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公开(公告)号:CN107907831A
公开(公告)日:2018-04-13
申请号:CN201711405496.0
申请日:2017-12-22
申请人: 深圳和而泰数据资源与云技术有限公司
发明人: 冯磊
IPC分类号: G01R31/34 , G01R15/18 , G01R15/20 , G01R17/10 , G01R27/16 , G01R1/36 , G01K7/16 , G05B19/042
CPC分类号: G01R31/343 , G01K7/16 , G01R1/36 , G01R15/18 , G01R15/20 , G01R17/105 , G01R27/16 , G05B19/042 , G05B2219/25257
摘要: 本发明实施例提供一种绕组温度检测电路、温度检测控制系统及温度检测仪。该绕组温度检测电路包括:隔离电路以及检测电路;隔离电路的输入端与待检测绕组连接,输出端与检测电路连接,隔离电路的输入端与输出端连接,用于阻止加载在待检测绕组上的交流电压输出至检测电路,并允许来自检测电路的直流电源通过隔离电路加载到待检测绕组上,将隔离电路和待检测绕组变换为相应的等效电阻;检测电路用于检测等效电阻的电阻值变化,并输出相应的电压信号。该电路隔离了交流电机在工作时加载至检测电路的交流强电,同时检测电路的直流电压可以通过隔离电路加载至交流电机绕组,从而实现了对交流电机的实时在线温升测试,准确度高。
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公开(公告)号:CN105408756A
公开(公告)日:2016-03-16
申请号:CN201480041604.9
申请日:2014-07-18
申请人: 森斯泰克有限公司
CPC分类号: G01R33/09 , G01C17/02 , G01R17/105 , G01R33/0011
摘要: 本发明涉及一种测定磁场的两个或三个分量的磁场传感器设备(10)。为此,所述设备(10)包括至少一个具有两个半桥(16)的惠斯通电桥(14),其中各半桥(16)包括至少两个电桥电阻(30),并且两个电桥电阻(30)的至少一个是相对于X/Y磁场传感器平面(20)的磁场分量(34)的磁场敏感电阻(18)。两磁场敏感电桥电阻(18)之间对称布置有产生磁场分量的铁磁通量集中元件(22),所述磁场分量相对于定向垂直于X/Y磁场传感器平面(20)的Z磁场分量(24)反对称并且处于X/Y磁场传感器平面(20)中。本发明还公开一种通过所述磁场传感器设备(10)测定外部磁场的二维或三维定向的方法。
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公开(公告)号:CN103308774A
公开(公告)日:2013-09-18
申请号:CN201310074886.X
申请日:2013-03-08
申请人: 帕拉贡股份公司
发明人: R·孟克莫勒
IPC分类号: G01R27/26
CPC分类号: G01D5/20 , G01D5/2013 , G01D5/24 , G01R17/105 , G01R27/2605 , G01R27/2611
摘要: 本发明涉及一种用于确定与两个电感或电容组件的电感或电容之比成正比的测量值的设备和方法,该设备包括在其中布置有第一电感或电容组件和第一测量电阻器的第一测量支路以及在其中布置有第二电感或电容组件和第二测量电阻器的第二测量支路。为了能够以尽可能小的努力得到成正比的测量值,建议提供控制元件,经由该控制元件可同时对两个测量支路施加电压跳变并且能够为电压跳变之后的时间预定义时间区间;以及提供采样电路,该采样电路可由控制元件在可预定义的时间区间已流逝之后触发并且经由该采样电路可采样两个测量电阻器之间的电压差并且在输出端处将该电压差作为与两个电感或电容组件的电感或电容之比成正比的测量值。
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公开(公告)号:CN100552400C
公开(公告)日:2009-10-21
申请号:CN200510073473.5
申请日:2005-05-30
申请人: 雅马哈发动机株式会社
发明人: 濑户贤治
IPC分类号: G01L3/10
CPC分类号: G01R17/105
摘要: 一种物理量检测设备,包括用于产生AC电压的AC电压产生器和桥接电路,该电路具有其上被施加所述AC电压的第一和第二输入点及被连接到差分放大器的第一和第二输出点。该桥接电路包括第一传感器元件,其阻抗随所要测量的物理量而改变,以及第二传感器元件,其阻抗也随所要测量的物理量而改变。所述第一和第二传感器元件具有正的温度特性,其中灵敏度随温度升高而增加。所述AC电压产生器包括振荡器和用于提供所述AC电压的限幅器,响应所述振荡器的输出信号,所述AC电压的幅度被限制在预定范围内。所述限幅器具有负的温度特性,其随温度的升高而降低所述AC电压的幅度,由此补偿所述第一和第二输出点之间所产生的差分电压的温度依赖性。
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公开(公告)号:CN108398142A
公开(公告)日:2018-08-14
申请号:CN201810111012.X
申请日:2018-02-05
申请人: 迈来芯电子科技有限公司
IPC分类号: G01D5/16
CPC分类号: G01R19/2506 , G01D5/145 , G01D5/24476 , G01R15/202 , G01R17/105 , G01R27/02 , G01R27/14 , G01R33/07 , G01D5/16 , G01D5/142
摘要: 一种偏置和读出具有两个激励节点(A、C)和两个读出节点(B、D)的无源电阻传感器结构(301)的方法,所述方法包括以下步骤:a)确定与第一电荷量(Q1)对应的第一电容器(C1)的第一状态(V1);b)偏置传感器结构使得偏置电流(I偏置)在第一时间间隔(T1)期间流过所述第一电容器(C1),c)确定(430)与第二电荷量(Q2)对应的第一电容器(C1)的第二状态(V2);d)在与第一时间间隔(T1)有关的第二时间间隔(T2)期间,对读出信号积分或求平均,由此获得被积分或被求平均的读出信号(Vi);e)基于被积分或被求平均的读出信号(ΔVi)和第一电容器(C1)的状态变化(ΔV)来确定(440)传感器读出信号(V出)。
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公开(公告)号:CN103323642B
公开(公告)日:2015-11-18
申请号:CN201310187252.5
申请日:2010-07-02
申请人: 弗卢克公司
发明人: R·W.·沃克
IPC分类号: G01R17/10
CPC分类号: G01R17/105 , G01R27/02
摘要: 本发明的一个或者多个实施例涉及一种用于执行内部自检查的电阻桥测量电路。所述电阻桥测量电路可以包括一个或者多个内部电阻器。在一个实施例中,可以配置所述电阻桥测量电路以测量所述电阻器中的一个两端的第一电压以及所述两个电阻器的组合两端的第二电压。可以将所测量的电压转换为电阻比值并且将所述电阻比值与预期值进行比较。在另一实施例中,可以配置所述电阻桥测量电路以测量所述两个电阻器的另一个两端的第三电压以及所述两个电阻器的组合两端的第四电压。可以将所测量的电压转换为相应的电阻比值,对该相应的电阻比值求和并且将求和所得的值与预期值进行比较。
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公开(公告)号:CN104283565A
公开(公告)日:2015-01-14
申请号:CN201410445345.8
申请日:2014-06-24
申请人: 硅实验室股份有限公司
IPC分类号: H03M1/52
CPC分类号: H03M3/362 , G01D5/24 , G01N27/26 , G01R17/105 , G01R27/2605 , H03M3/464 , H03M3/476 , H03M3/496 , Y10T307/729
摘要: 一种包括开关电容桥的电路和方法,该方法包括:在时钟周期的第一阶段期间,可选择地将电容桥的第一和第二输入节点分别耦合至第一和第二电压,以及可选择地将所述电容桥的第一和第二输出节点分别耦合至第一和第二输出端子。该方法还包括:在时钟周期的第二阶段期间,可选择地将所述第一和第二输入节点分别耦合至第二和第一电压,以及可选择地将所述第一和第二输出节点分别耦合至第二和第一输出端子。
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公开(公告)号:CN103323642A
公开(公告)日:2013-09-25
申请号:CN201310187252.5
申请日:2010-07-02
申请人: 弗卢克公司
发明人: R·W.·沃克
IPC分类号: G01R17/10
CPC分类号: G01R17/105 , G01R27/02
摘要: 本发明的一个或者多个实施例涉及一种用于执行内部自检查的电阻桥测量电路。所述电阻桥测量电路可以包括一个或者多个内部电阻器。在一个实施例中,可以配置所述电阻桥测量电路以测量所述电阻器中的一个两端的第一电压以及所述两个电阻器的组合两端的第二电压。可以将所测量的电压转换为电阻比值并且将所述电阻比值与预期值进行比较。在另一实施例中,可以配置所述电阻桥测量电路以测量所述两个电阻器的另一个两端的第三电压以及所述两个电阻器的组合两端的第四电压。可以将所测量的电压转换为相应的电阻比值,对该相应的电阻比值求和并且将求和所得的值与预期值进行比较。
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公开(公告)号:CN103267955A
公开(公告)日:2013-08-28
申请号:CN201310203311.3
申请日:2013-05-28
申请人: 江苏多维科技有限公司
发明人: 詹姆斯·G·迪克
IPC分类号: G01R33/09
CPC分类号: G01R33/09 , G01R17/105
摘要: 本发明涉及一种单芯片桥式磁场传感器,该传感器包括基片、参考臂、感应臂、屏蔽结构,焊盘。其中参考臂、感应臂各自包含有至少两行/列由一个或多个相同磁电阻传感元件电连接构成的参考元件串、感应元件串;参考元件串与感应元件串相互交错排放,磁电阻传感元件为选自AMR、GMR或者TMR传感元件中的一种,参考元件串上对应设置有一屏蔽结构,感应元件串位于两个屏蔽结构之间的间隙处,屏蔽结构为由坡莫合金这种软磁材料制成的长条形阵列。此传感器可在准桥、半桥、全桥这三种电桥结构上得到实现。本发明公开的单芯片桥式磁场传感器具有以下优点:体积小、成本低、偏移量小、灵敏度高、线性度好、温度稳定性好。
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公开(公告)号:CN103913639B
公开(公告)日:2018-05-18
申请号:CN201410005414.3
申请日:2014-01-06
申请人: 凌力尔特公司
发明人: 伯恩哈德·赫尔穆特·恩格尔
IPC分类号: G01R27/14
CPC分类号: G01R35/005 , G01R1/203 , G01R17/105 , G01R27/14 , G01R27/16
摘要: 本发明公开了用于测量阻性结构的电阻的方法和系统,所述阻性结构具有至少三个节点。通过测量没有校准电流注入到阻性结构的第一和第二节点之间的第三结点时电阻结构的一个输出端上的电压来确定第一校准信号。然后向第三节点注入校准电流,以及确定第二校准信号。确定第一校准信号和第二校准信号之间的差的绝对值,该绝对值与阻性结构的电阻值和校准电流的乘积成比例。
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