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公开(公告)号：CN117758229A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311746671.8
申请日：2023-12-19
申请人： 上海芯物科技有限公司
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/52 , C23C16/505 , C23C16/44
摘要： 本发明提供了一种满足低温键合需求的氧化硅薄膜沉积方法及氧化硅薄膜，所述沉积方法包括：(1)将反应腔室抽至第一真空度，将承载衬底的基座升至设定温度；(2)将衬底放置于基座上，向反应腔室中通入TEOS、He与O2进行预热和稳流处理，将反应腔室抽至第二真空度；(3)设置射频功率源的功率值，在衬底的表面沉积氧化硅薄膜；(4)停止通入TEOS，保持He与O2的通入及射频功率的供应，将反应腔室中残余TEOS反应殆尽；(5)关闭射频功率，保持He与O2的通入对反应腔室吹扫，将反应腔室抽至第一真空度后取出衬底。本发明提供的沉积方法获得均匀性好、致密性高、低应力和低翘曲度的氧化硅薄膜，满足了后续低温键合的需求。
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公开(公告)号：CN116613106A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310753844.2
申请日：2023-06-25
申请人： 上海芯物科技有限公司
发明人： 杨婉君
IPC分类号： H01L21/762
摘要： 本发明公开了一种半导体器件制备方法及半导体器件，该半导体器件制备方法包括：提供基底；刻蚀基底形成多个沟槽；制备第一氧化硅层，第一氧化硅层包括位于基底表面的第一氧化硅分部以及位于沟槽内的第二氧化硅分部；在第一氧化硅层远离基底的一侧制备牺牲结构；去除牺牲结构以及第一氧化硅分部，以暴露出第二氧化硅分部和基底；制备第二氧化硅层，第二氧化硅层包括位于基底表面的第三氧化硅分部以及位于沟槽内的第四氧化硅分部，第四氧化硅分部以及第二氧化硅分部填充沟槽。采用上述技术手段，通过制备牺牲结构能够在沟槽内分两步填充氧化硅，如此能够避免由于沟槽深宽比较大，在沟槽内形成孔洞或缝隙，进而提高半导体器件的性能及可靠性。
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公开(公告)号：CN115831723A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211362478.X
申请日：2022-11-02
申请人： 上海芯物科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种硅片键合方法，包括以下步骤：提供两片硅片，并在所述硅片表面生长二氧化硅薄膜，其中至少一片硅片表面采用原子层沉积生长二氧化硅薄膜；湿法清洗所述硅片表面；利用清洗后的二氧化硅薄膜将两片所述硅片键合。由此可见，采用本发明的方法生长的二氧化硅薄膜厚度容易控制，且致密性和均匀性好，减少了键合工艺步骤，节约了成本，同时还具有优异的键合效果。
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公开(公告)号：CN115488754A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211208402.1
申请日：2022-09-30
申请人： 上海芯物科技有限公司
发明人： 姜喆
摘要： 本发明涉及CMP自动贴膜装置及方法，包括研磨台，所述研磨台上放置研磨垫，所述研磨垫与研磨台表面外径相同，所述CMP自动贴膜装置还包括定位机构，所述定位机构包括第一盘体以及与所述第一盘体远端旋转连接的第二盘体，所述第一盘体侧面设置第一固定端和第二固定端，所述第二盘体侧面设置第三固定端，所述第一固定端的端部、所述第二固定端的端部分别扣住所述研磨台侧面并抵住所述研磨垫，所述第二盘体相对于所述第一盘体旋转，使所述第三固定端的端部贴紧所述研磨台侧面旋转的同时驱使所述研磨垫与所述研磨台表面对齐，操作方便，且无需直接接触研磨垫，提高了研磨效率和晶圆品质。
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公开(公告)号：CN114252017A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111595249.8
申请日：2021-12-24
申请人： 上海芯物科技有限公司
发明人： 不公告发明人
摘要： 本发明涉及硅片键合力量测装置及其量测方法，其中量测装置包括刀片、夹具、驱动单元、测试单元、控制单元。量测方法为控制单元控制驱动单元以恒定推力推送刀片，使刀片以恒定速度移动；刀片头部与键合界面相交时建立第一数据，光源照射键合片，刀片持续移动直至指定深度停止，探测器采集裂纹并由显示单元利用量测软件对裂纹进行量测得出裂纹长度；根据裂纹长度代入键合力计算公式并获取键合力强度数值。本发明通过控制刀片在插入键合界面指定深度后停止5～30s，使得其对后续键合力的量测结果影响小，保证了键合力结果的准确性和一致性，避免刀片插入后立刻测量造成裂纹持续扩展的问题，进一步避免了扩展幅度大影响键合力计算结果导致误差的情况。
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公开(公告)号：CN114220747A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111447958.1
申请日：2021-11-30
申请人： 上海芯物科技有限公司
发明人： 不公告发明人
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明提供一种栅氧化层生长监测方法，适于监测线宽在14纳米以下的半导体元件的栅氧化层生长，包括：提供一适于监测的晶圆，所述晶圆包括衬底及衬底表面；形成一单晶硅层于所述衬底表面；形成第一栅氧化层于所述单晶硅层；对所形成的第一栅氧化层厚度进行监测。本发明能够提高栅氧化层生长监测过程中栅氧化层生长厚度的稳定性，并提高监测晶圆的利用率。
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公开(公告)号：CN113850225A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202111187034.2
申请日：2021-10-12
申请人： 上海芯物科技有限公司
摘要： 本发明实施例公开了一种目标检测方法、装置、设备及存储介质，通过获取待检测图片的至少一个特征序列；对各所述特征序列进行特征提取和转置处理，得到目标特征矩阵；根据各所述目标特征矩阵进行目标检测，确定目标检测结果。解决了目标检测过程中由于忽略了全局信息导致的检测结果不准确的问题。通过对特征序列进行特征提取和转置处理，使得到的目标特征矩阵中的每个点均与所有点相关，提取到图片的全局特征。进而在通过目标特征矩阵进行目标检测时可以考虑到全局特征，提高目标检测的精度。
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公开(公告)号：CN113540140A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110802231.4
申请日：2021-07-15
申请人： 上海芯物科技有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明实施例公开了一种背照式互补金属氧化物半导体图像传感器及其制备方法。该互补金属氧化物半导体图像传感器的制备方法包括：提供第一晶圆；在第一晶圆的表面形成外延层，其中，外延层和第一晶圆的导电类型相同，且外延层的掺杂浓度小于第一晶圆的掺杂浓度，外延层内设置有至少一个像素单元；在外延层形成至少一个掺杂区，其中，掺杂区围绕像素单元设置；在第一晶圆的表面形成第二晶圆，其中，第二晶圆内设置有图像处理电路；通过湿法刻蚀工艺去除第一晶圆；通过湿法刻蚀工艺去除掺杂区。本方案相比于干法刻蚀，可以避免对硅表面的损伤，无需修复硅表面的损伤，由此降低互补金属氧化物半导体图像传感器在形成像素单元的隔离结构受到的损伤。
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公开(公告)号：CN113419300A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110826068.5
申请日：2021-07-21
申请人： 上海芯物科技有限公司
摘要： 本说明书实施例公开了一种微透镜阵列，位于所述衬底表面的平台结构；以及，阵列排布于所述平台结构上方的多个微透镜结构；当平行的入射光线穿过所述微透镜阵列覆盖所述衬底表面时，所述平台结构的高度、所述微透镜结构的焦距以及所述衬底表面被所述入射光线覆盖的面积，三者满足以下关系:通过分别设定的所述平台结构的高度和所述微透镜结构的焦距，使得平行的所述入射光线穿过所述微透镜结构和所述平台结构后覆盖预定面积的所述衬底表面。
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公开(公告)号：CN113327852A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110586108.3
申请日：2021-05-27
申请人： 上海芯物科技有限公司
IPC分类号： H01L21/321 , H01L21/306 , H01L21/3105 , H01L21/67
摘要： 本发明提供一种晶圆表面的化学机械研磨方法，所述化学机械研磨方法包括以下步骤：(1)对晶圆表面进行第一研磨，去除晶圆沟槽上的铜主体；(2)对步骤(1)所得晶圆表面进行第二研磨，去除晶圆沟槽上的铜残留；(3)对步骤(2)所得晶圆表面进行过抛处理，减小蝶形缺陷的深度；(4)对步骤(3)所得晶圆表面进行第三研磨，将晶圆沟槽上的氧化层减薄至设定厚度。本发明提供的方法有效地减小了金属铜的蝶形缺陷深度，进一步提升了晶圆表面的平坦化程度，同时提升了研磨效率，增加了机台产能。
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