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公开(公告)号:CN112565080B
公开(公告)日:2022-01-25
申请号:CN202011394182.7
申请日:2020-12-02
申请人: 北京邮电大学 , 中国人民解放军63921部队
IPC分类号: H04L45/036 , H04L45/12 , H04L45/655
摘要: 本发明实施例提供一种开放式最短路径优先的邻居建立方法及装置,在预设时间内未接收到第二路由设备发送的hello报文时,将所述第二路由设备从第一路由设备的邻居列表中删除,更新链路状态通告LSA并泛洪至全网;接收所述第二路由设备通过确定的第一路径发送的第一消息;将所述第二路由设备添加到所述邻居列表并更新链路状态通告LSA并泛洪至全网,并向所述第二路由设备发送第二消息;上述方法在接收到第一消息时将单向连通的路由设备添加到邻居列表,可以在单向链路中实现OSPF,提高了网络资源的利用率。
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公开(公告)号:CN112468984A
公开(公告)日:2021-03-09
申请号:CN202011218455.2
申请日:2020-11-04
申请人: 国网上海市电力公司 , 北京中电飞华通信有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京邮电大学 , 国网陕西省电力公司 , 中国信息通信研究院 , 国家电网有限公司
发明人: 游兆阳 , 孙德栋 , 肖飞 , 欧清海 , 姚贤炯 , 张宁池 , 王艳茹 , 丰雷 , 李温静 , 陈毅龙 , 张洁 , 郭丹丹 , 杨志祥 , 陈志杰 , 贺军 , 王晨 , 杜加懂 , 王琦
摘要: 本说明书一个或多个实施例提供一种电力无线专网基站选址方法及相关设备,所述方法包括:设计奖励函数的计算表达式R[S,A];初始化相关参数,定义状态空间和动作空间;随机选取一个基站规划状态S;根据贪婪策略∈‑greedy选取基站规划动作A;执行所述基站规划动作A,并在下一时刻到达新状态S′;将基站规划状态转移样本[S,A,R,S′]存入所述基站规划经验回放池;计算基站规划目标Q值,并更新损失函数;每相隔C个时刻更新基站规划目标Q神经网络参数ω‑;根据最终输出的基站规划目标Q值得到最优电力无线专网基站选址结果。本方法通过DQN算法进行基站选址问题求解,在能够实现高维大规模选址问题的求解的同时收敛性能也得到进一步提升。
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公开(公告)号:CN111861511A
公开(公告)日:2020-10-30
申请号:CN202010713982.4
申请日:2020-07-22
申请人: 北京邮电大学 , 北京市农业局信息中心
摘要: 本发明提供了一种新型猪肉元数据采集方法,包括以下步骤:检验检疫合格的生猪在送往屠宰场时,工作人员在信息管理系统上创建生猪的基本信息,生猪都编有对应的防伪码;生猪在屠宰后被挂上内置RFID标签的猪肉挂钩,RFID存储生猪的防伪码;内置RFID的猪肉挂钩能够无缝流通于猪肉预冷、装车、运输等各个环节。RFID读取器可批量地读取挂钩存储的防伪码,自动将相关信息写入信息管理系统;猪肉进入农产品消费市场,工作人员将RFID存储防伪码制成二维码标签,二维码随猪肉一起销向市场,此时将RFID标签中的信息清空,猪肉挂钩随运输车辆回到屠宰地,实现挂钩的复用;消费者通过使用手机扫描对应的二维码,获取防伪码,在信息系统中可查询猪肉的溯源信息。
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公开(公告)号:CN109817788B
公开(公告)日:2020-09-25
申请号:CN201811556261.6
申请日:2018-12-19
申请人: 北京邮电大学
摘要: 本发明提供了一种管壁内嵌化学合成量子点的管状微腔及其制备方法。该管状微腔为内嵌化学合成量子点的无源介质薄膜通过释放应力自卷曲形成的中空管状结构;所述化学合成量子点完全被所述无源介质薄膜包裹。本发明将化学合成量子点嵌设在自卷曲微米管的管壁中,相对于外延生长量子点方式,化学合成量子点的尺寸和分布的可控性和均匀性良好,发光特性优异,制作成本很低且适合大规模制备;特别是,本发明相对于将化学合成量子点包覆在自卷曲微米管管壁表面方式,不仅大幅度提高了量子点发光与微腔谐振模式之间的耦合效率,还避免了化学合成量子点因受到外界气体或液体环境影响而导致微腔光学性能恶化甚至失效的情况。
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公开(公告)号:CN111669787A
公开(公告)日:2020-09-15
申请号:CN202010507193.5
申请日:2020-06-05
申请人: 国网上海市电力公司 , 北京中电飞华通信有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京邮电大学 , 国网陕西省电力公司 , 中国信息通信研究院 , 国家电网有限公司
摘要: 本说明书一个或多个实施例提供一种基于时延敏感网络切片的资源分配方法及装置,在网络切片的资源利用率较低或者较高时,对网络切片的资源进行调整,同时考虑传输时延的约束,得到最佳的物理节点和物理链路。本公开同时考虑传输时延和资源利用率对网络切片的资源的影响,保证在网络切片传输时延较低的情况下,提高网络切片的资源利用率。
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公开(公告)号:CN109867959B
公开(公告)日:2020-07-17
申请号:CN201811623376.2
申请日:2018-12-28
申请人: 北京邮电大学
摘要: 本发明提供了一种在弹性体薄膜表面形成褶皱的方法。该方法包括如下步骤:(1)在硬质基底表面形成纳米线网络,并以此作为模板;(2)在所述模板的含有纳米线网络的表面覆盖流动的弹性体材料,使所述弹性体材料填充至所述纳米线网络的全部空隙中并附着于所述硬质基底上;(3)使所述弹性体材料固化;(4)除去所述硬质基底,得到表面含有纳米褶皱的弹性体薄膜。本发明通过将由纳米线或纳米纤维构筑的纳米线网络转移至弹性体薄膜中,在弹性体薄膜表面大面积制备出纳米尺度的褶皱结构,纳米褶皱的形貌调控非常简便。利用本发明制备褶皱结构,无需光刻、纳米压印、电子束刻蚀等微纳加工技术,制备工艺简单、快速、成本低、重复性好。
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公开(公告)号:CN109489539B
公开(公告)日:2020-01-24
申请号:CN201810996027.9
申请日:2018-08-29
申请人: 北京邮电大学
IPC分类号: G01B7/16
摘要: 本发明实施例提供一种柔性应变传感器的制备方法及柔性应变传感器。该方法包括:在弹性织物内浸入液态导电材料;在弹性织物的两端各设置一个电极,并在电极上连接电极引线;在弹性织物的外表面包覆弹性体材料,并使电极引线从弹性体材料中露出;弹性体材料固化后,获得柔性应变传感器。本发明实施例,选择弹性织物作为液态导电材料存储通道,传感器在被施加拉力或压力时,液态导电材料都能够从弹性织物中流出,致使弹性织物的导电性能下降;当撤除施加的外力后,流出的液态导电材料重新流回到弹性织物中,致使弹性织物的导电性能恢复,从而使得传感器同时具备拉力传感和压力传感的功能,不仅扩大柔性传感器的应变感知范围,还简化了其制备工艺。
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公开(公告)号:CN106876418B
公开(公告)日:2019-10-01
申请号:CN201710149708.7
申请日:2017-03-14
申请人: 北京邮电大学
IPC分类号: H01L27/144
摘要: 本发明提供一种光电探测器阵列,包括半绝缘的衬底层;覆盖在所述衬底层表面的绝缘钝化层;设置在所述衬底层上且位于所述钝化层内的至少2个光电探测器;在每个所述光电探测器的N接触层上蒸镀的N接触电极;在每个所述光电探测器的P接触层上蒸镀的P接触电极;在所述N接触电极上开孔设置并在所述钝化层上蒸镀的接地大电极;以及在所述P接触电极上开孔设置并在所述钝化层上蒸镀的信号大电极。本发明将多个光电探测器按照以信号大电极为中心的对称结构设计,克服了单个光电探测器无法处理过大功率的光信号的弊端,以及传统光电探测器阵列的各光电探测器电信号容易在输出端产生相位失配而引起信号畸变的缺点;工艺简单、饱和功率大且响应度高。
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公开(公告)号:CN105448675B
公开(公告)日:2018-01-23
申请号:CN201410514645.7
申请日:2014-09-29
申请人: 北京邮电大学
IPC分类号: H01L21/205
摘要: 本发明提供一种GaAs/Si外延材料的MOCVD制备方法,包括:在清洁的单晶硅衬底上制作GaAs低温成核层;在所述GaAs低温成核层上制作GaAs中温缓冲层;在所述GaAs中温缓冲层上制作GaAs第一高温缓冲层;在所述GaAs第一高温缓冲层上制作GaAs第二高温缓冲层;在所述GaAs第二高温缓冲层上制作GaAs变温缓冲层;在所述GaAs变温缓冲层上制作多层量子点位错阻挡层;在所述多层量子点位错阻挡层上制作应变插入层;在所述应变插入层上制作GaAs外延层。本发明能够大面积、均匀、高重复性地完成材料生长和制备,降低所生长材料的位错密度,成本更加低廉,更适合产业化的需求。
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公开(公告)号:CN104851947B
公开(公告)日:2017-11-14
申请号:CN201510189107.X
申请日:2015-04-21
申请人: 北京邮电大学
IPC分类号: H01L33/22
摘要: 本发明公开了一种带有表面糙化透光结构的LED芯片及其制作方法,属于LED芯片制造及LED照明领域。所述的带有表面糙化透光结构的LED芯片,包括芯片的衬底、n型半导体结构、i型有源区和p型半导体结构,以及形成在芯片表面的糙化透光结构;所述糙化透光结构是切面角度连续变化的糙化层。所述糙化透光结构在p型半导体结构上,或者在p型半导体结构的钝化层上,或者在p型半导体结构的透明电极上,或者在p型半导体结构的透明有机层上或者在n型半导体结构上,或者在衬底上。本发明可以改善LED器件出光受全反射角的影响,从而提升LED器件的出光效率。
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