集成式可编程晶体生长控制系统

    公开(公告)号:CN101220503A

    公开(公告)日:2008-07-16

    申请号:CN200710017150.3

    申请日:2007-09-18

    Applicant: 山东大学

    Abstract: 本发明提供了一种集成式可编程晶体生长控制系统,包括温度传感器、微处理器、加热器、籽晶杆转动步进电机、晶体提拉步进电机和称重传感器;温度传感器通过其前置放大器、称重传感器通过称重传感器放大器分别与双路信号切换开关连接,双路信号切换开关、A/D转换器与微处理器互相连接;加热器至少分两路,每路都与微处理器连接,籽晶杆转动步进电机和晶体提拉步进电机通过各自驱动器与微处理器连接。本发明集温度控制、电机速度控制于一体,通过编程能够精确地控制温度升降速率、电机转向、转速及转动时间,并能够通过称量晶体重量确认晶体生长情况,可实时对晶体生长过程中的温度、速度和转向进行控制,保证了晶体生长质量。

    集成式可编程晶体生长控制系统

    公开(公告)号:CN100560810C

    公开(公告)日:2009-11-18

    申请号:CN200710017150.3

    申请日:2007-09-18

    Applicant: 山东大学

    Abstract: 本发明提供了一种集成式可编程晶体生长控制系统,包括温度传感器、微处理器、加热器、籽晶杆转动步进电机、晶体提拉步进电机和称重传感器;温度传感器通过其前置放大器、称重传感器通过称重传感器放大器分别与双路信号切换开关连接,双路信号切换开关、A/D转换器与微处理器互相连接;加热器至少分两路,每路都与微处理器连接,籽晶杆转动步进电机和晶体提拉步进电机通过各自驱动器与微处理器连接。本发明集温度控制、电机速度控制于一体,通过编程能够精确地控制温度升降速率、电机转向、转速及转动时间,并能够通过称量晶体重量确认晶体生长情况,可实时对晶体生长过程中的温度、速度和转向进行控制,保证了晶体生长质量。

    晶体生长籽晶固定装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101109104A

    公开(公告)日:2008-01-23

    申请号:CN200710014851.1

    申请日:2007-08-30

    Applicant: 山东大学

    Abstract: 本发明提供了一种晶体生长籽晶固定装置,该晶体生长籽晶固定装置包括籽晶板、吊杆、连接架和籽晶杆,连接架安装在籽晶杆的下端,吊杆至少有一根,其上端与连接架连接,籽晶板连接在各吊杆的下端。吊杆上安装有搅拌桨。本发明结构简单、合理,改变了现有晶体生长过程中将籽晶固定在籽晶板底面上的方式,而是将籽晶固定在籽晶板的上面,使晶体生长过程受籽晶板的限制只能向上生长,避免了晶体脱落籽晶板,减少了由于重力带来的应力,防止了晶体内部开裂,保证了生长结束后的晶体质量。

    磷酸二氘钾晶体生长溶液的高温处理新工艺

    公开(公告)号:CN1329563C

    公开(公告)日:2007-08-01

    申请号:CN200510045146.9

    申请日:2005-11-23

    Applicant: 山东大学

    Inventor: 段爱东

    Abstract: 本发明公开了一种磷酸二氘钾晶体生长溶液的高温处理新工艺,该新工艺包括以下步骤:(1)增大浓度,加热溶液至105℃以上沸腾,并使溶液达到饱和,不再析出结晶为止;(2)搅拌,将上述溶液快速搅拌,在10小时内冷却至室温;(3)溶解,在继续搅拌下,将上述冷却后的溶液升温使结晶完全溶解为止;(4)超精细过滤,用0.2微米以下的滤芯过滤溶液。本发明减少了溶液中的可溶性杂质和不溶性杂质,溶液的稳定性有了极大提高,生长出的DKDP晶体,光学均匀性好,减少了晶体的散射,并提高了晶体生长速度。

    磷酸二氘钾晶体生长溶液的高温处理新工艺

    公开(公告)号:CN1793440A

    公开(公告)日:2006-06-28

    申请号:CN200510045146.9

    申请日:2005-11-23

    Applicant: 山东大学

    Inventor: 段爱东

    Abstract: 本发明公开了一种磷酸二氘钾晶体生长溶液的高温处理新工艺,该新工艺包括以下步骤:(1).增大浓度,加热溶液至105℃以上沸腾,并使溶液达到饱和,不再析出结晶为止;(2).搅拌,将上述溶液快速搅拌,在10小时内冷却至室温;(3).溶解,在继续搅拌下,将上述冷却后的溶液升温使结晶完全溶解为止;(4).超精细过滤,用0.2微米以下的滤芯过滤溶液。本发明减少了溶液中的可溶性杂质和不溶性杂质,溶液的稳定性有了极大提高,生长出的DKDP晶体,光学均匀性好,减少了晶体的散射,并提高了晶体生长速度。

    晶体生长籽晶固定装置
    6.
    实用新型

    公开(公告)号:CN201136910Y

    公开(公告)日:2008-10-22

    申请号:CN200720026057.4

    申请日:2007-08-30

    Applicant: 山东大学

    Abstract: 本实用新型提供了一种晶体生长籽晶固定装置,该晶体生长籽晶固定装置包括籽晶板、吊杆、连接架和籽晶杆,连接架安装在籽晶杆的下端,吊杆至少有一根,其上端与连接架连接,籽晶板连接在各吊杆的下端。吊杆上安装有搅拌桨。本实用新型结构简单、合理,改变了现有晶体生长过程中将籽晶固定在籽晶板底面上的方式,而是将籽晶固定在籽晶板的上面,使晶体生长过程受籽晶板的限制只能向上生长,避免了晶体脱落籽晶板,减少了由于重力带来的应力,防止了晶体内部开裂,保证了生长结束后的晶体质量。

    集成式可编程晶体生长控制装置

    公开(公告)号:CN201083991Y

    公开(公告)日:2008-07-09

    申请号:CN200720027580.9

    申请日:2007-09-18

    Applicant: 山东大学

    Abstract: 本实用新型提供了一种集成式可编程晶体生长控制装置,包括温度传感器、微处理器、加热器、籽晶杆转动步进电机、晶体提拉步进电机和称重传感器;温度传感器通过其前置放大器、称重传感器通过称重传感器放大器分别与双路信号切换开关连接,双路信号切换开关、A/D转换器与微处理器互相连接;加热器至少分两路,每路都与微处理器连接,籽晶杆转动步进电机和晶体提拉步进电机通过各自驱动器与微处理器连接。本实用新型集温度控制、电机速度控制于一体,通过编程能够精确地控制温度升降速率、电机转向、转速及转动时间,并能够通过称量晶体重量确认晶体生长情况,可实时对晶体生长过程中的温度、速度和转向进行控制,保证了晶体生长质量。

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