公开(公告)号：CN109638133A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201811532311.7

申请日：2018-12-14

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 黄瑄 ,  李俊贤 ,  刘英策 ,  魏振东 ,  邬新根 ,  周弘毅

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/62 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/387 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/382 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0066

Abstract: 本发明公开了一半导体芯片及其制造方法，其中所述半导体芯片包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一透明导电层、一绝缘层以及一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极的一列N型电极连接针中的至少一个所述N型电极连接针的截面尺寸与其他的所述N型电极连接针的截面尺寸不同，所述P型电极的一列P型电极连接针中的至少一个所述P型电极连接针的截面尺寸与其他的所述P型电极连接针的截面尺寸不同，通过这样的方式，自所述N型电极和所述P型电极注入的电流能够均匀地分布于所述半导体芯片，从而改善电流扩展死角的问题，以提高所述半导体芯片的发光效率。

公开(公告)号：CN109585624A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201811461246.3

申请日：2018-12-02

Applicant: 仪征市峰皓设备安装工程有限公司

Inventor： 陆远林

IPC: H01L33/42 ,  H01L33/40 ,  H01L33/00 ,  B82Y30/00

CPC classification number: H01L33/42 ,  B82Y30/00 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/405 ,  H01L2933/0016

Abstract: 本发明公开了一种LED芯片，LED芯片从下向上依次包括：衬底；N型半导体层；发光层；P型半导体层；透明导电层；纳米金属层，所述纳米金属层包括若干纳米金属颗粒；P电极及N电极。本发明在氧气氛中制备透明导电层，氧组分的增加可以减少透明导电层的缺陷，提高了透明导电层的透光率；同时，能够有效增加透明导电层与P型半导体层的接触电阻。纳米银层层能够有效降低透明导电层的体电阻；同时，纳米银层与透明导电层相结合，能够提高透明导电层的电流横向扩展能力，纳米银颗粒能够有效反射荧光粉回射的光，从而提高LED芯片的亮度。

公开(公告)号：CN109417111A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201780038448.4

申请日：2017-06-20

Applicant: LG伊诺特有限公司

Inventor： 朴修益 ,  成演准 ,  金珉成 ,  李容京 ,  李恩得

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/36 ,  H01L33/22 ,  H01L33/62 ,  H01L33/10 ,  H01L33/00 ,  H01L33/38 ,  H01L33/20

CPC classification number: H01L33/382 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/385 ,  H01L33/387 ,  H01L33/405 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2924/00014

Abstract: 实施例公开了一种半导体器件，包括：发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和设置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层，以及穿过第二导电半导体层和有源层并设置为延伸到第一导电半导体层的一部分的多个凹槽；设置在多个凹槽内并与第一导电半导体层电连接的多个第一电极；以及与第二导电半导体层电连接的第二电极，其中，多个第一电极和第一导电半导体层接触的第一面积与第二电极和第二导电半导体层接触的第二面积的比例(第一面积：第二面积)范围是从1：3至1:10。

公开(公告)号：CN109065688A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201810712054.9

申请日：2018-06-29

Applicant: 苏州新纳晶光电有限公司

Inventor： 杨晓隆 ,  刘撰 ,  王怀兵 ,  王辉

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/14 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/387 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/145 ,  H01L2933/0016

Abstract: 本发明公开了一种高光效LED芯片，包括衬底层及外延层；外延层上制作有第一电极、第二电极及间断式台阶；间断式台阶表面制作有与第一电极连接的复合电极；外延片的边缘部位制作有一圈与第一电极材质相同并同步制作且相连接的侧壁扩展层。还提供了一种上述高光效LED芯片的制备方法，包括如下步骤：S1.提供一衬底层，并在衬底层上进行CBL电流阻挡层制作；S2.进行间断式台阶及透明导电层制作；S3.进行PAV钝化层制作；S4.进行第一电极、复合电极和侧壁扩展层制作；S5.最后完成第二电极制作。该发明可提高芯片亮度2％左右，提高光取出效率1％左右，降低芯片电压3％左右，芯片的发光效率可提高6％。

公开(公告)号：CN108987546A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201810781829.8

申请日：2014-09-24

Applicant: 首尔伟傲世有限公司

Inventor： 蔡钟炫 ,  卢元英 ,  李俊燮 ,  姜珉佑 ,  张锺敏 ,  金贤儿 ,  裴善敏 ,  徐大雄

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L33/46 ,  H01L33/08 ,  H01L33/36 ,  H01L33/44 ,  H01L33/50 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/11 ,  H01L2933/0016

Abstract: 在此公开了一种发光二极管、一种发光二极管模块和一种制造发光二极管的方法。所述发光二极管包括：第一导电型半导体层；台阶，设置在第一导电型半导体层上，并且包括活性层和第二导电型半导体层；第一欧姆接触结构，与第一导电型半导体层接触；第二欧姆接触结构，与在台阶上的第二导电型半导体层接触；下绝缘层，覆盖台阶和第一导电型半导体层，并且具有暴露第一欧姆接触结构的第一开口部分和暴露第二欧姆接触结构的第二开口部分；以及电流分布层，连接到通过下绝缘层的第一开口部分而暴露的第一欧姆接触结构，并且具有暴露第二开口部分的第三开口部分。

公开(公告)号：CN108807607A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201710287023.9

申请日：2017-04-27

Applicant: 合肥彩虹蓝光科技有限公司

Inventor： 吴永军 ,  刘亚柱 ,  唐军 ,  吕振兴

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/005 ,  H01L2933/0008 ,  H01L2933/0016

Abstract: 本发明提供一种高光效高压LED芯片的制造方法包括步骤：S1、在外延片生成CBL，按照第一指定图形对所述CBL进行光刻，形成基片；S2、在所述基片上生长ITO并进行Mesa光刻，腐蚀所述ITO后进行Mesa刻蚀，形成形状为第二指定图形的ITO；S3、对所述高压LED芯片进行光刻并在刻蚀出第三指定图形；S4、在所述基片上生长绝缘层，通过光刻或刻蚀去除多余的所述绝缘层；S5、在所述基片上光刻出金属电极图形，按照所述金属电极图形蒸镀PN电极金属；S6、在所述基片上生长钝化层，光刻并去除所述PN电极金属上的所述钝化层，形成所述高压LED芯片。在保证高光效高压LED芯片品质的前提下，大大简化光刻次数，缩短制程周期，降低成本，同时一定程度提升发光面积。

公开(公告)号：CN104465942B

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201410495832.5

申请日：2014-09-24

Applicant: 首尔伟傲世有限公司

Inventor： 蔡钟炫 ,  卢元英 ,  李俊燮 ,  姜珉佑 ,  张锺敏 ,  金贤儿 ,  裴善敏 ,  徐大雄

IPC: H01L33/48 ,  H01L27/15 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/46 ,  H01L33/08 ,  H01L33/36 ,  H01L33/44 ,  H01L33/50 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/11 ,  H01L2933/0016

Abstract: 在此公开了一种发光二极管、一种发光二极管模块和一种制造发光二极管的方法。所述发光二极管包括：第一导电型半导体层；台阶，设置在第一导电型半导体层上，并且包括活性层和第二导电型半导体层；第一欧姆接触结构，与第一导电型半导体层接触；第二欧姆接触结构，与在台阶上的第二导电型半导体层接触；下绝缘层，覆盖台阶和第一导电型半导体层，并且具有暴露第一欧姆接触结构的第一开口部分和暴露第二欧姆接触结构的第二开口部分；以及电流分布层，连接到通过下绝缘层的第一开口部分而暴露的第一欧姆接触结构，并且具有暴露第二开口部分的第三开口部分。

公开(公告)号：CN108352397A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680059403.0

申请日：2016-10-05

Applicant: ASM ,  IP ,  控股有限公司

Inventor： T.E.布隆贝格 ,  H.霍特里

IPC: H01L27/15 ,  H01L31/0256

CPC classification number: H01L31/02322 ,  C23C14/06 ,  C23C14/0694 ,  C23C16/22 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45525 ,  H01L31/032 ,  H01L31/062 ,  H01L31/072 ,  H01L31/18 ,  H01L33/005 ,  H01L33/58 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0025 ,  Y02E10/50

Abstract: 本文公开用于在反应空间中的衬底上沉积包括介电性过渡金属化合物相和导电或半导体过渡金属化合物相的薄膜的沉积方法。沉积方法可包含多个超循环。每一超循环可包含介电性过渡金属化合物子循环和还原子循环。所述介电性过渡金属化合物子循环可包含使所述衬底与介电性过渡金属化合物接触。所述还原子循环可包含使所述衬底与还原剂和氮反应物交替并依次接触。所述薄膜可包括包埋于导电或半导体过渡金属化合物相中的介电性过渡金属化合物相。

公开(公告)号：CN105742451B

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201610223747.2

申请日：2016-04-12

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 张正杰 ,  吴宗典 ,  杨文玮 ,  林宗毅

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/36 ,  H01L33/44 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L33/38 ,  H01L33/385 ,  H01L33/44 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0025 ,  H01L2933/0066

Abstract: 发光装置包括基板、发光晶片、第一电极及第二电极。发光晶片包括第一半导体层及第二半导体层。第一半导体层设置于基板上。第二半导体层堆叠于第一半导体层上，且与第一半导体层之间形成一发光接面。第一电极电性连接于第一半导体层，且与第二半导体层电性绝缘。第二电极电性连接于第二半导体层，且与第一电极电性绝缘。发光装置另可包括透光层，此透光层设置于基板上且围绕并接触发光晶片的侧面。透光层的折射率可介于发光晶片的折射率及真空的折射率之间。第一电极可贯穿第二半导体层以电性连接于第一半导体层。

公开(公告)号：CN104425670B

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201410438102.1

申请日：2014-08-29

Applicant: 首尔伟傲世有限公司

Inventor： 朴柱勇 ,  柳宗均 ,  金彰渊

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L33/32 ,  H01L33/387 ,  H01L2933/0016

Abstract: 本发明公开了一种发光二极管及其制造方法。所述发光二极管包括：氮化镓系的化合物半导体层；第一金属层，由包含Mg的岛状物形成，并欧姆接触于所述化合物半导体层；第二金属层，由Ni形成，覆盖所述第一金属层，并在第一金属层的岛状物之间接触到化合物半导体层；反射金属层，覆盖第二金属层。可利用第一金属层及第二金属层来获得稳定的欧姆接触特性及反射特性。