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公开(公告)号：CN116354718B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202310323698.X
申请日：2023-03-29
申请人： 南京理工大学
IPC分类号： C04B35/493 , C04B35/622
摘要： 本发明涉及一种锑锰‑锆钛酸铅基压电陶瓷材料及其制备方法。本发明所述锑锰‑锆钛酸铅基压电陶瓷的化学式为xPb(In1/2Nb1/2)O3–0.04Pb(Mn1/3Sb2/3)O3–(0.96‑x)Pb(Zr0.49Ti0.51)O3，其中0.0≤x≤0.1。本发明以三元系陶瓷锑锰‑锆钛酸铅为基体，引入第四组元Pb(In1/2Nb1/2)O3，成功制备了同时具备高机械品质因数、高机电耦合系数和高压电性能的综合性能优异的适合大功率谐振器件的四元系铅基压电陶瓷材料。
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公开(公告)号：CN118184347A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410344032.7
申请日：2024-03-25
申请人： 南京理工大学
IPC分类号： C04B35/49
摘要： 本发明公开了一种高压电系数低损耗的PNN‑PHT材料及其制备方法。本发明所述PNN‑PNT三元压电陶瓷的化学式为xMnNb2O6‑0.51Pb(Hf0.3Ti0.7)O3‑0.49Pb(Nil/3Nb2/3)O3，其中，0.0％＜x≤1.0％。本发明通过锰掺杂，在保证高压电系数的前提下，有效的提升了PNN‑PHT材料的机械品质因数，大幅度降低了材料的介电损耗，获得了优异的综合性能，同时制备方法简单、工艺步骤简单，过程易于控制，可重复性高，成品率高。
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公开(公告)号：CN116354718A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310323698.X
申请日：2023-03-29
申请人： 南京理工大学
IPC分类号： C04B35/493 , C04B35/622
摘要： 本发明涉及一种锑锰‑锆钛酸铅基压电陶瓷材料及其制备方法。本发明所述锑锰‑锆钛酸铅基压电陶瓷的化学式为xPb(In1/2Nb1/2)O3–0.04Pb(Mn1/3Sb2/3)O3–(0.96‑x)Pb(Zr0.49Ti0.51)O3，其中0.0≤x≤0.1。本发明以三元系陶瓷锑锰‑锆钛酸铅为基体，引入第四组元Pb(In1/2Nb1/2)O3，成功制备了同时具备高机械品质因数、高机电耦合系数和高压电性能的综合性能优异的适合大功率谐振器件的四元系铅基压电陶瓷材料。
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公开(公告)号：CN117278065A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311192519.X
申请日：2023-09-15
申请人： 南京理工大学
摘要： 本发明公开了一种基于磁电天线的甚低频信号传输系统，涉及无线通信技术领域，该系统包括：信号发生模组、甚低频磁电天线、接收线圈和信号处理模组，信号发生模组用于产生交变激励信号以驱动甚低频磁电天线，甚低频磁电天线基于逆磁电效应向外部空间发送甚低频波段的电磁波信号，接收线圈用于接收甚低频波段的电磁波信号并传输给信号处理模组，信号处理模组用于对甚低频波段的电磁波信号进行处理并进行展示。该系统均具有传播距离远和抗电磁脉冲干扰能力强等特点，并且整个系统体积小，具有轻量化、低功耗的特点，有很高的应用价值。
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公开(公告)号：CN116315637A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310307885.9
申请日：2023-03-27
申请人： 南京理工大学
IPC分类号： H01Q1/38 , H01Q1/00 , H01Q1/24 , H01Q1/36 , H01B13/00 , H10N30/00 , H10N30/20 , H10N35/00 , H10N35/01 , H10N30/01
摘要： 本发明涉及一种利用退火法制备的功能梯度磁电发射天线。本发明所述功能梯度磁电发射天线包括压电层和磁致伸缩层；所述磁致伸缩层包括退火处理的磁致伸缩层Ⅰ、未退火处理的磁致伸缩层Ⅱ、未退火处理的磁致伸缩层Ⅲ和退火处理的磁致伸缩层Ⅳ，所述磁致伸缩层Ⅰ和磁致伸缩层Ⅱ设置在压电层上侧，所述磁致伸缩层Ⅲ和磁致伸缩层Ⅳ设置在压电层下侧，所述压电层与磁致伸缩层之间通过环氧树脂粘结。本发明所述功能梯度磁电发射天线基于声波激励式磁电天线原理，结合两种不同磁致伸缩材料组成的功能梯度结构之间的磁相互作用实现自偏置工作，无需外加直流偏置磁场，具有自偏置、尺寸小、能耗低、辐射效率高等优点。
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