一种偏向SiC晶体的大边、小边精确定向方法

    公开(公告)号:CN106990126B

    公开(公告)日:2019-08-09

    申请号:CN201710279149.1

    申请日:2017-04-25

    IPC分类号: G01N23/207

    摘要: 本发明涉及一种偏向SiC晶体的大边、小边精确定向方法,属于晶体加工领域,方法包括提供进行过磨平面处理的偏向SiC晶体,提供X射线定向仪;标记偏向SiC晶体的生长大边、生长小边;选取偏向SiC晶体的衍射面,将X射线定向仪的探测器位置固定在该衍射面发生布拉格衍射位置处,测试位于(0001)面与(11‑20)面或(0001)面与(1‑100)面之间衍射面衍射角的位置,在磨平的平面内旋转晶体,不断测试调整晶体表面的衍射方向,直至测得的衍射角与偏向后的理论值一致,实现对偏向SiC晶体大边、小边的精确定向。本方法定位准确,误差小,无需对晶体进行二次滚圆,降低了晶体开裂的风险。