公开(公告)号：CN107164727B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN201710413970.8

申请日：2017-06-05

Applicant: 吉林大学

Inventor： 张侃 ,  徐永宽 ,  于陕升 ,  文懋 ,  谷鑫磊

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明公开了一种带隙可调的BN(Al)薄膜材料的制备方法，本发明通过Al掺杂的方法实现对六方BN带隙更自由的调控，增加其紫外光的吸收范围，其制备方法通过选择富硼的氮化硼靶材，在溅射过程中对衬底施加高偏压诱导出大量的N空位缺陷，同时通过共溅射使Al原子进入薄膜中N空位缺陷处，实现带隙可在较宽范围内调控的新型BN(Al)薄膜半导体材料。本发明中BN(Al)薄膜半导体材料采用射频共溅射法获得，工艺简单且效率高，可用于波长可调的发光器件，近紫外光吸收材料或光探测器件。

公开(公告)号：CN107164727A

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：CN201710413970.8

申请日：2017-06-05

Applicant: 吉林大学

Inventor： 张侃 ,  徐永宽 ,  于陕升 ,  文懋 ,  谷鑫磊

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  C23C14/35

CPC classification number: C23C14/345 ,  C23C14/0647 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/352

Abstract: 本发明公开了一种带隙可调的BN(Al)薄膜材料的制备方法，本发明通过Al掺杂的方法实现对六方BN带隙更自由的调控，增加其紫外光的吸收范围，其制备方法通过选择富硼的氮化硼靶材，在溅射过程中对衬底施加高偏压诱导出大量的N空位缺陷，同时通过共溅射使Al原子进入薄膜中N空位缺陷处，实现带隙可在较宽范围内调控的新型BN(Al)薄膜半导体材料。本发明中BN(Al)薄膜半导体材料采用射频共溅射法获得，工艺简单且效率高，可用于波长可调的发光器件，近紫外光吸收材料或光探测器件。