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公开(公告)号：CN115240606A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210912255.X
申请日：2022-07-30
Applicant: 福州大学
IPC: G09G3/34
Abstract: 本发明提供了一种基于最大值法的两次背光修正区域动态调光方法，包括如下步骤：步骤1）：获得输入图像每一个像素点的亮度值，提取输入图像像素亮度值；步骤2）：按照物理背光灯珠排布进行图像虚拟分割；步骤3）：获得初始背光值；步骤4）：背光第一次修正；步骤5）：利用倍增模糊算法模拟背光在背光腔中投射扩散过程；步骤6）：将模拟投射扩散后的背光与输入图像像素亮度值进行对比求差异值，获得第二次背光修正值；步骤7）：将第一次修正后的背光值进行第二次修正，获得最终图像背光值。应用本技术方案可实现提高画面对比度的同时降低背光功耗。
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公开(公告)号：CN110676282B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN201910982320.4
申请日：2019-10-16
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种无电学接触的全彩化μLED微显示器件及其制造方法。包括设置于透明下基板表面的反射层、下驱动电极，设置于透明上基板表面的扩散层、上驱动电极，设置于上、下驱动电极之间的蓝光μLED晶粒和波长下转换发光层，以及控制模块和彩色滤光膜；上、下驱动电极和所述蓝光μLED晶粒无电学接触，控制模块与上、下驱动电极电学连接，所述控制模块提供交变驱动信号控制μLED晶粒激发出第一光源，经波长下转换发光层转化为第二光源，第一、第二光源经反射层和扩散层后，经彩色滤光膜实现全彩化μLED微显示。本发明可有效地避免全彩μLED器件中三基色μLED芯片复杂制作工艺，及发光芯片与驱动芯片复杂Bonding和巨量转移工艺，缩短μLED显示制作周期，降低制作成本。
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公开(公告)号：CN113299227B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202110388023.4
申请日：2021-04-12
Abstract: 本发明涉及一种带触控和调试功能的发光四极管。所述发光四极管从下到上依次包括蓝宝石衬底、半导体缓冲层、第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层、多量子阱层、第四半导体层；所述发光四极管均在蓝宝石衬底上进行单片多功能集成，无需精准对位和键合复杂工艺流程，可以减少或消除由于焊接键合产生的寄生电容和电阻，可以起到对输入信号的功率放大作用，实现用小功率输入信号驱动半导体发光，可以有效降低基于半导体发光显示装置的驱动电路设计复杂度，提高显示装置和功能的集成度。
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公开(公告)号：CN114141916A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111401694.6
申请日：2021-11-24
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提出一种纳米尺寸LED芯片阵列及其制备方法，在衬底上依次外延生长N型氮化镓层、量子阱有源层以及P型氮化镓层；在P型氮化镓层上图案化制作金属对该区域P型氮化镓中的掺杂物与氢形成的络合物起一定的作用，使氢从中解吸，以激活该区域；利用离子注入在除金属激活区域以外的区域形成高阻值区域；在高阻值区域上覆盖二氧化硅；分别在金属激活的P型氮化镓区域和N型氮化镓形成P型电极和N型电极。本发明技术方案采用离子注入形成电气隔离可以有效避免传统ICP刻蚀中的侧壁损伤问题和后续金属爬坡易断裂问题，并利用金属激活进一步提高激活区域的光电性能。
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公开(公告)号：CN114141805A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111401746.X
申请日：2021-11-24
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提出一种无侧壁损伤的nano‑LED阵列及其制作方法，通过图形化技术和电子束蒸发，在p型GaN层上制作纳米级的金属阵列,来激活其下方的p型GaN层，从而提高这些区域的载流子浓度，进而使nano‑LED正常发光。而没有金属覆盖的区域未被激活，载流子浓度很低，呈现高阻态，刚好可隔离nano‑LED器件，使每个nano‑LED可独立工作。本发明避免了通过刻蚀来隔离nano‑LED芯片所带来的侧壁损伤，增加了nano‑LED芯片的可利用面积，提高了nano‑LED的发光效率。这种通过选择性金属激活p型GaN来制作LED芯片的方法可拓展至nano尺寸，为实现超高分辨率的nano‑LED显示屏提供了一种有利途径。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113937205A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111203096.8
申请日：2021-10-15
Applicant: 福州大学
IPC: H01L33/62 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及一种适用于微米级芯片低温共晶键合的微凸点结构，包括从下至上依次设置的半导体衬底、图形化芯片、UBM金属层、第一金属层、第二金属层、金属凸点；所述半导体衬底、图形化芯片、UBM金属层、第一金属层外侧还设有介质层；所述第二金属层的上表面截面呈倒梯形微结构，设置于所述第一金属层表面；所述金属凸点填充于所述截面呈倒梯形微结构内，并与所述第二金属层形成所述第二合金层。本发明有效改善微凸点质量，提高微凸点器件最大耐受温度和机械强度。
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公开(公告)号：CN113937126A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111203147.7
申请日：2021-10-15
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于Micro‑LED芯片键合技术的车载透明显示器件，其特征在于，包括透明基板，若干列电极，带镂空孔阵列的透明介质层，行电极、Micro‑LED芯片和控制模块；所述列电极平行设置于所述透明基板表面，所述透明介质层设置于所述列电极阵列表面，所示行电极平行设置于所述介质层表面，与所述列电极绝缘且垂直交错；所述镂空阵列设置在行电极与列电极之间；所述镂空孔中还设有金属Pad1和金属Pad2；所述Micro‑LED芯片的阴极键合在暴露镂空处的金属Pad1上，所述Micro‑LED芯片的阳极键合在暴露镂空处的金属Pad2上；所述控制模块与行电级和列电级分别连接。本发明Micro‑LED显示尺寸小，分辨率、对比度和亮度高，应用于车载显示可有效地提高驾驶的安全性和方便程度。
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公开(公告)号：CN112436096B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202011138393.4
申请日：2020-10-22
Abstract: 本发明涉及一种用于光提取的随机纳米图案制备方法。所述随机皱褶图案的制备主要通过软印刷复制方法实现，采用原子层沉积方法生长多晶态氧化物薄膜，并以结晶颗粒为掩膜进行表面刻蚀，形成高低起伏的表面，然后配制软印刷复制材料PDMS对其表面进行压印，形成随机褶皱图案。通过改变生长条件调节结晶颗粒的分布及尺寸，从而调控随机皱褶团案的高低起伏情况，形成不同的微结构并应用于光电器件的光效提升。本发明结构简单、制作方法工艺简单、操作简便、成本低，且能大大提高光电器件的外量子点效率，效果显著。
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公开(公告)号：CN110676250B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201910982161.8
申请日：2019-10-16
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种无电学接触无巨量转移的全彩化μLED显示器件。包括设置于下透明基板表面的下驱动电极，设置于上透明基板上、下表面的光学微结构和上驱动电极，连接所述上、下透明基板的障壁微结构，设置障壁微结构内的μLED晶粒、波长下转换发光层和绝缘层以及控制模块；障壁微结构沿上驱动电极的方向依次构成红光显示的R单元，绿光显示的G单元及蓝光显示的B单元。本发明上、下驱动电极与μLED晶粒没有电学接触，通过控制模块提供交变驱动信号和电学耦合实现对μLED晶粒点亮，激发波长下转换发光层而实现全彩化显示，可有效地避免全彩μLED器件中三基色μLED芯片复杂制作工艺，及发光芯片与驱动芯片复杂Bonding和巨量转移工艺，缩短μLED显示制作周期，降低制作成本。
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公开(公告)号：CN112436096A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202011138393.4
申请日：2020-10-22
Abstract: 本发明涉及一种用于光提取的随机纳米图案制备方法。所述随机皱褶图案的制备主要通过软印刷复制方法实现，采用原子层沉积方法生长多晶态氧化物薄膜，并以结晶颗粒为掩膜进行表面刻蚀，形成高低起伏的表面，然后配制软印刷复制材料PDMS对其表面进行压印，形成随机褶皱图案。通过改变生长条件调节结晶颗粒的分布及尺寸，从而调控随机皱褶团案的高低起伏情况，形成不同的微结构并应用于光电器件的光效提升。本发明结构简单、制作方法工艺简单、操作简便、成本低，且能大大提高光电器件的外量子点效率，效果显著。
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