公开(公告)号：CN1704887A

公开(公告)日：2005-12-07

申请号：CN200510075909.4

申请日：2005-06-01

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 梨木智刚 ,  菅原英男 ,  吉武秀敏

IPC: G06F3/033 ,  G06K11/06

Abstract: 一种接触面板，该接触面板包括：第一面板板体，该第一面板板体具有第一基层和设置在该第一基层的一个侧面上的第一导电性薄膜；以及第二面板板体，该第二面板板体具有第二基层和设置在该第二基层的一个侧面上的第二导电性薄膜；其中，该第一面板板体和该第二面板板体借助间隔件布置成便于使得该第一导电性薄膜和该第二导电性薄膜彼此面对，该第一导电性薄膜和该第二导电性薄膜之间的距离在20－100μm之间，该接触面板在距离设置于该第一面板板体的端部处的电极1.5毫米的位置处具有3.9°或更小的推挤角度。

公开(公告)号：CN1590086A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410074916.8

申请日：2004-08-30

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 野口知功 ,  安藤豪彦 ,  吉武秀敏 ,  菅原英男

IPC: B32B31/00 ,  B32B15/08 ,  H05K1/03 ,  H05K3/00

CPC classification number: C23C14/086 ,  C23C14/0042 ,  C23C14/5806

Abstract: 本发明提供用于制备透明导电层压材料的方法，该层压材料具有在包含有机聚合物模制品的衬底上的完全结晶的透明导电层。透明导电层的透明性和湿热置信度优异，比电阻不十分低，光学性质如延迟特性无变化。通过在衬底温度80－150℃，真空度为8×10－3Pa或更低的条件下溅射成膜，在包含有机聚合物模制品的衬底上形成透明导电层，以形成包含In·Sn复合氧化物的无定形透明导电层，具有占In原子和Sn原子总重量1－6％重量的Sn原子含量，膜厚为15－30nm，霍尔迁移率为15－28 cm2/V·S，载流子密度为2×1020/cm3至5×1020/cm3，在温度低于120℃下热处理该层，使其转化为完全结晶的透明导电层，其霍尔迁移率为30－45cm2/V·S，载流子密度为2×1020/cm3至7×1020/cm3，而获得透明导电层压材料。

公开(公告)号：CN202502768U

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201120411581.X

申请日：2011-10-25

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 中岛一裕 ,  梨木智刚 ,  菅原英男

IPC: H01B5/14 ,  B32B9/04 ,  B32B27/00 ,  G06F3/041

CPC classification number: G06F3/044 ,  G06F3/045 ,  G06F2203/04103 ,  Y10T428/24802 ,  Y10T428/24868 ,  Y10T428/2495

Abstract: 本实用新型提供透明导电性薄膜及触摸面板，所述透明导电性薄膜在将透明导电层图案化了的情况下也可以将图案部P和图案开口部O的可视性差异抑制在较小的程度。所述透明导电性薄膜在透明薄膜基材1上依次具备第1电介质层21、第2电介质层22、及透明导电层3，第1电介质层的厚度d21比第2电介质层的厚度d22大，第1电介质层的厚度d21为8～40nm，第2电介质层的厚度d22为3～25nm，第1电介质层的厚度d21与第2电介质层的厚度d22之差d21-d22为3～30nm。