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公开(公告)号：CN110016301B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN201811341622.5
申请日：2018-11-12
Applicant: 琳得科株式会社
Inventor： 七岛祐
IPC: C09J7/30 , C09J7/10 , C09J175/04 , C08F220/18 , C08F220/14 , C08F220/20 , C08F220/06 , C08G18/62 , C08G18/76 , C08G18/32 , B32B27/06 , B32B27/36 , B32B7/12
Abstract: 本发明提供反复弯曲装置用粘着剂，其在适用于反复弯曲装置而反复弯曲或被置于长期弯曲状态时，在解除弯曲状态后，能够抑制粘着剂层变形，缓和上述情况造成的影响。将使该粘着剂变形10％时测定的最大松弛模量值设为最大松弛模量，从测定到该最大松弛模量开始至3757秒持续使粘着剂变形10％，将此期间测定的最小松弛模量值设为最小松弛模量，由此算出松弛模量变动值；将对粘着剂施加3000Pa的应力时测定的蠕变柔量值设为最小蠕变柔量，从测定到该最小蠕变柔量开始至3757秒持续施加3000Pa的应力，将此期间测定的最大的蠕变柔量值设为最大蠕变柔量，由此算出蠕变柔量变动值；松弛模量变动值与蠕变柔量变动值的积值为3以下。
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公开(公告)号：CN115335224A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202180024883.8
申请日：2021-03-26
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明提供能够得到薄且耐热性优异、可容易地剥离工序膜、具有良好的特性的透明导电膜的透明导电膜用层叠体。该透明导电膜用层叠体是用于形成透明导电膜的透明导电膜用层叠体，其中，所述透明导电膜用层叠体依次具备工序膜和固化树脂层，上述固化树脂层是由含有聚合物成分(A)及固化性单体(B)的固化性树脂组合物的固化物形成的层，固化树脂层的由升温至150℃引起的热变形率的绝对值为1.2％以下，固化树脂层的厚度为20μm以下，工序膜具有任选设置有剥离层的第1表面和未设置剥离层的第2表面，固化树脂层形成在工序膜的第2表面上。
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公开(公告)号：CN115315785A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202180023542.9
申请日：2021-03-26
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , B32B27/00 , B32B27/28 , C08L31/04 , C08L83/04
Abstract: 本发明提供一种半导体装置制造用片，其具备基材、粘着剂层、中间层及膜状粘合剂，所述半导体装置制造用片通过在所述基材上依次层叠所述粘着剂层、所述中间层及所述膜状粘合剂而构成，所述中间层含有重均分子量为100000以下的非硅类树脂作为主要成分，所述基材的与具备所述粘着剂层的一侧为相反侧的表面的最大截面高度为2000nm以下。
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公开(公告)号：CN109463007B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN201780037693.3
申请日：2017-08-02
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L23/12 , H01L21/301 , H01L21/52 , H01L21/56 , H01L23/00 , H01L23/29 , H01L23/31 , C09J201/00
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含以下工序：在具有粘接剂层的支承基板(10)的所述粘接剂层上，将具有电路面(W1)和元件背面(W2)的多个半导体元件以元件背面(W2)朝向所述粘接剂层的方式进行贴装的工序；对贴装于支承基板(10)的所述半导体元件进行封装而形成封装体(3)的工序；在封装体(3)上形成外部端子电极，使贴装于支承基板(10)的所述半导体元件与所述外部端子电极电连接的工序；在使所述半导体元件与所述外部端子电极电连接之后，将支承基板(10)从封装体(3)剥离而使所述半导体元件的元件背面(W2)露出的工序；在露出的所述半导体元件的元件背面(W2)形成固化性的保护膜形成层的工序；使所述保护膜形成层固化而形成保护膜的工序。
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公开(公告)号：CN112930380B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202080005828.X
申请日：2020-03-18
Applicant: 琳得科株式会社
Inventor： 田中佑耶
IPC: C09J201/00 , H01L21/52 , H01L21/301 , C09J7/35
Abstract: 本发明提供一种热固性的膜状粘合剂，所述膜状粘合剂在于40℃下保存7天之前且在热固化前、和在于40℃下保存7天之后且在热固化前，满足下述必要条件1)和2)：1)所述膜状粘合剂的80℃下的储能模量G’为3×104Pa以下，2)在对10mm×10mm×20μm的所述膜状粘合剂于80℃下施加1秒钟1.96N的荷载而将其压接在具有线宽/间距(L/S)为100μm/100μm且厚度为10μm的铜布线的玻璃基板的所述铜布线侧而成的部分的中央部1.1mm×5mm的区域中，所述间距部分100面积％中的空气残留率为20面积％以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108243616B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN201780003861.7
申请日：2017-01-05
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/20 , B32B27/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种半导体加工用片1，其至少具备：具有第一面101和第二面102的基材10、具有第一面801和第二面802的半导体贴附层80、及具有第一面301和第二面302的剥离膜30，第一面101的算术平均粗糙度Ra为0.01～0.8μm，第二面302的算术平均粗糙度Ra大于0.05μm且为0.8μm以下，将第二面802与第一面301贴附且在40℃下保管3天后的、在第二面802与第一面301的界面上的剥离力β为10～1000mN/50mm。该半导体加工用片1在具有优异的光线透射性的同时，不容易发生粘连。
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公开(公告)号：CN115244654A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202180020576.2
申请日：2021-03-11
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L21/60
Abstract: 本发明的课题在于提供能够抑制经窄间距化了的凸块彼此的短路的保护膜形成用片。其中，该课题通过形成下述的保护膜形成用片而得到了解决：所述保护膜形成用片具有固化性树脂膜(x)与支撑片(Y)的层叠结构，其用于在具有多个凸块、且满足表示具有经窄间距化了的凸块的特定要件的半导体晶片的凸块形成面形成保护膜(X)，所述保护膜形成用片满足以拉伸模量E’限定的特定要件。
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公开(公告)号：CN113557111B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202080018648.5
申请日：2020-03-26
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明提供一种陶瓷生片制造工序用剥离膜，其具备基材、以及设置于所述基材的单面侧的剥离剂层，所述剥离剂层由含有氨基树脂(A)、聚有机硅氧烷(B)、具有硅氧烷键(Si‑O‑Si)作为骨架的烷氧基硅烷水解缩聚物(C)、以及酸催化剂(D)的剥离剂组合物形成。根据该陶瓷生片制造工序用剥离膜，即使是1μm以下的极薄的陶瓷生片，也能够以高品质稳定地生产。
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公开(公告)号：CN107452667B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN201710383516.2
申请日：2017-05-26
Applicant: 琳得科株式会社
Inventor： 高野健
IPC: H01L21/683
Abstract: 片材粘附装置(10)具有：支承被粘接体(WF)的支承装置(20)；将粘接片(AS)按压并粘附在由支承装置(20)支承的被粘接体(WF)上的按压装置(40)；以粘接片部分残留在被粘接体(WF)上的方式将粘附在该被粘接体(WF)上的粘接片(AS)切断成规定形状的切断装置(50)；将粘接片(AS)中的粘接片部分以外的多余片(US)回收的回收装置(60)，支承装置(20)设置为，在回收装置(60)对多余片(US)的回收中，允许被粘接体(WF)向支承装置(20)的搬入、以及被粘接体(WF)从支承装置(20)的搬出的至少一方。
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公开(公告)号：CN108604541B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN201780011114.8
申请日：2017-04-25
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301
Abstract: 本发明涉及一种能量射线固化性的保护膜形成用膜，其含有平均粒径为0.08～15μm的填充材料，相对于所述保护膜形成用膜的质量，所述填充材料的含量为5～83质量％。
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