一种三氯氢硅合成尾气的处理方法

    公开(公告)号:CN102814095B

    公开(公告)日:2015-03-18

    申请号:CN201210285784.8

    申请日:2012-08-10

    Abstract: 本发明公开了一种三氯氢硅合成尾气的处理方法,包括以下步骤:a)将所述三氯氢硅合成尾气进行沉降处理,并将沉降处理后的三氯氢硅合成尾气利用气体过滤装置进行过滤,以除去其中的固体杂质,其中,所述气体过滤装置内设有陶瓷滤芯;b)将过滤后的三氯氢硅合成尾气进行冷凝,以得到液体的氯硅烷和气态的氢气与氯化氢的混合物;以及c)将氢气与氯化氢的混合物通过吸附剂进行吸附,以吸附其中的氯化氢,得到高纯氢气。根据本发明的方法,由于采用设置有陶瓷滤芯的气体过滤装置,该过滤装置具有耐高温,耐腐蚀的优良特性,而且材质稳定,不会对多晶硅产品质量造成影响。

    喷嘴
    82.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104401998A

    公开(公告)日:2015-03-11

    申请号:CN201410690909.4

    申请日:2014-11-25

    Abstract: 本发明提供了一种喷嘴,包括:喷嘴本体,喷嘴本体内设置有供流体流通的腔体;浮子,浮子包括浮子本体,浮子本体的外周面与腔体的内周面形成供流体流出的流通间隙;其中,腔体呈锥形,浮子相对于喷嘴本体沿腔体的进口端和腔体的出口端的连线的方向可移动地设置并具有朝向腔体的进口端移动的趋势,浮子沿进口端至出口端的方向移动的过程中流通间隙逐渐增大。当由腔体的进口端进入的流体的流量较大时,浮子在流体的冲击力的作用下沿进口端至出口端的方向移动,流通间隙逐渐增大,有效地减小了流速,当流体的流量较小时流通间隙也较小,有利于保证经流通间隙流出的流体的流速,实现了喷嘴根据流体的流量大小自行调节流速的功能。

    处理多晶硅还原尾气的方法

    公开(公告)号:CN104140106A

    公开(公告)日:2014-11-12

    申请号:CN201410364843.X

    申请日:2014-07-28

    Abstract: 本发明公开了一种处理多晶硅还原尾气的方法,该方法包括:(1)将多晶硅还原尾气进行第一冷凝处理;(2)采用膜分离器对经过第一冷凝处理的多晶硅还原尾气进行分离处理,以便分别得到氢气和混合气体;(3)将氢气供给至还原炉与三氯氢硅进行还原反应;(4)将混合气体进行第二冷凝处理,得到氯硅烷冷凝液和不凝气;(5)将不凝气进行吸附处理,得到氢气以及吸附氯硅烷和氯化氢的吸附剂,并将氢气的一部分供给至还原炉;(6)采用步骤(5)中氢气的另一部分对吸附氯硅烷和氯化氢的吸附剂进行脱附处理,得到含有氯硅烷和氯化氢的混合物;以及(7)将混合物与四氯化硅进行氢化反应。该方法可以显著降低能耗和设备投资成本。

    三氯氢硅的提纯装置
    84.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104058411A

    公开(公告)日:2014-09-24

    申请号:CN201410332033.6

    申请日:2014-07-11

    Abstract: 本发明公开了一种三氯氢硅的提纯装置。上述三氯氢硅的提纯装置包括提纯塔组,其中,提纯塔组包括脱重塔组和脱轻塔组,脱重塔组包括至少两个脱重塔,脱轻塔组包括至少一个脱轻塔;按照物料流动顺序,脱重塔组设置在脱轻塔组的上游。上述提纯装置中,将所有的脱重塔均设置在脱轻塔之前,可以使三氯氢硅粗液在进行脱重工序之后再进行脱轻工序。这种前段连续脱重、后段连续脱轻的设置有利于将三氯氢硅粗液中的硅微粉杂质、高沸点氯化物及高沸点金属氯化物杂质在前段的脱重过程中被分离出来,从而将这些易造成塔组堵塞的杂质集中在前段的脱重塔(尤其是第一脱重塔)中,降低后续提纯塔和再沸器的堵塞几率。

    一种四氯化硅冷氢化制备三氯氢硅的方法

    公开(公告)号:CN102815709B

    公开(公告)日:2014-08-06

    申请号:CN201210285444.5

    申请日:2012-08-10

    Abstract: 本发明公开了一种四氯化硅冷氢化制备三氯氢硅的方法,包括如下步骤:a)将硅粉与催化剂进行混合,得到混合物料;b)在氢气气氛下对混合物料进行脱水;c)将氢气与四氯化硅进行混合,得到第一混合气体;d)将第一混合气体加热至450~550℃;e)使混合物料与第一混合气体在450~500℃的条件下进行反应,得到第二混合气体;f)将第二混合气体经过气体过滤装置进行收尘、过滤;g)将经过收尘、过滤的第二混合气体冷凝,得到氢气和氯硅烷;h)将氯硅烷进行分离提纯,得到三氯氢硅。根据本发明的制备方法,采用铜镍合金作为催化剂,反应之前不需要高温预活化,反应结束后可以直接排渣,不会对环境造成污染。

    无关联塔差压热耦合提纯氯硅烷的方法

    公开(公告)号:CN103950936A

    公开(公告)日:2014-07-30

    申请号:CN201410125902.8

    申请日:2014-03-31

    CPC classification number: Y02P20/129

    Abstract: 本发明公开了无关联塔差压热耦合提纯氯硅烷的方法,包括:(1)将第一氯硅烷进行第一精馏提纯得到第一塔顶蒸汽和第一塔底液;(2)将第一塔顶蒸汽进行第一冷凝处理,并将得到第一氯硅烷冷凝液返回至第一精馏塔内;(3)将第一塔底液进行第一再沸处理并将得到第一再沸蒸汽回至第一精馏塔内;(4)将第二氯硅烷进行第二精馏提纯得到第二塔顶蒸汽和第二塔底液;(5)将第二塔顶蒸汽用于第一再沸处理并将得到第二氯硅烷冷凝液返回至第二精馏塔;(6)将第二塔底液进行第二再沸处理并将得到第二再沸蒸汽返回至第二精馏塔。采用本发明的提纯氯硅烷的方法可以实现不同塔组之间的塔差压热耦合,扩大了差压热耦合的使用范围,解决了多晶硅系统中提纯工序高能耗的问题。

    多晶硅生产过程中物料循环利用的方法和系统

    公开(公告)号:CN103553048A

    公开(公告)日:2014-02-05

    申请号:CN201310553096.X

    申请日:2013-11-08

    Abstract: 本发明公开了多晶硅生产过程中物料循环利用的方法和系统,该方法包括:(1)使三氯氢硅和氢气进行还原反应,得到多晶硅和还原尾气;(2)对还原尾气进行除尘处理,获得经过除尘的还原尾气;(3)对经过除尘的还原尾气进行压缩冷却处理,从还原尾气分离第一氯硅烷和压缩后气;(4)对第一氯硅烷进行精馏提纯处理,获得残液以及三氯氢硅、二氯二氢硅和四氯化硅;(5)将(4)中获得的三氯氢硅返回至(1)进行还原反应,并且将四氯化硅的一部分与硅粉和氢气发生氢化反应,获得第二氯硅烷;(6)使四氯化硅的一部分与二氯二氢硅发生反歧化反应,获得第三氯硅烷;(7)将第二氯硅烷和第三氯硅烷返回至(4)进行精馏提纯处理。

    处理多晶硅还原尾气的方法和系统

    公开(公告)号:CN103551007A

    公开(公告)日:2014-02-05

    申请号:CN201310552923.3

    申请日:2013-11-08

    Abstract: 本发明公开了一种处理多晶硅还原尾气的方法和系统,该方法包括:(1)利用淋洗设备对多晶硅还原尾气进行淋洗,以便获得经过淋洗的还原尾气和氯硅烷;(2)将经过淋洗的还原尾气进行压缩冷却处理,以便获得氯硅烷和压缩后气;(3)将压缩后气与吸附剂接触,以便从压缩后气中分离氢气和吸附氯化氢和氯硅烷的吸附剂;(4)将吸附氯化氢和氯硅烷的吸附剂进行脱吸处理,以便获得脱附再生气,其中,脱附再生气包含氯化氢和氯硅烷。根据本发明实施例的处理多晶硅还原尾气的方法流程简单、操作稳定、能耗低,进而能够显著降低投资和运行成本。

    处理多晶硅还原尾气的方法和系统

    公开(公告)号:CN103539069A

    公开(公告)日:2014-01-29

    申请号:CN201310553735.2

    申请日:2013-11-08

    Abstract: 本发明公开了一种处理多晶硅还原尾气的方法和系统,该方法包括:将多晶硅还原尾气进行除尘处理,以便得到经过除尘的还原尾气;将经过除尘的还原尾气进行冷凝处理,以便得到第一氯硅烷和经过冷凝处理的还原尾气;将经过冷凝处理的还原尾气进行第一加压冷却处理,以便得到第二氯硅烷和经过第一加压冷却处理的还原尾气;将经过第一加压冷却处理的还原尾气进行吸附处理和脱吸处理,以便得到氢气和包含氯硅烷和氯化氢的混合气体;将包含氯硅烷和氯化氢的混合气体进行第二加压冷却处理,以便得到第三氯硅烷和包含氯化氢的不凝气。

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