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公开(公告)号：CN101279274B
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200810016610.5
申请日：2008-05-26
Applicant: 山东大学
CPC classification number: Y02E60/364 , Y02P20/134 , Y02W10/37
Abstract: 本发明提供了一种纳米银/溴化银可见光光催化材料，由纳米银和溴化银构成，化学式是Ag/AgBr，纳米银颗粒负载在溴化银的表面，纳米银颗粒占总重量的23.5-47％。其制备方法包括以下步骤：(1)采用固相烧结的方法合成钼酸银，取氧化钼和氧化银混合、压片后烧结，烧结物即为钼酸银；(2)按1g钼酸银和20ml浓氢溴酸的比例将两者混合后放入高压釜中，加热到150-220℃并放置48小时-72小时，所得沉淀物冲洗到pH＝7，得到溴化银；(3)将溴化银与硝酸银水溶液混合，搅拌后加入谷氨酸，在水浴70℃下回流即得纳米银/溴化银光催化剂。本发明利用纳米银颗粒的等离子体效应，有效地抑制了氯化银分解，能够更有效的利用太阳光的能量。
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公开(公告)号：CN101279274A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200810016610.5
申请日：2008-05-26
Applicant: 山东大学
CPC classification number: Y02E60/364 , Y02P20/134 , Y02W10/37
Abstract: 本发明提供了一种纳米银/溴化银可见光光催化材料，由纳米银和溴化银构成，化学式是Ag/AgBr，纳米银颗粒负载在溴化银的表面，纳米银颗粒占总重量的23.5－47％。其制备方法包括以下步骤：(1)采用固相烧结的方法合成钼酸银，取氧化钼和氧化银混合、压片后烧结，烧结物即为钼酸银；(2)按1g钼酸银和20ml浓氢溴酸的比例将两者混合后放入高压釜中，加热到150－220℃并放置48小时－72小时，所得沉淀物冲洗到pH＝7，得到溴化银；(3)将溴化银与硝酸银水溶液混合，搅拌后加入谷氨酸，在水浴70℃下回流即得纳米银/溴化银光催化剂。本发明利用纳米银颗粒的等离子体效应，有效地抑制了氯化银分解，能够更有效的利用太阳光的能量。
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公开(公告)号：CN101220503A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710017150.3
申请日：2007-09-18
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明提供了一种集成式可编程晶体生长控制系统，包括温度传感器、微处理器、加热器、籽晶杆转动步进电机、晶体提拉步进电机和称重传感器；温度传感器通过其前置放大器、称重传感器通过称重传感器放大器分别与双路信号切换开关连接，双路信号切换开关、A/D转换器与微处理器互相连接；加热器至少分两路，每路都与微处理器连接，籽晶杆转动步进电机和晶体提拉步进电机通过各自驱动器与微处理器连接。本发明集温度控制、电机速度控制于一体，通过编程能够精确地控制温度升降速率、电机转向、转速及转动时间，并能够通过称量晶体重量确认晶体生长情况，可实时对晶体生长过程中的温度、速度和转向进行控制，保证了晶体生长质量。
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公开(公告)号：CN1149686C
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN00111113.2
申请日：2000-05-19
Applicant: 山东大学 , 山东华光光电子有限公司
Abstract: 本发明属于光电子技术领域。本发明的主要内容是利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)在GaAs衬底上生长高亮度发光二极管为异质结芯片结构，上限制层生长结束时，继续生长磷化镓GaP窗口层，通过切断和连接镓源及磷源，选用P型掺杂剂在磷化镓窗口层进行δ掺杂，最终达到厚度≤2μm的窗口层，它解决了现有技术存在的生长工艺复杂、生长成本高的缺点，采用本发明，可使发光二极管芯片生长工艺简化，降低生产成本，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN1149685C
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN00111112.4
申请日：2000-05-19
Applicant: 山东大学 , 山东华光光电子有限公司
Abstract: 本发明属于光电子技术领域。本发明的主要内容利用金属有机化合物气相淀积法(MOCVD)外延生长二极管材料时，在上限制层生长结束后，继续用MOCVD外延生长工艺进行N型掺杂氧化锌薄膜的低温生长，取代磷化镓作为发光二极管窗口层，控制窗口层厚度为≤2μm。它解决了现有技术存在的工艺复杂，生长周期长，成本高的缺点。本发明具有生长工艺简单，生长周期短，成本低的优点。用氧化锌作为LED窗口层，可使窗口层在直流电流浸入时，具有更佳的电流扩展和透光效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1271967A
公开(公告)日：2000-11-01
申请号：CN00111113.2
申请日：2000-05-19
Applicant: 山东大学 , 山东华光光电子有限公司
Abstract: 本发明属于光电子技术领域。本发明的主要内容是利用金属有机化合物气相淀积(MOVCD)在GaAs衬底上生长高亮度发光二极管为异质结芯片结构,上限制层生长结束时,继续生长磷化镓GaP窗口层,通过切断和连接镓源及磷源,选用P型掺杂剂在磷化镓窗口层进行δ掺杂,最终达到厚度≤2μm的窗口层,它解决了现有技术存在的生长工艺复杂、生长成本高的缺点,采用本发明,可使发光二极管芯片生长工艺简化,降低生产成本,提高生产效率。
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公开(公告)号：CN108690072B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201810559515.3
申请日：2018-06-02
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明提供一种具有光催化活性的苯基膦酸盐及其制备方法和应用，属于光催化材料技术领域。所述苯基膦酸盐制备方法为：将金属盐和苯基膦酸溶于有机溶剂中，采用溶剂热法制备得到苯基膦酸盐。本发明首次采用溶剂热的方法合成了苯基膦酸盐光催化材料，并将其应用到光催化产氢和二氧化碳还原中；同时本发明原料廉价易得，环境友好，安全无污染，制备方法简单，易操作，极具有工业化生产和实际应用之价值。
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公开(公告)号：CN107456983B
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201710581327.6
申请日：2017-07-17
Applicant: 山东大学
IPC: B01J27/135 , B01D53/86 , B01D53/72 , B01D53/44
Abstract: 本发明公开了Ag/AgCl/TiO2复合光催化材料及其制备方法和应用，该催化剂的基底材料为二氧化钛，在基底材料表面负载颗粒AgCl和Ag。首先用溶剂热法合成二氧化钛前驱体，然后通过高温煅烧获得锐钛矿相二氧化钛，最后以二氧化钛为载体，以硝酸银为银源和以1‑辛基‑3‑甲基咪唑氯盐或者盐酸溶液为氯源，其中AgCl负载方式可以分为水热共沉淀和浸渍沉淀法两种，再经过光照还原处理得到产物Ag/AgCl/TiO2。本制备方法操作简单易行，且合成的Ag/AgCl/TiO2微球具有较强的光催化活性，在光催化降解乙烯和苯以及其他挥发性有机污染物方面具有优异的性能。
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公开(公告)号：CN110721720A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201911024347.9
申请日：2019-10-25
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明提供一种氮化钼/氧化铈复合材料及其制备方法和应用。所述复合材料包括氧化铈纳米薄层，以及负载在氧化铈纳米薄层表面的多孔片状氮化钼。本发明通过引入氧化铈纳米薄层，并在其表面生长了片状结构的氮化钼，提高了氮化钼催化剂的分散性，增加了氮化钼表面的反应活性位点；并且氧化铈层可以增加对水的吸附与解离，从而提高整个电极体系的电催化活性，该电极的制作原料成本低，制备方法简单，可以大规模工业生产，在实际应用中具有潜在的应用前景。
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公开(公告)号：CN107876087B
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201711070411.8
申请日：2017-11-03
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明公开了甲胺铅碘‑还原氧化石墨烯复合光催化材料的制备及其光催化制氢的应用。本发明首先用液相反应法合成CH3NH3PbI3并配制其饱和溶液，后加入氧化石墨烯GO，通过光致还原和光复合得到甲胺铅碘‑还原氧化石墨烯复合光催化材料。本方法操作简单易行，合成的甲胺铅碘‑还原氧化石墨烯复合光催化材料具有优良的光催化产氢活性和稳定性，在光催化产氢方面有广阔的应用前景。
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