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公开(公告)号：CN114599755B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202180006067.4
申请日：2021-03-26
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体装置制造用片，其具备贴附于半导体晶圆或半导体芯片上的标签部和设置于比所述标签部更靠近外侧的至少一部分上的外周部，所述标签部及所述外周部具备基材、粘着剂层、中间层及膜状粘合剂，所述半导体装置制造用片通过在所述基材上依次层叠所述粘着剂层、所述中间层、所述膜状粘合剂及剥离膜而构成，在所述标签部与所述外周部之间设置有未层叠所述中间层及所述膜状粘合剂的沟槽，所述中间层含有重均分子量为100000以下的非硅类树脂作为主要成分。
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公开(公告)号：CN112778917B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202011136842.1
申请日：2020-10-22
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/24 , C09J7/30 , C09J163/00 , C09J133/08 , C09J163/04 , C09J11/04 , C09J11/06 , G01D11/00
Abstract: 本发明提供一种粘合膜，其用于将2片板彼此粘合，且为固化性，所述2片板对波长为800nm～1400nm的光的直线透射率为70％以上，所述粘合膜的固化物对波长为850nm的光的直线透射率为60％以上，所述固化物对波长为400nm的光的直线透射率为40％以下，具有大小为2mm×2mm且厚度为20μm的所述粘合膜的固化物、设置在所述固化物的一个面的整面上的厚度为900μm的第一玻璃片、及设置在所述固化物的另一个面的整面上的厚度为350μm的第二玻璃片的试验片的剪切强度为5MPa以上。本发明还提供一种粘合复合片，其具有支撑片，并在所述支撑片的一个面上具有所述粘合膜。
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公开(公告)号：CN115210075A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202180007066.1
申请日：2021-03-26
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: B32B27/00 , B32B27/28 , C08L31/04 , C08L83/04 , H01L21/301
Abstract: 本发明提供一种半导体装置制造用片的制造方法，该半导体装置制造用片依次层叠有基材、粘着剂层、中间层、膜状粘合剂及第二剥离膜，该制造方法包括：针对具备中间层、膜状粘合剂及第一剥离膜的第二中间层叠体，去除中间层及膜状粘合剂的至少一部分，得到第二中间层叠体加工物的第一加工工序；将具备基材及粘着剂层的第一中间层叠体与第二中间层叠体加工物贴合，得到第一层叠物的层叠工序；剥离第一层叠物的第一剥离膜，更换粘贴第二剥离膜，得到第二层叠物的更换粘贴工序；及针对第二层叠物，去除基材及粘着剂层的至少一部分，得到半导体装置制造用片的第二加工工序，第一剥离膜与膜状粘合剂之间的剥离力大于第二剥离膜与膜状粘合剂之间的剥离力。
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公开(公告)号：CN103733313A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201280039191.1
申请日：2012-09-05
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/02 , C09J11/06 , C09J133/08 , C09J175/14
CPC classification number: C09J7/0217 , C08G18/6229 , C08G18/6254 , C08G2170/40 , C08L23/06 , C09J7/241 , C09J7/381 , C09J7/385 , C09J133/14 , C09J175/14 , C09J2201/606 , C09J2203/326 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , Y10T428/28 , C08L23/0823
Abstract: 本发明提供不需电子线和γ线等物理能量线、能够减少在被切断物切割时所产生的切割屑的切割片用基材膜，其为具有树脂层(A)的切割片用基材膜(2)，该树脂层(A)包含含环树脂(a1)、以及该含环树脂(a1)以外的作为烯烃系热塑性树脂的非环式烯烃系树脂(a2)，含环树脂(a1)为具有以具有芳香族环及脂肪族环中的至少一种的单体作为构成单元的热塑性树脂，提供所述树脂层(A)中的所述含环树脂(a1)的含量超过3.0质量%的切割片用基材膜。还提供具有该切割片用基材膜与配至于该膜上的压敏粘合剂层(3)的切割片(1)。
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公开(公告)号：CN115315785A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202180023542.9
申请日：2021-03-26
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , B32B27/00 , B32B27/28 , C08L31/04 , C08L83/04
Abstract: 本发明提供一种半导体装置制造用片，其具备基材、粘着剂层、中间层及膜状粘合剂，所述半导体装置制造用片通过在所述基材上依次层叠所述粘着剂层、所述中间层及所述膜状粘合剂而构成，所述中间层含有重均分子量为100000以下的非硅类树脂作为主要成分，所述基材的与具备所述粘着剂层的一侧为相反侧的表面的最大截面高度为2000nm以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114762085A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202180006720.7
申请日：2021-03-26
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , B32B27/00 , B32B27/28 , C08L31/04 , C08L83/04
Abstract: 本发明提供一种半导体装置制造用片，其具备基材、粘着剂层、中间层及膜状粘合剂，所述基材上依次层叠有所述粘着剂层、所述中间层及所述膜状粘合剂，所述中间层含有重均分子量为20000～100000的非硅类树脂(β1)作为主要成分，所述膜状粘合剂含有液状的成分(α2)、或所述粘着剂层含有液状的成分(γ2)，在将由所述非硅类树脂(β1)构成的厚度为10μm的第一试验片的雾度设为H(β)、将由所述非硅类树脂(β1)与所述成分(α2)的混合物构成的厚度为10μm的第二试验片的雾度设为H(βα)、将由所述非硅类树脂(β1)与所述成分(γ2)的混合物构成的厚度为10μm的第三试验片的雾度设为H(βγ)时，满足H(βα)‑H(β)＞7％或H(βγ)‑H(β)＞7％。
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公开(公告)号：CN114730707A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202180006203.X
申请日：2021-03-26
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301
Abstract: 本发明提供一种半导体装置制造用片(101)，其具备基材(11)、粘着剂层(12)、中间层(13)及膜状粘合剂(14)，所述半导体装置制造用片(101)通过在基材(11)上依次层叠粘着剂层(12)、中间层(13)及膜状粘合剂(14)而构成，膜状粘合剂(14)含有抗静电剂，所述抗静电剂的含量相对于膜状粘合剂(14)的总质量的比例为3质量％以下，中间层(13)含有重均分子量为100000以下的非硅类树脂作为主要成分，膜状粘合剂(14)的中间层(13)侧的表面的表面电阻率为1×1013Ω以下。
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公开(公告)号：CN114599755A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202180006067.4
申请日：2021-03-26
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体装置制造用片，其具备贴附于半导体晶圆或半导体芯片上的标签部和设置于比所述标签部更靠近外侧的至少一部分上的外周部，所述标签部及所述外周部具备基材、粘着剂层、中间层及膜状粘合剂，所述半导体装置制造用片通过在所述基材上依次层叠所述粘着剂层、所述中间层、所述膜状粘合剂及剥离膜而构成，在所述标签部与所述外周部之间设置有未层叠所述中间层及所述膜状粘合剂的沟槽，所述中间层含有重均分子量为100000以下的非硅类树脂作为主要成分。
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公开(公告)号：CN114303234A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202080060038.1
申请日：2020-08-20
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/50 , H01L23/12 , H01L25/065 , B22F7/08
Abstract: 本发明提供一种层叠体的制造方法，其中，在支撑片上设置含有烧结性金属颗粒及粘结剂成分，并且与半导体芯片为相同形状或大致相同的形状且为相同大小的膜状烧成材料，使所述半导体芯片的背面侧面向所述支撑片上的所述膜状烧成材料而进行贴附，将所述膜状烧成材料及半导体芯片从所述支撑片上剥离，将贴附有所述膜状烧成材料的所述半导体芯片的所述膜状烧成材料侧贴附于基板，并将所述膜状烧成材料加热至200℃以上，从而将所述半导体芯片与所述基板烧结结合。
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公开(公告)号：CN113508167A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202080018411.7
申请日：2020-03-06
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J201/00 , H01L21/52 , H01L21/301 , C09J7/38
Abstract: 本发明提供一种固晶片(101)，其具备基材(11)，并通过在基材(11)上依次层叠粘着剂层(12)、中间层(13)及膜状粘合剂(14)而构成，针对基材(11)的试验片，进行热机械分析，将23℃时的位移量设为X0、将升温至70℃时的位移量的最大值设为X1、将在23℃的温度条件下放冷时的位移量的最小值设为X2时，(X1‑X0)/15×100为0～2％、(X2‑X1)/15×100为‑2～0％、(X2‑X0)/15×100为‑2～1％。
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