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公开(公告)号：CN108319781A
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201810102064.0
申请日：2018-02-01
申请人： 清华大学
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 本申请涉及输配电设备绝缘组件领域，尤其涉及一种基于多物理场的GIS/GIL内部绝缘件优化方法，具体包括参数测量；生成模型；热学计算；电学计算；力学计算；优化目标六个步骤，本发明通过整合力、电、热三个物理场，通过计算得出函数曲线，进而获得测试绝缘件的形态，通过对比选择最优形态的绝缘件投入使用，保证了策略运行得出的绝缘件能够克服现有技术中绝缘件表面电荷积聚、温度分布不均匀、气压变动带来的恶劣工作条件，从根本上保证了设计得出的绝缘件的鲁棒性。
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公开(公告)号：CN108318750A
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201810101655.6
申请日：2018-02-01
申请人： 清华大学
IPC分类号： G01R29/24
摘要： 本申请涉及输配电绝缘组件检测技术领域，尤其涉及一种绝缘子表面电荷反演算法。该算法包括：S1将绝缘子的表面划分为n个区域；S2获取第一时刻每个区域的第一表面电势Φ1i和第二时刻每个区域的第二表面电势Φ2i，i＝1,2,……,n；S3根据第一表面电势Φ1i和第二表面电势Φ2i，计算第一时刻和第二时刻之间，每个区域的电势变化值△Φi；S4根据每个区域的电势变化值△Φi，计算第一时刻和第二时刻之间，绝缘子的视在表面电荷密度变化量△σ′i；S5根据视在表面电荷密度变化量△σ′i，计算第一时刻和第二时刻之间，绝缘子的实际表面电荷密度变化量△σi。该算法能够分析绝缘子表面电荷随着时间的积聚过程，并且计算过程比较简便。
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公开(公告)号：CN108192292A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201810102671.7
申请日：2018-02-01
申请人： 清华大学
摘要： 一种具有高阻热性能的绝缘材料制备方法，包括称量步骤、预热步骤、混合步骤、冷却步骤，所述称量步骤、预热步骤、混合步骤、冷却步骤依次进行。其有益效果是：能够起到很好的阻热效果，保证电阻率稳定，特别是在温度梯度存在的情况下，能够抑制直流电场作用下的电荷注入，防止局部电场发生畸变。
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公开(公告)号：CN106556806B
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201611019155.5
申请日：2016-11-18
申请人： 清华大学 , 清华四川能源互联网研究院
IPC分类号： G01R33/09
CPC分类号： G01R33/098
摘要： 本发明公开了一种极大磁场测量方法及装置，涉及磁场测量技术领域。本发明技术要点包括：1：将四个正交配置的隧穿磁阻电阻放置到外加磁场中，并获取各个隧穿磁阻电阻的阻值；2：根据四个隧穿磁阻电阻的阻值计算各隧穿磁阻电阻自由层磁化方向与参考层磁化方向的夹角；3：根据第一隧穿磁阻电阻、第三隧穿磁阻电阻的自由层磁化方向与参考层磁化方向的夹角计算外加磁场的磁场强度H1及方向θ1；根据第二隧穿磁阻电阻、第四隧穿磁阻电阻的自由层磁化方向与参考层磁化方向的夹角计算外加磁场的磁场强度H2及方向θ2；4：根据磁场强度H1与磁场强度H2确定外加磁场最终的磁场强度H，根据方向θ2与方向θ1确定外加磁场最终的方向θ。
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公开(公告)号：CN105116171B
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201510378840.6
申请日：2015-07-01
申请人： 清华大学
IPC分类号： G01Q80/00
摘要： 本发明涉及一种平板绝缘材料表面电势快速测量系统，属于绝缘材料性能测试领域，该系统包括：测量探头、探头屏蔽罩、电压保持单元、示波器、计算机、接地电机、探测器固定板、探头接地针、接地电机接地环、二维移动平台、直线推进平台、驱动机构控制器。本发明能够对平板绝缘表面电势快速扫描，测量空间单点电势衰减特性。同时，本发明能够根据待测式样表面电势衰减特性，校正扫描所用时间，降低了电势衰减对测量结果带来的误差。
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公开(公告)号：CN107037380A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611022569.3
申请日：2016-11-18
申请人： 清华大学 , 清华四川能源互联网研究院
IPC分类号： G01R33/09
CPC分类号： G01R33/093
摘要： 本发明公开了一种宽磁场范围测量方法及装置，涉及磁场测量技术领域，尤其是一种针对中大范围及极大范围的磁场强度的测量方法。本发明技术要点包括：中大磁场测量步骤及极大磁场测量步骤；另外还包括：步骤1：将四个正交配置的磁阻电阻放置到外加磁场中，并获取各个磁阻电阻的阻值；步骤2：将其中两个相互正交的磁阻电阻的阻值带入中大磁场测量步骤计算，若计算过程收敛则判断外加磁场为中大磁场且计算结果为中大磁场的磁场强度及方向；若计算过程不收敛则将四个磁阻电阻的阻值带入极大磁场测量步骤计算，且判断外加磁场为极大磁场，计算结果为极大磁场的磁场强度及方向。
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公开(公告)号：CN106847430A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710055247.7
申请日：2017-01-24
申请人： 清华大学
摘要： 本发明涉及一种电荷自适应消散盆式绝缘子，属于输配电设备技术领域。该绝缘子为具有U型横截面的一体成型结构，包括中央嵌件及对称设置在该中央嵌件两侧的绝缘区，所述绝缘区由绝缘子区、自适应子区和边缘法兰构成，中央嵌件和绝缘子区、自适应子区、边缘法兰分别构成U型结构的底部、侧壁和顶部；其中，所述绝缘子区采用环氧树脂、氧化铝、及固化剂混合制成，所述自适应子区采用环氧树脂、掺杂有非线性材料的氧化铝、及固化剂混合制成，所述边缘法兰采用与自适应子区相同的材料或采用金属法兰制成。本绝缘子在运行过程中可自适应地调节自身表面电荷积聚，限制表面电荷量始终在安全范围内，从而保证设备安全稳定地运行。
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公开(公告)号：CN106772149A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611027078.8
申请日：2016-11-18
申请人： 清华大学 , 清华四川能源互联网研究院
IPC分类号： G01R33/09
CPC分类号： G01R33/09
摘要： 本发明公开了一种优化的极大磁场测量方法及装置，涉及磁场测量技术领域。本发明技术要点：将四个正交配置的隧穿磁阻电阻放置到外加磁场中，获取各隧穿磁阻电阻的阻值；根据四个电阻的阻值计算各隧穿磁阻电阻自由层与参考层磁化方向的夹角；根据第一隧穿磁阻电阻、第三隧穿磁阻电阻的自由层磁化方向与参考层磁化方向的夹角计算外加磁场的磁场强度H1及方向θ1；根据第二隧穿磁阻电阻、第四隧穿磁阻电阻的自由层磁化方向与参考层磁化方向的夹角计算外加磁场的磁场强度H2及方向θ2；根据磁场强度H1与磁场强度H2确定外加磁场最终的磁场强度H0，根据方向θ2与方向θ1确定外加磁场最终的方向θ；根据方向θ对磁场强度H0进行优化。
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公开(公告)号：CN106771548A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611016325.4
申请日：2016-11-18
申请人： 清华大学 , 西安西电避雷器有限责任公司
IPC分类号： G01R19/28
CPC分类号： G01R19/28
摘要： 一种基于红外热成像原理测试压敏电阻电流分布的装置，包括压敏电阻，所述压敏电阻放置于金属接地极板上，所述压敏电阻通过高压引线连接有冲击电流发生器，所述压敏电阻的正上方设有红外热成像仪。其有益效果是：克服了现有技术的不足,提供了一种测试氧化锌压敏电阻阀片电流分布的装置，使测试结果能够更加真实反映氧化锌压敏电阻内部真正的通流情况。
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公开(公告)号：CN106680743A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201611019389.X
申请日：2016-11-18
申请人： 清华大学 , 清华四川能源互联网研究院
IPC分类号： G01R33/09
CPC分类号： G01R33/098
摘要： 本发明涉及静态特征优化技术领域，公开了一种基于内部偏置易轴方向的磁阻静态特性优化方法。具体包括以下步骤：步骤1、将难轴偏置场设置为恒定值，设置易轴偏置场的取值获取传感曲线；步骤2、选取特定的磁场测量范围的最大值hFM，将传感曲线经过目标函数优化，获取灵敏度k、偏置b和绝对误差Err；步骤3、选取不同的磁场测量范围的最大值hFM，重复步骤2；步骤4、选取不同的易轴偏置场的取值，重复步骤1‑3，获取在同一个二维坐标的N条绝对误差Err与磁场测量范围的关系曲线；步骤5、根据所述二维坐标获取特定磁场测量范围和特定的难轴偏置场下使得绝对误差最小的易轴偏置场相应值。通过调节易轴偏置场，获取更大的线性区域。
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