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公开(公告)号：CN114362491A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202210028848.X
申请日：2022-01-11
申请人： 华北电力大学
摘要： 阻性负载下的碳化硅MOSFET半桥串扰电压峰值计算方法，包括：在上桥器件导通后，联立上桥驱动回路和主功率回路KVL方程获得上桥栅压表达式；应用饱和区电流公式获得上桥漏电流表达式；基于损耗守恒将下桥驱动电阻等效至漏源极支路，根据等效后下桥器件与负载组成回路的KVL方程获得下桥漏源电压表达式；根据下桥驱动回路KVL方程获得串扰电压表达式，对串扰电压表达式求最值获得串扰电压峰值。本发明每个步骤均只存在单变量，实现了阻性负载下，上下桥器件驱动电压、母线电压量的解耦，获得了阻性负载下串扰电压峰值表达式；本发明可有效评估阻性负载下串扰电压的影响因素，并对保证下桥器件安全运行的参数选取范围给出指导和建议。
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公开(公告)号：CN113110681B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202110509529.6
申请日：2021-05-11
申请人： 华北电力大学
摘要： 本发明涉及一种电压钳位电路和碳化硅MOSFET导通损耗的测量系统及方法，所述电压钳位电路包括：场效应晶体管、栅极电阻、驱动信号源、源极电阻和齐纳二极管；当待测碳化硅MOSFET关断时，齐纳二极管击穿导致场效应晶体管断开，由场效应晶体管承担待测碳化硅MOSFET的大部分关断电压，电压测量正极端子和电压测量负极端子之间只有小部分的关断电压，将待测碳化硅MOSFET的关断电压限制为一个较小的值，从而可减小示波器的测试量程，在提高导通电压测量精度的同时避免示波器的饱和现象。
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公开(公告)号：CN110780185B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201911050874.7
申请日：2019-10-31
申请人： 华北电力大学
摘要： 本发明公开一种并联均流测试平台及方法和一种金属电极组件。该平台用于IGBT芯片和二极管芯片的并联均流测试；该平台包括现场主控机、高压直流电源、防爆电容器、反向恢复二极管、电抗器、IGBT驱动器、光波信号发生器、罗果夫斯基电流测量线圈组、压接型IGBT器件、示波器组和金属电极组件；IGBT驱动器、反向恢复二极管、压接型IGBT器件和待测芯片按需求连接成被动注入模式或主动开关模式下的测试电路。金属电极组件包括带孔电极板和带插针的电极凸台；通过将插针插入插孔中实现电极凸台与带孔电极板的连接，电极凸台与待测芯片连接。本发明能够根据待测芯片的布局调整电极的布局，适应在不同布局情况下的并联均流测试。
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公开(公告)号：CN107544005B
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201710591993.8
申请日：2017-07-19
申请人： 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司 , 国网河北省电力公司
IPC分类号： G01R31/12
摘要： 本发明提供了一种高压IGBT局部放电电流时域参数的确定方法和装置，对高压IGBT的局部放电电流进行预筛选得到局部放电脉冲；然后对预筛选出的局部放电脉冲进行计数，并提取局部放电脉冲的电流幅值；最后根据局部放电脉冲的电流幅值得到局部放电脉冲的时域参数。本发明根据本发明提供的高压IGBT局部放电电流时域参数的确定方法得到的局部放电脉冲的时域参数能够灵敏地对高压IGBT设计和制造过程中的绝缘缺陷进行检测和辨识；且本发明在不对测试获得的大量原始数据进行降噪预处理的条件下，准确且快速地提取局部放电电流中局部放电脉冲的时域参数，进而获得高压IGBT中的绝缘缺陷的局部放电模式。
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公开(公告)号：CN109406961B
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201811255092.2
申请日：2018-10-26
申请人： 华北电力大学
摘要： 本发明公开一种电力电子器件绝缘试验装置，所述电力电子器件包括单芯片、子模组和集成模块，所述试验装置包括：腔体密封外壳、控制器底座和内部夹具；所述腔体密封外壳为所述电力电子器件提供一个密封的工作环境；所述内部夹具夹置所述电力电子器件，所述内部夹具设置在所述腔体密封外壳内部，所述内部夹具用于为所述电力电子器件提供电压、温度、压力；所述控制器底座分别与所述腔体密封外壳和所述内部夹具连接，所述控制器底座用于控制所述腔体密封外壳内的工作环境和所述内部夹具为所述电力电子器件提供的电压、温度、压力。能够测量在高温高压的工作环境下的电力电子器件的光信号、电信号。
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公开(公告)号：CN107369666B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201710671883.2
申请日：2017-08-08
申请人： 华北电力大学
IPC分类号： H01L23/492 , H01L25/07 , H01L21/60
摘要： 本发明公开一种半桥模块和封装方法。所述半桥模块是以两个芯片为子单元的并联分组布设，所述半桥模块包括上半桥模块和下半桥模块；上半桥模块包括多个两芯片直接并联的上半桥子单元、一个辅助源极驱动信号端子、一个栅极驱动信号端子、一个漏极功率端子和一个源极功率端子，下半桥模块包括多个两芯片直接并联的下半桥子单元、一个辅助源极驱动信号端子、一个栅极驱动信号端子、一个漏极功率信号端子和一个源极功率信号端子，下半桥的漏极功率端子与上半桥的源极功率端子电气上是互连的。功率信号端子以及驱动信号端子的结构均为二叉树状结构。采用本发明的半桥模块或封装方法，可以降低电路杂散电感的分布差异，实现较好的碳化硅芯片的均流特性。
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公开(公告)号：CN105488262B
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201510830506.X
申请日：2015-11-25
申请人： 南方电网科学研究院有限责任公司 , 华北电力大学 , 中国南方电网有限责任公司电网技术研究中心
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 一种宽频直流电力电阻器的设计方法及系统，包括：根据电力电阻器的几何参数确定电力电阻器的当前电容值及当前电感值；根据当前电容值、当前电感值、预设频率及预设电阻值，确定电力电阻器在预设频率时的阻抗；确定阻抗与预设电阻值的偏差，并判断偏差是否小于预设偏差；当判断结果为偏差小于预设偏差时，将电力电阻器的几何参数作为电力电阻器的设计参数；当判断结果为偏差不小于预设偏差时，根据阻抗、预设电阻值及几何参数对几何参数进行修改，并将修改后的几何参数作为电力电阻的设计参数。上述宽频直流电力电阻器的设计方法及系统，能够保证电力电阻器在预设频率时的阻抗与预设电阻值的偏差在小于预设偏差的范围内。
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公开(公告)号：CN109827693A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910220725.4
申请日：2019-03-22
申请人： 华北电力大学
IPC分类号： G01L5/00
摘要： 本发明公开了一种压接型功率半导体器件内部压力分布测量系统，包括集电极、发射极和子模组；集电极、子模组和发射极依次接触连接；子模组设置在集电极和发射极之间；其中，子模组包括半导体芯片、热流及电流传导结构和压力传感器，集电极、半导体芯片、热流及电流传导结构及发射极依次接触连接；压力传感器分别与热流及电流传导结构内壁底面和端面接触连接。本发明提供的压接型功率半导体器件内部压力分布测量系统能够降低对压力传感器的要求，实现对任意工况下芯片压力分布情况准确测量，突破现有测量方法在正常工况条件下测量的局限性。
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公开(公告)号：CN109541408A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811451468.7
申请日：2018-11-30
申请人： 华北电力大学
IPC分类号： G01R31/12
摘要： 本发明公开了一种低沸点绝缘液体绝缘特性测试腔，包括腔体、绝缘套管法兰、电极、盲板法兰、横向加热法兰机构和纵向加热法兰机构，腔体包括腔主体和观察窗，腔主体为内部中空的壳体结构，观察窗固定于腔主体首端和尾端，腔主体的侧壁上设置有多个法兰安装孔；绝缘套管法兰、盲板法兰、横向加热法兰机构和纵向加热法兰机构与法兰安装孔配合设置，使测试腔具有横向测试和纵向测试两种结构，且两种测试方案可以灵活调整；电极一端伸入腔主体的内部，另一端穿过套管法兰由密封压帽锁紧固定，在外部旋松密封压帽后抽送电极杆即可完成电极的在线调节，甚至可以通过旋转、更换腔体顶部法兰等方式，在不取出液体的情况下改变腔体内液体的测试方案。
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公开(公告)号：CN109242286A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201810980214.8
申请日：2018-08-27
申请人： 华北电力大学
摘要： 一种基于径向基神经网络的需求侧响应潜力挖掘方法。其包括采集用户总电流和总功率数据；建立多输入单输出的三层径向基函数神经网络；采用梯度下降法对三层径向基函数神经网络进行训练；将新采集的用户数据输入神经网络中，得到用户不同用电设备的负荷；建立电量电价弹性矩阵，结合用户不同用电设备的负荷，计算出不同电价下用户的需求侧响应潜力等步骤。本发明提供的基于径向基神经网络的需求侧响应潜力挖掘方法设计合理、简单易行，且精确度高。
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