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公开(公告)号：CN108807158B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201710290190.9
申请日：2017-04-26
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/8234 , H01L27/088
摘要： 一种半导体结构及其形成方法，方法包括：基底，基底包括第一区和第二区；在基底上形成介质层，第一区介质层内具有第一开口，第二区介质层内具有第二开口，第二开口深宽比大于第一开口深宽比；采用多次原子层沉积步骤在第一开口和第二开口内形成功函数层，原子层沉积步骤包括：在第一开口和第二开口内形成第一前驱体膜；采用第一通气工艺通入第二前驱体，部分第二前驱体与第一前驱体膜反应，第一通气工艺具有第一通气时间；采用第一抽气工艺去除未反应的第二前驱体，第一抽气工艺具有第一抽气时间；多次原子层沉积步骤中，多次第一通气工艺的第一通气时间依次降低；多次第一抽气工艺的第一抽气时间依次增加。所形成晶体管的阈值电压符合设计要求。
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公开(公告)号：CN106653675B
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201510543291.3
申请日：2015-08-28
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/3105 , H01L21/311
摘要： 一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有浅沟槽；在半导体衬底表面及所述浅沟槽内形成第一绝缘层，位于浅沟槽内的第一绝缘层中具有开口；刻蚀第一绝缘层以增大开口的宽度；对刻蚀后的第一绝缘层的表面进行等离子体处理；清洗等离子体处理后的所述第一绝缘层的表面；清洗所述第一绝缘层的表面后，向浅沟槽内填充满第二绝缘层。所述浅沟槽隔离结构的形成方法提高了浅沟槽隔离结构的性能。
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公开(公告)号：CN110854102A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201810950311.2
申请日：2018-08-20
发明人： 邓浩
IPC分类号： H01L23/538 , H01L21/768
摘要： 本发明提供了一种金属互连线及其形成方法。金属互连线的金属扩散阻挡层包括掺锰的钌薄膜层，由于锰离子趋于向膜层的空隙或晶界扩散，从而可有效减少金属扩散阻挡层中空隙和晶界的数量，相应的阻断了金属层中金属离子的扩散通道，有利于提高金属扩散阻挡层对金属离子的阻挡性能。
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公开(公告)号：CN106158729B
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201510163917.8
申请日：2015-04-08
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人： 邓浩
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/532
摘要： 一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在衬底表面形成阻挡层，所述阻挡层具有与衬底相接处的第一表面以及与第一表面相对的第二表面，所述阻挡层第一表面的材料与第二表面的材料不同；在所述阻挡层的第二表面形成初始层，所述阻挡层第二表面的材料与所述初始层的材料相同；在所述初始层表面形成介质层。所形成的半导体结构的性能改善。
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公开(公告)号：CN106910710B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201510976482.9
申请日：2015-12-23
发明人： 邓浩
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/532
摘要： 本发明提供一种介电层及互连结构的制作方法、半导体器件，包括：提供基底，在所述基底上依次沉积形成初始层、过渡层和第一主体超低k介电层；在所述第一主体超低k介电层上沉积形成终止层，包括步骤：采用有机硅烷和氧化剂作为前驱体，通过等离子体化学气相沉积工艺进行所述中间终止层的沉积，且在沉积过程中将有机硅烷的流量逐渐减小到零，当有机硅烷的流量减小到零后，继续通入预定时间的所述氧化剂，以进行等离子体处理；在所述中间终止层上沉积形成第二主体超低k介电层。根据本发明的制作方法，形成的介电层具有非常低的介电常数为超低k介电层，其使得超低k介电层和扩散阻挡层之间的界面具有良好的粗糙度，且容易控制沟槽的刻蚀深度。
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公开(公告)号：CN109872949A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201711269210.0
申请日：2017-12-05
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/06 , H01L29/423
摘要： 本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上预定形成栅极结构的区域形成扩散阻挡层，其中，所述扩散阻挡层中包括金属和非金属元素；使用含所述非金属元素的等离子体处理所述扩散阻挡层，以降低所述扩散阻挡层中的所述金属与所述非金属元素的含量比值。本发明的方法能够改善器件阈值电压在半导体衬底上的分布均匀性，改善局部阈值电压失配问题，以最终提高器件的性能和良率。
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公开(公告)号：CN109786448A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201711107856.9
申请日：2017-11-10
IPC分类号： H01L29/49 , H01L21/28 , H01L21/8238
摘要： 本发明提供一种金属栅极、半导体器件及其制造方法，所述金属栅极包括功函数层，所述功函数层的上表面和/或下表面上形成有掺杂硅和/或锗的功函数保护层，硅和/或锗的掺入能够形成非晶结构，能够将原本纯的基材中沿垂直方向生长的柱状晶结构细化，并演变为等轴晶或者无明显晶粒边界的结构，致密性显著提高，在用于PMOS晶体管时可以阻挡外界的铝原子等向所述功函数层中扩散，在用于NMOS晶体管时可以阻挡所述功函数层中的铝原子等向外界扩散，从而能够改善铝等扩散对金属栅极的功函数的影响，提高器件的可靠性和电学性能。
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公开(公告)号：CN109309044A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201710630144.9
申请日：2017-07-28
发明人： 邓浩
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/532
摘要： 一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底；在基底上形成第一刻蚀停止层，包括氮化铝层、以及位于氮化铝层上的氧化铝层；在第一刻蚀停止层上形成第二刻蚀停止层，包括碳氧化硅层、以及位于碳氧化硅层上的碳氮化硅层。由于氧化铝层与碳氧化硅层之间的粘附性较好，与直接在氮化铝层上形成碳氮化硅层的方案相比，可以减小第一刻蚀停止层和第二刻蚀停止层交界面处材料之间的差异性，从而提高第一刻蚀停止层和第二刻蚀停止层之间的粘附性，进而防止第一刻蚀停止层和第二刻蚀停止层出现分层甚至分离的问题。
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公开(公告)号：CN109309043A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201710622926.8
申请日：2017-07-27
发明人： 邓浩
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/538
摘要： 一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底上具有介质层，所述介质层内具有开口；在所述开口内形成互连线，所述互连线暴露出介质层的顶部表面；在所述介质层上形成钝化层，所述钝化层的密度较介质层的密度大；在所述钝化层和互连线上形成阻挡结构。所述方法形成的半导体器件的性能较好。
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公开(公告)号：CN105336661B
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201410234152.8
申请日：2014-05-29
发明人： 邓浩
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底表面沉积介质层，沉积介质层的工艺的反应气体包括硅源气体和氧源气体，沉积介质层的工艺时长分为连续的第一时长、第二时长以及第三时长，且在沉积介质层的工艺过程中提供射频功率，其中，第一时长内射频功率为第一功率，第二时长内射频功率由第一功率递增至第二功率，第三时长内射频功率为第二功率，所述第一功率小于第二功率。本发明提高形成的介质层表面的平坦度，降低产生凸起缺陷的概率，从而提高半导体结构的电学性能。
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