一种正硅酸锂材料的合成方法

    公开(公告)号:CN102674382A

    公开(公告)日:2012-09-19

    申请号:CN201210182347.3

    申请日:2012-06-05

    申请人: 郑州大学

    IPC分类号: C01B33/32

    摘要: 本发明涉及一种正硅酸锂材料的合成方法,其分别以氢氧化锂、正硅酸乙酯为锂源和硅源,用乙醇水溶液作为溶剂,采用水热法间接合成,具体为:先将氢氧化锂溶于乙醇水溶液中形成混合液A,然后加入正硅酸乙酯,混匀形成混合液B,将混合液B转入水热反应釜中于100-180℃保温2-8h,所得悬浮液烘干得到前驱体粉末,前驱体粉末于600-800℃煅烧1-6h即得。该方法合成温度较低,合成的Li4SiO4粉体颗粒细小、结晶度良好、不含杂质相且具有较高的CO2吸收率。

    一种氧化锌复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN102060520A

    公开(公告)日:2011-05-18

    申请号:CN201010532848.0

    申请日:2010-11-01

    申请人: 郑州大学

    IPC分类号: C04B35/453 C04B35/626

    摘要: 本发明公开了一种氧化锌复合材料的制备方法,其包括如下工序:溶解,将ZnO粉末分散于无水乙醇溶剂中配制成浓度为1.0~5.0g/L的ZnO悬浮液;将Zn/Sn摩尔比分别为1∶1、1∶2、2∶1的SnCl4·5H2O溶于去离子水配制成SnCl4·5H2O溶液;将Sn4+/OH-摩尔比分别为1∶8、1∶10、1∶12、1∶14的NaOH溶于去离子水得到NaOH溶液;混合,将所述NaOH溶液滴加到所述SnCl4·5H2O溶液中得到澄清透明溶液,并向溶液中加入十六烷基三甲基溴化铵,搅拌后将所述ZnO悬浮液滴加到上述溶液中,最后将混合溶液转移到反应釜内;水热,将反应釜置于烘箱内并进行水热反应,然后在烘箱内自然冷却;分离,将所得的沉淀离心分离,并用去离子水和/或乙醇洗涤,得到白色粉体;干燥,将离心洗涤得到的粉体在烘箱内烘干,获得氧化锌复合材料。

    利用高炉水渣和粉煤灰制备微晶玻璃的工艺

    公开(公告)号:CN101851063A

    公开(公告)日:2010-10-06

    申请号:CN201010179122.3

    申请日:2010-05-21

    申请人: 郑州大学

    IPC分类号: C03C10/00 C03C6/00 C03B32/02

    摘要: 本发明公开了一种利用高炉水渣和粉煤灰制备微晶玻璃的工艺,用以解决现有微晶玻璃制备工艺中存在的工艺复杂,生产成本高,废渣利用率低,不利于大规模商品化生产的问题;其包括如下工序:筛选,将高炉水渣粉碎后筛选,制得<200目的水渣粉;混料,在所述水渣粉中,加入重量百分比≤20%的粉煤灰和≤10%的助熔剂,余量为水渣粉,制得混合粉料;制浆,将所述混合物料制成浆料后干燥,制得含水率≤5%的湿料;造粒,在所述湿料中,加入≤湿料重量5%的粘结剂,制得粒料;压片晶化烧结,将所述粒料,经压片晶化烧结,制成废渣微晶玻璃。本发明具有工艺简单、生产成本低、废渣利用率高的特点。

    一种高岭石片状晶体及其制备方法

    公开(公告)号:CN101844776A

    公开(公告)日:2010-09-29

    申请号:CN201010183343.8

    申请日:2010-05-26

    申请人: 郑州大学

    IPC分类号: C01B33/40

    摘要: 本发明属于高岭土深加工技术领域,具体涉及一种高岭石片状晶体及其制备方法。该高岭石片状晶体的直径小于2微米,平均直径500-800纳米,厚度小于700纳米,平均厚度80-300纳米,比表面积32.7-49.8m2/g,制备时综合采用化学插层、机械磨剥、煅烧处理方法,该法包括下述步骤:以传统的普通高岭土或煤系高岭土为主要原料,先利用二甲基亚砜为插层剂制备高岭土/二甲基亚砜插层复合体;再以尿素为插层剂,通过置换二甲基亚砜分子制备出高岭土/尿素插层复合体;将高岭土/尿素插层复合体进行机械磨剥后,进行煅烧处理,再经过超声处理,实现对高岭石的层状剥离,从而获得晶形良好的高岭石片状晶体。

    一种三氧化钨纳米片及其制备方法

    公开(公告)号:CN101318702A

    公开(公告)日:2008-12-10

    申请号:CN200710054544.6

    申请日:2007-06-08

    申请人: 郑州大学

    IPC分类号: C01G41/02 B82B3/00

    摘要: 本发明涉及一种三氧化钨(WO3)纳米片及其制备方法。三氧化钨(WO3)纳米片的特征在于:所述三氧化钨(WO3)纳米片为单晶单斜相(JCPDS#43-1035),呈蓬松絮状,面积为(100-800)nm×(100-800)nm,表观厚度为5-40nm,BET比表面积可达100-250m2/g。其制备方法为:以钨酸基有机或无机层状混杂微/纳米带(管)为前驱物,经硝酸氧化除去前驱物层间的有机物后制得钨酸(WO3·H2O)纳米片,反应温度为15-50℃;反应时间为5-120h;所得钨酸(WO3·H2O)纳米片以1-5℃/min的加热速率升温至250-600℃,然后保温1-5h,最后自然冷却至室温脱去结晶水,制得三氧化钨纳米片。本发明工艺过程简单,操作参数变动范围大、适应性强,设备要求低,产物形貌可控、可重复性高,效率高、成本低。

    一种石墨相氮化碳纳米片多孔材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN110026226B

    公开(公告)日:2022-02-15

    申请号:CN201910419880.9

    申请日:2019-05-20

    申请人: 郑州大学

    摘要: 本发明涉及一种石墨相氮化碳纳米片多孔材料及其制备方法和应用。该石墨相氮化碳纳米片多孔材料的制备方法包括以下步骤:1)酸化处理:利用酸溶液对石墨相氮化碳前驱体进行酸化处理,得到酸化处理前驱体;2)混合:将酸化处理前驱体和气体模板剂混匀,制备固体混合物;3)煅烧:将固体混合物进行煅烧。本发明的石墨相氮化碳纳米片多孔材料的制备方法,综合利用酸化处理、气体模板剂嵌入、煅烧的处理方法制备g‑C3N4纳米片,所得产物为由纳米片组成的多孔结构,这种结构增加了材料的比表面积,也暴露出了更多的活性位点,具有了更好的捕获能力,因而也将表现出更高的光催化活性。

    一种碳化硅晶体的制备方法

    公开(公告)号:CN110791810B

    公开(公告)日:2021-03-16

    申请号:CN201810878368.6

    申请日:2018-08-03

    申请人: 郑州大学

    IPC分类号: C30B29/36 C30B1/10

    摘要: 本发明涉及一种碳化硅晶体的制备方法,属于碳化硅的制备技术领域。本发明的碳化硅晶体的制备方法,包括以下步骤:提供由非晶态二氧化硅包裹碳源前驱体与水组成的混合体系;所述混合体系中非晶态二氧化硅包裹碳源前驱体与水的质量比为100:8~11;将所述混合体系压制成型制成坯体;将所述坯体埋入石英砂中进行微波烧结合成,即得。本发明的碳化硅晶体的制备方法,通过将含一定水分的坯体埋入石英进行微波烧结,由于微波场中的热效应和非热效应,提高了局部分子的活性,从而能够降低开始生成碳化硅的温度,缩短微波烧结时间,降低微波烧结能耗。