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公开(公告)号：CN103173740B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201310057759.9
申请日：2013-02-25
申请人： 上海大学
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/458
摘要： 本发明公开了一种MOCVD尾气驱动旋转系统，叶片式气动马达驱动石墨大盘同轴转动，马达的气室的进气口和出气口与气动系统管路连通；气动系统管路主要由尾气主管、尾气分流管和尾气辅助分流管组成，气动系统管路主要由尾气主管、尾气分流管和尾气辅助分流管，尾气主管与反应腔的尾气出口连通和马达气室连通，尾气分流管与尾气主管和出气口连通，尾气辅助分流管与马达气室和出气口连通，通过调整气动系统管路阀门开度，控制进入马达的反应腔内部的MOCVD反应尾气流量，通过辅助分流阀门的开度，实现无极调节马达的输出功率和转速，还可通过操纵控制气动系统管路的控制阀实现气马达输出轴的正转和反转，并可瞬时换向，驱动效率高，安全可靠。
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公开(公告)号：CN104576885A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410806017.6
申请日：2014-12-18
申请人： 上海大学
CPC分类号： H01L33/48 , H01L33/62 , H01L33/642
摘要： 本发明的倒装LED封装构件，包括：基板、倒装LED芯片、导电层以及硅胶层；在所述基板上开设第一电极槽和第二电极槽，所述第一电极槽和所述第二电极槽之间形成阻隔件；设置在所述第一电极槽和所述第二电极槽内的导电层；所述倒装LED芯片的两电极分别对应设置在所述第一电极槽和所述第二电极槽内；所述硅胶层设置在所述倒装LED芯片表面。采用本方案的倒装LED封装构件，巧妙的利用在基板上开设的第一电极槽和第二电极槽，倒装LED芯片能够精准、便捷的设置在基板上，同时通过导电层固定倒装LED芯片，倒装LED芯片与基板互联更为简单，最后通过硅胶层实现倒装LED芯片的封装。
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公开(公告)号：CN104498874A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410749907.8
申请日：2014-12-10
申请人： 上海大学
摘要： 本发明涉及一种低气氛敏感性掺杂非晶碳基薄膜及其制备方法。该薄膜主要由碳元素和缺电子掺杂元素经气相沉积得到，其中所述缺电子掺杂元素的原子数含量不超过10%。本发明在常见非晶碳基薄膜中掺入该类元素中的一种或两种及以上，或同时掺入其它常见的共掺杂元素，此时，缺电子掺杂元素和共掺杂元素的总含量不超过40%以增加缺电子掺杂元素的反应性和稳定性。缺电子元素的存在可在一定程度上吸引碳原子周围的电子，降低碳原子周围成键电子之间以及碳原子周围电子与环境成分和相接触材料表面间的相互作用，从而降低摩擦及其对环境气氛的敏感性，减少磨损。本发明的掺杂非晶碳基薄膜沉积于常见固体材料部件表面，主要用于部件的表面保护、润滑等领域。
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公开(公告)号：CN103996777A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410187487.9
申请日：2014-05-06
申请人： 上海大学
CPC分类号： H01L33/40 , H01L33/42 , H01L2933/0016
摘要： 本发明公开了一种自生长石墨烯电极发光二极管及其制备方法，依次由衬底层、第一半导体层、有源层、第二半导体层、金属插入层和石墨烯电极层结合形成，通过金属插入层作为CVD法制备石墨烯电极的催化剂，实现石墨烯的自生长，使金属插入层和石墨烯电极层的石墨烯材料形成石墨烯复合电极。本发明方法采用石墨烯薄膜与金属插入层形成复合电极，并置于依次由衬底、导体层、有源层和半导体层形成体系之上，组成完整的器件结构。本发明采用金属插入层作为催化剂，实现CVD法石墨烯电极的自生长，借助于金属插入层与半导体及石墨烯间的良好接触特性提高器件的界面特性，并通过金属插入层改善石墨烯与半导体间的电荷注入，优化器件的性能。
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公开(公告)号：CN103996618A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410193671.4
申请日：2014-05-09
申请人： 上海大学
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/283
CPC分类号： H01L24/83
摘要： 本发明公开了一种TFT电极引线制造方法，提出一种优化的电极引线制造方法，通过在传统TFT电极层材料之上，制作非晶化的ITO保护层，制作工艺简单，但可将干法刻蚀工艺对TFT金属电极层的刻蚀选择比达到无穷大，保护了金属电极免受干刻工艺制程影响，可大幅提高金属电极层的可靠性；同时干刻工艺制程无需频繁对干刻速率进行标定，可大量节省工艺实时监控成本。
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公开(公告)号：CN103553335A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310513410.1
申请日：2013-10-25
申请人： 上海大学
IPC分类号： C03C8/24
摘要： 本发明提供了一种玻璃料及制备方法、基于玻璃料的密封方法。该玻璃料，按照摩尔百分比包括以下组分：40-60B2O3、0-15ZnO、5-15Al2O3、10-20Co2O3、0-5BaO、5-10Li2O。所述玻璃料的制备方法，包括如下步骤：烧结氧化物粉末，并随熔融的氧化物粉末水淬得到玻璃珠；粉碎所述得到的玻璃珠形成玻璃颗粒形态的玻璃料；其中，所述氧化物粉末按照摩尔百分比包括以下组分：40-60B2O3、0-15ZnO、5-15Al2O3、10-20Co2O3、0-5BaO、5-10Li2O。采用本发明能得到密封强度高的气密式封装，并且不污染环境。
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公开(公告)号：CN103531726A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310513406.5
申请日：2013-10-25
申请人： 上海大学
CPC分类号： H01L51/56 , H01L2251/105
摘要： 一种激光键合方法，包括如下步骤：按照预设激光键合路径在上玻璃基板处设置玻璃料，所述激光键合路径的起始段与结束段相对设置；上玻璃基板与下玻璃基板对位准确；沿所述激光键合路径进行激光封装。采用上述方法，通过把玻璃料的起始段与结束段错位且相对设置，利用玻璃料熔融状态时的流动性，使得起始段与结束段贴合，由于起始段与结束段不是“点-点”闭合，而是“线-线”贴合，能够提高上下玻璃基板的密封性。
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公开(公告)号：CN103490013A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310464406.0
申请日：2013-09-30
申请人： 上海大学
CPC分类号： H01L51/524
摘要： 本发明公开了一种有机发光二极管封装方法，在对有机发光二极管加热键合完成之后对键合部位进行加热降温，即采用平滑降低加热温度的方式对键合部位进行降温，直至键合部位的温度降至常温。通过平滑降温的方式对键合部位进行降温，使加热键合后键合部位的温度逐步的降为常温，减小了键合部位所受的热应力，防止键合部位因温度骤降产生开裂等问题，提高了有机发光二极管器件产品的良品率。同时，本发明还公开了一种有机发光二极管封装系统。
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公开(公告)号：CN103486969A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310464698.8
申请日：2013-09-30
申请人： 上海大学
IPC分类号： G01B11/00
摘要： 本发明涉及一种机器视觉对准方法，主要包括如下步骤：固定第一相机和第二相机；确定坐标转换关系；选定至少一个第一特征点和至少两个第二特征点，并分别指定所述第一特征点和第二特征点的目标物理位置坐标；采集待对准对象的粗对准标记点的图像；计算第一特征点的当前物理位置坐标与第一特征点的目标物理位置坐标之间的坐标偏差；对待对准对象进行粗对准；采集待对准对象的精对准标记点的图像；根据精对准标记点的图像，计算第二特征点的当前物理位置坐标与第二特征点的目标物理位置坐标之间的坐标偏差；对待对准对象进行精对准。同时，还提供了一种机器视觉对准装置，上述机器视觉对准方法及装置成本较低，实时性较好。
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公开(公告)号：CN103474355A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310419727.9
申请日：2013-09-16
申请人： 上海大学
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/786 , H01L29/51
摘要： 本发明提出了一种薄膜晶体管的制造方法。该薄膜晶体管采用底栅结构，包括一个栅电极、三个绝缘层、IGZO有源层、SiO2保护层、源电极及漏极，其中底部为玻璃衬底，在衬底上部中心区域采用磁控溅射法沉积栅电极ITO，在栅极上覆盖三层绝缘层，中间为HfO2绝缘层，两边为Al2O3绝缘层，它们组成三明治结构，Al2O3和HfO2分别采用直流磁控溅射和溶胶凝胶法制备，在绝缘层上部依次为IGZO有源层和SiO2保护层，源极和漏极的两端分别位于保护层和有源层上。
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