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公开(公告)号：CN110777330A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201911099045.8
申请日：2019-11-12
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及涂层防护技术领域，具体涉及一种抗腐蚀且耐磨损的保护涂层及其制备方法和应用。本发明提供的抗腐蚀且耐磨损的保护涂层，按照各成分的原子百分数计，所述保护涂层包括：29～33％的钽、57～67％的硼和3～14％的碳。本发明通过在保护涂层中掺入少量的碳，形成了非晶/纳米晶基体结构，其中薄的非晶碳嵌入TaB2纳米晶间，限制TaB2晶粒尺寸，使得涂层更致密，耐腐蚀性增强，从而减弱磨损和腐蚀间协同效应，实现摩擦学性能的提升；同时碳的少量掺入还可以保持TaB2本身优秀的抗微生物附着性能，使得提供的保护涂层具有优异的耐腐蚀性和耐磨损性，能够适应海洋的恶劣环境，适宜推广应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108342687B
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201810087179.7
申请日：2018-01-30
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种贵金属单原子掺杂的Hf3N4薄膜及其制备方法属于功能膜材料制备的技术领域。薄膜中贵金属、Hf、N元素的原子百分比含量分别为：0.59～1.48at.％、42～43at.％、56～57at.％，薄膜的厚度是800～1000nm，薄膜中贵金属以单原子形式存在。制备方法有清洗衬底、抽真空、设置温度、在衬底上磁控溅射等步骤。本发明采用磁控溅射低能沉积技术的制备方法，成功地制备了贵金属单原子掺杂的Hf3N4薄膜。这种制备方法具有工艺简单、成本低、重复性高、产率高、可大批量工业生产等优点。制备过程不产生副产物，制备的样品的硬度和韧性显著的提高，薄膜的耐摩擦抗磨损性能大幅度地提高。
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公开(公告)号：CN107579257B
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201710809664.6
申请日：2017-09-11
Applicant: 吉林大学
IPC: H01M4/86 , H01M4/88 , H01M4/90 , H01M8/1011
Abstract: 本发明的一种过渡金属核壳结构薄膜电催化剂及其制备方法属于催化剂材料制备领域。以金属纳米粒子为核，氮掺杂的洋葱状石墨为壳，由核壳结构的纳米粒子在衬底上形成的薄膜的厚度是200～1200nm。采用磁控溅射小角沉积技术，以金属靶作为金属纳米粒子源，石墨靶及甲烷气体作为碳源，氮气作为氮源气体，同时通入氩气作为溅射气体，实现金属催化碳石墨化生长并原位自组装形成氮掺杂洋葱状石墨包裹金属纳米粒子薄膜。本发明具有工艺简单、成本低、重复性高、产率高、可大批量工业生产等优点；在制备过程无副产物，制备的样品展现出优于商业Pt/C催化剂的稳定性及耐甲醇性。
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公开(公告)号：CN108342687A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810087179.7
申请日：2018-01-30
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种贵金属单原子掺杂的Hf3N4薄膜及其制备方法属于功能膜材料制备的技术领域。薄膜中贵金属、Hf、N元素的原子百分比含量分别为：0.59～1.48at.％、42～43at.％、56～57at.％，薄膜的厚度是800～1000nm，薄膜中贵金属以单原子形式存在。制备方法有清洗衬底、抽真空、设置温度、在衬底上磁控溅射等步骤。本发明采用磁控溅射低能沉积技术的制备方法，成功地制备了贵金属单原子掺杂的Hf3N4薄膜。这种制备方法具有工艺简单、成本低、重复性高、产率高、可大批量工业生产等优点。制备过程不产生副产物，制备的样品的硬度和韧性显著的提高，薄膜的耐摩擦抗磨损性能大幅度地提高。
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公开(公告)号：CN107164727A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710413970.8
申请日：2017-06-05
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: C23C14/345 , C23C14/0647 , C23C14/3464 , C23C14/352
Abstract: 本发明公开了一种带隙可调的BN(Al)薄膜材料的制备方法，本发明通过Al掺杂的方法实现对六方BN带隙更自由的调控，增加其紫外光的吸收范围，其制备方法通过选择富硼的氮化硼靶材，在溅射过程中对衬底施加高偏压诱导出大量的N空位缺陷，同时通过共溅射使Al原子进入薄膜中N空位缺陷处，实现带隙可在较宽范围内调控的新型BN(Al)薄膜半导体材料。本发明中BN(Al)薄膜半导体材料采用射频共溅射法获得，工艺简单且效率高，可用于波长可调的发光器件，近紫外光吸收材料或光探测器件。
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公开(公告)号：CN222043333U
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202420711383.2
申请日：2024-04-08
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本实用新型提供一种扰动电磁场磁过滤电弧复合磁控溅射镀膜系统，涉及真空镀膜技术领域，包括：真空腔、抽气装置、供气装置、磁过滤管道和电弧靶、磁控溅射靶，真空腔用于容纳工件并提供镀膜场所；抽气装置与真空腔能够连通地连接并用于抽取真空腔内的气体以控制真空腔内的真空度；供气装置用于朝真空腔内输送气体；磁过滤管道的第一端与真空腔连通，第二端朝远离真空腔的方向延伸，其上绕设有多组磁过滤线圈组，多组磁过滤线圈组沿着磁过滤管道延伸的方向依次布设，磁过滤线圈组由脉冲电源供电；电弧靶用于蒸发并发生电离，磁控溅射靶用于溅射靶材沉积薄膜。本实用新型提供的方案能够提高镀膜质量。
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