一种铌镁酸铅钛酸铅压电单晶及其制备方法

    公开(公告)号:CN117448962A

    公开(公告)日:2024-01-26

    申请号:CN202311322843.9

    申请日:2023-10-12

    IPC分类号: C30B29/30 C30B29/32 C30B1/00

    摘要: 本发明公开了一种铌镁酸铅‑钛酸铅压电单晶及其制备方法。所述铌镁酸铅‑钛酸铅压电单晶的通式为:0.68Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑0.32PbTiO3,其制备方法为:按0.68Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑0.32PbTiO3化学计量比配料,球磨,烘干,研磨得到坯体,排胶后冷等静压得到致密坯体,用双层坩埚法,将致密坯体置于马弗炉,顶部放置单晶,烧结得到铌镁酸铅‑钛酸铅压电单晶。本发明通过固相法利用籽晶诱导单晶生长,同时对制备条件进行优化,生长出质量均一、易与陶瓷分离,较大尺寸的单晶。

    一种新型IGBT电流反馈型死区补偿方法

    公开(公告)号:CN107171541A

    公开(公告)日:2017-09-15

    申请号:CN201710517594.7

    申请日:2017-06-29

    IPC分类号: H02M1/38

    CPC分类号: H02M1/38 H02M2001/385

    摘要: 本发明涉及一种IGBT电流反馈型死区补偿方法,通过外围硬件电路设计,对逆变器输出电压进行采样,判断电压的高低电平;然后,将该输出信号作为电流方向逻辑回路的输入信号,将逆变器上下桥臂中IGBT的驱动信号通过逻辑或门作为触发信号;该硬件电路的最终输出信号作为电流方向判断的逻辑信号经I/O口输入到微处理器中,通过判断得到死区补偿量,生成所需要的PWM脉冲,最终实现死区补偿。本发明不仅能准确判断电流的方向,还能判断出电流是否处于过零点,并在过零点阶段进行过渡补偿,补偿效果好,电流波形畸变率减小,电机的低速性能被明显改善。

    一种丝素蛋白基包载纳米酶前药水凝胶的制备方法

    公开(公告)号:CN116650404A

    公开(公告)日:2023-08-29

    申请号:CN202310618937.4

    申请日:2023-05-30

    摘要: 本发明公开了一种丝素蛋白基包载纳米酶前药水凝胶的制备方法,先制备ZIF‑8材料,并在制备过程中载入前药吲哚乙酸,得到IAA@ZIF‑8,在其外面包裹聚多巴胺,再将其与氯亚铂酸钾水溶液混匀,洗涤后烘干,得到纳米酶前药,将其与甲基丙烯酸酯丝素蛋白、苯硼酸离子单体加入到去离子水中,混匀后,再加入光引发剂,然后在紫外灯下照射,得到丝素蛋白基包载纳米酶前药水凝胶。与现有的水凝胶敷料相比,该水凝胶以甲基丙烯酸酯丝素蛋白为基质,体系稳定,同时兼具了聚多巴胺的光热效果以及三磷酸腺苷激活前药的功能,可实现光热与药物协同双重抗耐药菌,并且该水凝胶还包含了苯硼酸离子单体,能够快速捕获细菌,并短时间内有效杀灭细菌。

    一种铌镁酸铅-钛酸铅基压电陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN114621009B

    公开(公告)日:2023-02-28

    申请号:CN202210259100.0

    申请日:2022-03-16

    IPC分类号: C04B35/499 C04B35/622

    摘要: 本发明公开了一种铌镁酸铅‑钛酸铅基压电陶瓷材料,所述压电陶瓷材料用以下通式表示:(1‑x)(0.68PbMg1/3Nb2/3O3‑0.32PbTiO3)‑x(Bi0.5Na0.5)ZrO3,其中0.00<x≤0.07;所述铌镁酸铅‑钛酸铅基压电陶瓷材料的制备方法包括如下步骤:(1)制备前驱体MgNb2O6;(2)制备基体材料0.68PMN‑0.32PT;(3)制备粉料;(4)制备坯体;(5)制备所述压电陶瓷材料。本发明制备的铌镁酸铅‑钛酸铅‑锆酸铋钠三元系压电陶瓷,压电系数d33可达1040pC/N,室温下的介电常数εr可达6559。

    一种铌镁酸铅-钛酸铅基压电陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN114621009A

    公开(公告)日:2022-06-14

    申请号:CN202210259100.0

    申请日:2022-03-16

    IPC分类号: C04B35/499 C04B35/622

    摘要: 本发明公开了一种铌镁酸铅‑钛酸铅基压电陶瓷材料,所述压电陶瓷材料用以下通式表示:(1‑x)(0.68PbMg1/3Nb2/3O3‑0.32PbTiO3)‑x(Bi0.5Na0.5)ZrO3,其中0.00<x≤0.07;所述铌镁酸铅‑钛酸铅基压电陶瓷材料的制备方法包括如下步骤:(1)制备前驱体MgNb2O6;(2)制备基体材料0.68PMN‑0.32PT;(3)制备粉料;(4)制备坯体;(5)制备所述压电陶瓷材料。本发明制备的铌镁酸铅‑钛酸铅‑锆酸铋钠三元系压电陶瓷,压电系数d33可达1040pC/N,室温下的介电常数εr可达6559。