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公开(公告)号：CN103925933B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310011438.5
申请日：2013-01-11
申请人： 江苏多维科技有限公司
CPC分类号： G01D5/2497 , G01D5/145 , G01D5/147
摘要： 本发明提供一种多圈绝对磁编码器，包括第一至第M+1计数单元，单圈信号处理单元和多圈信号处理单元。每一计数单元包括其上固定有永磁体的码盘，和隧道磁阻角位移传感器，隧道磁阻角位移传感器位于所述永磁体的检测面内距离永磁体柱状圆环轴心特定半径范围的区域内，使得永磁体产生的磁场在检测面内的分量的旋转磁场相位角与永磁体旋转相位角呈线性变化关系。单圈信号处理单元基于所述第一计数单元的感测信号计算并输出表征输入转轴在一转内绝对位置的代码，多圈信号处理单元基于来自所述第二至第M+1计数单元的感测信号计算并输出所述输入转轴的旋转圈数。
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公开(公告)号：CN103920207B
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201410146550.4
申请日：2014-04-14
申请人： 江苏多维科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种微型导螺杆泵，其使用磁电阻传感器和MCU监测导螺杆的转动，并通过电机控制器控制反馈控制导螺杆的转向和速度，从而控制向病人的输液速度。此外本发明中的微型导螺杆泵可以根据CGM监测的病人的血糖的浓度控制胰岛素的输液速度。本发明的微型导螺杆泵具有高灵敏度，高可靠性，低功耗，低成本和方便使用的特点。
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公开(公告)号：CN103942872B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410156470.7
申请日：2014-04-18
申请人： 江苏多维科技有限公司
CPC分类号： G01R33/091 , G01R33/00 , G01R33/0052 , G07D7/04 , H01L43/08 , H01L43/12
摘要： 本发明公开了一种低飞移高度面内磁性图像识别传感器芯片，该传感器芯片包括表面开有深坑的Si衬底、磁电阻传感器、绝缘层，所述磁电阻传感器位于所述Si衬底的深坑底表面上，所述绝缘层位于所述磁电阻传感器之上，工作时磁性图像检测面与Si衬底表面共面或平行，所述磁电阻传感器的输入输出端直接与引线实现引线键合连接，或者通过焊盘，还可以通过导电柱和焊盘与引线实现引线键合连接，且所述引线飞移高度低于所述Si衬底表面的高度。本发明具有结构紧凑、不需封装、可以直接和磁性图像接触、输出信号强的优点。
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公开(公告)号：CN103267955B
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201310203311.3
申请日：2013-05-28
申请人： 江苏多维科技有限公司
发明人： 詹姆斯·G·迪克
IPC分类号： G01R33/09
CPC分类号： G01R33/09 , G01R17/105
摘要： 本发明涉及一种单芯片桥式磁场传感器，该传感器包括基片、参考臂、感应臂、屏蔽结构，焊盘。其中参考臂、感应臂各自包含有至少两行/列由一个或多个相同磁电阻传感元件电连接构成的参考元件串、感应元件串；参考元件串与感应元件串相互交错排放，磁电阻传感元件为选自AMR、GMR或者TMR传感元件中的一种，参考元件串上对应设置有一屏蔽结构，感应元件串位于两个屏蔽结构之间的间隙处，屏蔽结构为由坡莫合金这种软磁材料制成的长条形阵列。此传感器可在准桥、半桥、全桥这三种电桥结构上得到实现。本发明公开的单芯片桥式磁场传感器具有以下优点：体积小、成本低、偏移量小、灵敏度高、线性度好、温度稳定性好。
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公开(公告)号：CN103630855B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310718969.8
申请日：2013-12-24
申请人： 江苏多维科技有限公司
IPC分类号： G01R33/09
CPC分类号： G01R33/091 , G01R33/0011 , G01R33/09 , G01R33/096
摘要： 本发明公开了一种高灵敏度推挽桥式磁传感器，该传感器包括两个基片、磁电阻传感元件、推臂通量集中器以及挽臂通量集中器。同一基片上磁电阻传感元件的钉扎层的磁化方向相同，但与相邻基片上的磁电阻传感元件的钉扎层的磁化方向相反，其中一个基片上的磁电阻传感元件相互电连接构成电桥的推臂，另一个基片上的磁电阻传感元件相互电连接构成电桥的挽臂。推、挽臂上磁电阻传感元件分别成列排布于相邻两个推臂通量集中器和相邻两个挽臂通量集中器之间的间隙处。此传感器可在准桥、半桥、全桥这三种电桥结构上得到实现。该传感器具有以下优点：偏移小、灵敏度高、线性度好、噪声小等。
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公开(公告)号：CN102968845B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201210424954.6
申请日：2012-10-31
申请人： 江苏多维科技有限公司
IPC分类号： G07D7/04
CPC分类号： G07D7/04 , G01N27/90 , G01R15/20 , G01R33/0283 , G01R33/09 , G01R33/091 , G01R33/38 , G11C19/085
摘要： 发明涉及一种被磁偏置的敏感方向平行于检测面的验钞磁头。该验钞磁头包括磁阻传感器芯片，和在所述磁阻传感器芯片远离验钞磁头检测面一侧与所述磁阻传感器芯片分开放置的磁偏置单元。该磁阻传感器芯片包括桥臂具有磁敏元件的桥式电路，该磁敏元件的敏感方向平行于所述验钞磁头的检测面，并且所述磁偏置单元具有凹陷结构，该凹陷结构被设置为使得所述磁偏置单元产生的磁场在平行于检测面方向的分量小到使得所述磁敏元件工作在线性区。本发明的验钞磁头具有更高的灵敏度和信噪比。
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公开(公告)号：CN104677266A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201510027890.X
申请日：2015-01-20
申请人： 江苏多维科技有限公司
发明人： 詹姆斯·G·迪克
IPC分类号： G01B7/30
CPC分类号： G01D18/00 , G01B7/30 , G01D5/16 , G01D5/165 , G01D18/004
摘要： 强磁场误差校准的磁电阻角度传感器及其校准方法。本发明提出一种双轴磁电阻角度传感器，包括两个检测沿相互垂直的X-轴和Y-轴方向外加磁场的单轴磁电阻角度传感器，实时计算单轴磁电阻角度传感器的沿X-轴和Y-轴的电压输出的矢量幅度的元件，计算已知的校准矢量幅度和测量的矢量幅度的差别的元件，将差别用相除以计算信号误差的元件，分别将所述信号误差加入到所述X-轴输出和Y-轴输出或从其中减去以计算校准的X-轴和Y-轴的输出信号的元件，计算校准的Y-轴输出信号除以校准的X-轴的输出信号所得的商的反正切以计算所述外加磁场的旋转角度的元件。本发明还提供了一种磁场误差校准方法，将该方法应用在双轴磁电阻角度传感器中，降低了测量误差、扩大了磁场应用范围并提高了其在高磁场中的测量精度。
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公开(公告)号：CN104111099A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201310135907.4
申请日：2013-04-18
申请人： 江苏多维科技有限公司
CPC分类号： G01F15/066 , G01D5/14 , G01D5/145 , G01F15/0755
摘要： 本发明公开了一种能实现精确计量的电子水表，该电子水表包括机架、多个计数单元以及多个屏蔽板，各计数单元包括数字字轮、永磁体、磁性角位移传感器和数字电路。磁性角位移传感器与数字电路相电连接，并根据该计数单元的磁场矢量的角位置变化，感测磁场在其位置处的分量，且向数字电路输出相应的电信号，数字电路根据所述磁性角位移传感器输出的电信号进行计算处理，输出与所述数字字轮的角位置相对应的数字信号。屏蔽板位于各计数单元的两侧，其用于将多个计数单元之间以及多个计数单元与外界进行隔离。本发明提供的电子水表，具有以下优点：尺寸小、容易安装、计量精度高、抗干扰能力强。
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公开(公告)号：CN103954920A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410155003.2
申请日：2014-04-17
申请人： 江苏多维科技有限公司
发明人： 詹姆斯·G·迪克
CPC分类号： G01R33/0206 , G01R33/0011 , G01R33/0052 , G01R33/04 , G01R33/09 , H01L28/20
摘要： 本发明公开了一种单芯片三轴线性磁传感器及其制备方法，其中传感器包括一X轴传感器、Y轴传感器和Z轴传感器。其中X轴传感器包含有一参考电桥和至少两个X-磁通量控制器，Y轴传感器包含有一推挽电桥和至少两个Y-磁通量控制器，Z轴传感器包含有一推挽电桥和至少一个Z-磁通量控制器。参考电桥、推挽电桥的桥臂均由一个或多个磁电阻传感元件电连接构成，磁电阻传感元件的敏感轴方向和钉扎层的磁化方向均沿X轴方向。本发明公开的制备方法，即先在晶片上沉积一层磁电阻薄膜，然后通过使用磁退火、光刻、刻蚀、镀膜等技术便得到最终的传感器。该单芯片三轴线性磁传感器具有成本低、制作简单、线性度好、灵敏度高等优点。
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公开(公告)号：CN103645449A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310719255.9
申请日：2013-12-24
申请人： 江苏多维科技有限公司
发明人： 詹姆斯·G·迪克
IPC分类号： G01R33/09
CPC分类号： G01R33/09
摘要： 本发明公开了一种用于高强度磁场的单芯片参考桥式磁传感器，该传感器包括基片、参考臂、感应臂、屏蔽结构以及衰减器。其中参考臂、感应臂各自包含有至少两行/列由一个或多个相同磁电阻传感元件电连接构成的参考元件串、感应元件串；参考元件串与感应元件串相互交错排放，每个参考元件串上对应设置有一屏蔽结构，每个感应元件串上对应设置有一衰减器，磁电阻传感元件为选自AMR、GMR或者TMR传感元件中的一种，屏蔽结构和衰减器均为由坡莫合金这种铁磁材料制成的长矩形条阵列。此传感器可在准桥、参考半桥、参考全桥这三种电桥结构上得到实现。该传感器具有以下优点：功耗低、线性度好、工作范围宽以及能在高强度磁场中工作等。
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