT陶瓷的有益性能和提升了采用该材料制成的超声治疗换能器的产品性能的目的。

公开(公告)号：CN118724588A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410773066.8

申请日：2024-06-17

申请人： 武汉理工大学

发明人： 黄端平 ,  毛万紫 ,  徐庆 ,  张枫

IPC分类号： C04B35/493 ,  H10N30/853

摘要： 本发明属于压电陶瓷材料技术领域，公开了一种低温烧结PZT基压电陶瓷材料及其制备方法和应用。本发明低温烧结PZT基压电陶瓷材料的化学组成为0.38Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑0.62Pb(Zr0.4Ti0.6)O3+a％LBPBSC，其中，LBPBSC为纳米级PbO‑B2O3‑SiO2‑Li2O‑Bi2O3‑CuO玻璃粉，LBPBSC中PbO、B2O3、SiO2、Li2O、Bi2O3、CuO的摩尔比为(35～40):(10～15):(5～8):(10～15):(10～12):(5～10)，LBPBSC的质量为0.38Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑0.62Pb(Zr0.4Ti0.6)O3质量的a％，0.5≤a≤0.6。本发明材料能够在低于900℃的温度下烧结，烧结后致密度高，具有优异的电学性能，满足压电陶瓷元器件的应用需求。

公开(公告)号：CN116444268B

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202210017463.3

申请日：2022-01-07

申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所

发明人： 董显林 ,  陈政燃 ,  梁瑞虹

IPC分类号： C04B35/493 ,  C04B35/622

摘要： 本发明涉及一种高温极化获得的高压电性能铌锑‑锆钛酸铅压电陶瓷。所述铌锑‑锆钛酸铅压电陶瓷的原料组分及其摩尔百分比含量为：以Pb(Sb1/2Nb1/2)aZrbTicO3为基础，外加x mol%的ZnO，其中a=0.02～0.06、b=0.47～0.53、c=0.47～0.53且a+b+c=1，x=0.2～0.8。所述铌锑‑锆钛酸铅压电陶瓷的制备方法包括以下步骤：（1）配料；（2）合成；（3）细磨；（4）造粒；（5）成型；（6）排塑；（7）烧结；（8）披电极；（9）高温极化。

公开(公告)号：CN116354718B

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202310323698.X

申请日：2023-03-29

申请人： 南京理工大学

发明人： 汪尧进 ,  房泽 ,  王佳佳 ,  王书豪 ,  李响 ,  丁冠中

IPC分类号： C04B35/493 ,  C04B35/622

摘要： 本发明涉及一种锑锰‑锆钛酸铅基压电陶瓷材料及其制备方法。本发明所述锑锰‑锆钛酸铅基压电陶瓷的化学式为xPb(In1/2Nb1/2)O3–0.04Pb(Mn1/3Sb2/3)O3–(0.96‑x)Pb(Zr0.49Ti0.51)O3，其中0.0≤x≤0.1。本发明以三元系陶瓷锑锰‑锆钛酸铅为基体，引入第四组元Pb(In1/2Nb1/2)O3，成功制备了同时具备高机械品质因数、高机电耦合系数和高压电性能的综合性能优异的适合大功率谐振器件的四元系铅基压电陶瓷材料。

公开(公告)号：CN118164756A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202410305691.X

申请日：2024-03-18

申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所

发明人： 包艺拯 ,  闫世光 ,  陈学锋 ,  曹菲 ,  王根水

IPC分类号： C04B35/493 ,  H01G4/12

摘要： 本发明提供了一种具有温度稳定性的反铁电陶瓷材料及储能陶瓷电容器，陶瓷材料的组成为Pb0.94‑4x+c(Ba1Sr3)xLazZryTi1‑ySiaMnbO3，其中0≤x≤0.04,0≤y≤0.05,0.01≤z≤0.04,0≤a≤0.008,0≤b≤0.01,0≤c≤0.015。本发明的技术方案的温度稳定性被有效提升。

公开(公告)号：CN115849902B

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202211359731.6

申请日：2022-11-02

申请人： 温州大学 ,  温州市教育基建中心

发明人： 谢忠武 ,  王军 ,  丁光亚 ,  蔡国桢 ,  周梦绮 ,  葛斌 ,  刘志明 ,  邹毅 ,  应豪康

IPC分类号： C04B35/493 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638 ,  C04B41/88

摘要： 本发明涉及一种适配道路俘能技术的压电陶瓷配方、制备方法及其应用，该压电陶瓷配方主要由主体成分与附加成分组成，主体成分为：PbxSryBa1‑x‑y(Zr0.54Ti0.46)z(Sb0.58Nb0.42)1‑zO3,其中：0.7≤x≤0.75，0.02≤y≤0.06，0.95≤z≤0.98，附加成分为主体成分质量的0.2wt％CaCO3以及0.05wt％CdCO3，根据PbxSryBa1‑x‑y(Zr0.54Ti0.46)z(Sb0.58Nb0.42)1‑zO3化学式进行配料、预烧二次球磨、成型以及排塑、烧结、切片、烧银和极化等步骤制备形成陶瓷片，将陶瓷片制成压电换能器应用到道路中，在满足道路使用条件下得到最优的发电性能，得到了压电性能好、机电耦合系数高、介电常数大的压电陶瓷，为道路压电俘能技术的发展奠定了良好的基础。

公开(公告)号：CN117326866A

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202311629620.7

申请日：2023-12-01

申请人： 山东利恩斯智能科技有限公司

发明人： 郇正利 ,  费璇 ,  曹光利 ,  黎超逸

IPC分类号： C04B35/493 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88

摘要： 本发明涉及一种铈锰共掺的锆钛酸铅基压电陶瓷材料及其制备方法。所述压电陶瓷的化学组成为Pb0.98La0.02(Zr0.54Ti0.43Nb0.03)O3+xwt%CeO2+ywt%MnCO3，0.15≤x≤0.45，0＜y≤0.1，其中Pb0.98La0.02(Zr0.54Ti0.43Nb0.03)O3为基体陶瓷粉体，x表示CeO2占基体陶瓷粉体的质量百分比，y表示MnCO3占基体陶瓷粉体的质量百分比，可简写为PLZTN+xwt%Ce+ywt%Mn。本发明还提供了该压电陶瓷的制备方法。本发明提供的铈锰共掺的锆钛酸铅基压电陶瓷通过铈锰复合掺杂使该PZT基陶瓷的压电系数和机械品质因数均得到了改善，同时具有优异的压电性能、较低的损耗和良好的应变温度稳定性，以及良好的机械品质，在高性能压电器件的制备上具有十分广阔的应用前景，是大功率压电器件领域在优良候选材料。

公开(公告)号：CN115894020B

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202211661997.6

申请日：2022-12-23

申请人： 佛山仙湖实验室

发明人： 郝华 ,  郭庆虎

IPC分类号： C04B35/493 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88 ,  H10N30/853 ,  H10N30/092 ,  H10N30/097

摘要： 本发明属于压电陶瓷技术领域，公开了一种高压电系数的PMNZT基压电陶瓷及其制备方法和应用。本发明高压电系数的PMNZT基压电陶瓷通过选择性能优异的铌镁酸铅‑锆酸铅‑钛酸铅三元陶瓷为基体，并在A位引入比Pb离子半径略小的三价离子，引起晶格畸变，增强陶瓷的弛豫特征，从而获得更高的介电和压电性能；该压电陶瓷的正压电系数d33高达1040pC/N，逆压电系数d33*高达1310pm/V，介电常数ε33为4530‑6460，介电损耗tanδ＜0.03，平面机电耦合系数kp＞0.70，并且该压电陶瓷的制备工艺简单，具有广(56)对比文件Shujun Zhang等.ElectromechanicalProperties of PMN–PZT PiezoelectricSingle Crystals Near Morphotropic PhaseBoundary Compositions.Journal of theAmerican Ceramic Society.2007,第90卷(第12期),3859-3862.Zexiong Qiu等.characteristics andstructure of Mn doped 0.6xPMT-0.4PT-xPZ(x=0.2、0.25) ternary system nearmorphotropic phase boundary).journal ofmaterials science：materials inelectronics.2018,第29卷(第16期),14261-14266.詹志洪.稀土在功能陶瓷新材料中的应用及市场前景.世界有色金属.2004,(10),21-24.李强;夏志国;斯琴毕力格.Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO_3-PbZrO_3陶瓷在准同型相界附近的结构与性能研究.稀有金属.2009,(01),47-51.

公开(公告)号：CN116947487A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202210390879.X

申请日：2022-04-14

申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所

发明人： 陈学锋 ,  罗越 ,  丁李辉 ,  王根水

IPC分类号： C04B35/493 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638

摘要： 本发明涉及一种具有高饱和极化的反铁电陶瓷材料及其制备方法和应用。所述具有高饱和极化强度的铅基反铁电陶瓷材料的化学式为：Pb1‑y‑3z/2LazSry(ZraMb)1‑5x/4NbxO3；其中，0＜x≤0.1；0≤y≤0.1，0≤z≤0.1，且y和z不同时为0；0≤b≤0.5，且a+b=1，M=Sn、Ti中的至少一种。

公开(公告)号：CN116768622A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310793091.8

申请日：2023-06-30

申请人： 北京邮电大学

发明人： 逯景桐 ,  毕科 ,  李昭 ,  许建春 ,  冯遵鹏

IPC分类号： C04B35/493 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638

摘要： 本发明涉及高性能锆钛酸铅基压电陶瓷及其制备方法，具体涉及通过固相烧结工艺制备不同质量分数MnCO3掺杂的(Pb0.92Sr0.08)(Zr0.533Ti0.443Nb0.024)O3(PSZTN‑xMn)压电陶瓷的方法，属功能陶瓷领域。通过固相烧结工艺制备了不同质量分数MnCO3掺杂的PSZTN‑xMn压电陶瓷，发现在一定掺杂范围内，Mn离子促进了PSZTN压电陶瓷中晶粒的生长，并且产生了显著的硬化效应，而压电响应仅有轻微损失，最终在MnCO3掺杂量为0.4～0.5wt.％的大晶粒PSZTN陶瓷样品中实现了高d33和高Qm的性能组合：d33＝510～460pC/N，Qm＝614～750，kp＝0.63～0.59，tanδ＝0.002～0.004，Tc＝278℃。该工作成功实现了PZT基压电陶瓷综合性能的突破，证明了通过晶粒尺寸调控来协同优化压电陶瓷综合性能是一种行之有效的策略，为优化其他种类压电陶瓷的性能提供了一个简单有效的方法。