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公开(公告)号：CN115831723A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211362478.X
申请日：2022-11-02
申请人： 上海芯物科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种硅片键合方法，包括以下步骤：提供两片硅片，并在所述硅片表面生长二氧化硅薄膜，其中至少一片硅片表面采用原子层沉积生长二氧化硅薄膜；湿法清洗所述硅片表面；利用清洗后的二氧化硅薄膜将两片所述硅片键合。由此可见，采用本发明的方法生长的二氧化硅薄膜厚度容易控制，且致密性和均匀性好，减少了键合工艺步骤，节约了成本，同时还具有优异的键合效果。
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公开(公告)号：CN113540140A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110802231.4
申请日：2021-07-15
申请人： 上海芯物科技有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明实施例公开了一种背照式互补金属氧化物半导体图像传感器及其制备方法。该互补金属氧化物半导体图像传感器的制备方法包括：提供第一晶圆；在第一晶圆的表面形成外延层，其中，外延层和第一晶圆的导电类型相同，且外延层的掺杂浓度小于第一晶圆的掺杂浓度，外延层内设置有至少一个像素单元；在外延层形成至少一个掺杂区，其中，掺杂区围绕像素单元设置；在第一晶圆的表面形成第二晶圆，其中，第二晶圆内设置有图像处理电路；通过湿法刻蚀工艺去除第一晶圆；通过湿法刻蚀工艺去除掺杂区。本方案相比于干法刻蚀，可以避免对硅表面的损伤，无需修复硅表面的损伤，由此降低互补金属氧化物半导体图像传感器在形成像素单元的隔离结构受到的损伤。
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公开(公告)号：CN118748218A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410815760.1
申请日：2024-06-24
申请人： 上海芯物科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0232 , H01L31/18 , G02B3/00 , G01D5/26
摘要： 本发明公开了一种光学传感器制备方法及光学传感器。该光学传感器制备方法包括：提供一支撑衬底；在支撑衬底的表面形成具有预设厚度范围的柔性衬底；在柔性衬底远离支撑衬底的一侧表面形成超透镜结构；其中，超透镜结构包括超透镜阵列和填充部；将支撑衬底去除，形成柔性的光学传感器，以实现球面与非球面的形状转换。本发明实施例的技术方案有利于降低光学传感器的制备工艺难度，降低制备成本。
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公开(公告)号：CN118746867A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202411062081.8
申请日：2024-08-05
申请人： 上海芯物科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种超透镜及其制备方法，超透镜的制备方法，包括：S2、提供衬底；S4、在衬底的第一表面形成多个第一沟槽；S6、在第一沟槽内填充超透镜材料，以形成多个第一超透镜结构；S8、在衬底的第一表面依次形成第一牺牲层和第二牺牲层；S10、形成贯穿第二牺牲层的多个第二沟槽；S12、第二沟槽内填充超透镜材料，以形成多个第二超透镜结构；S14、在第二牺牲层表面形成支撑层。本发明的技术方案，避免采用晶圆键合、硅衬底去除等工艺，从而降低了晶圆损耗，且有利于简化工艺，进而降低超透镜的成本；同时，降低了超透镜的厚度，有利于超透镜的小型化。
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公开(公告)号：CN118567013A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410766416.8
申请日：2024-06-14
申请人： 上海芯物科技有限公司
IPC分类号： G02B3/00
摘要： 本发明公开了一种双面超透镜及其制备方法，双面超透镜包括阵列结构包括两个第一阵列结构，或者，阵列结构包括至少一个第一阵列结构和至少一个第二阵列结构；第一阵列结构和第二阵列结构均包括多个阵列柱；透明衬底的至少一个表面包括多个阵列孔；阵列孔由透明衬底的表面延伸至透明衬底内部；每一第一阵列结构设置于透明衬底的一个表面，不同第一阵列结构设置于透明衬底不同的表面，且第一阵列结构位于多个阵列孔内部；每一阵列孔对应一个阵列柱；第二阵列结构的多个阵列柱之间设置有填充结构；阵列结构包括第二阵列结构时，第二阵列结构位于透明衬底的一侧。本发明结构简单，具有更好的光学性能，可以提高双面超透镜的良率以及产出率。
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公开(公告)号：CN117646187A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311677825.2
申请日：2023-12-08
申请人： 上海芯物科技有限公司
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/505 , H01L21/02
摘要： 本发明提供了一种氧化硅膜的沉积方法，所述沉积方法包括：在待沉积的衬底上进行至少两次沉积，得到氧化硅膜；所述沉积的过程包括：将衬底加热至沉积温度，以TEOS、O2和He为反应源气体在衬底上进行沉积反应。本发明提供的沉积方法在衬底上分次生长氧化硅膜，并结合反应腔室的清理工艺，相比传统的一次性沉积，可以避免沉积反应腔体内粘附的氧化硅掉落导致膜颗粒问题，提高膜粘附性，每次沉积的温度波动幅度小，氧化硅膜层的均匀性和一致性好，提升后续晶圆的键合效果，适用于低温条件下较厚氧化硅膜的沉积。
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公开(公告)号：CN117410302A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311444574.3
申请日：2023-11-01
申请人： 上海芯物科技有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , B81C3/00 , B81B7/02
摘要： 本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，制备方法包括：提供电路基板、透光基板和超透镜；电路基板包括半导体衬底和电路层；透光基板包括透明衬底和信号传输层；在电路层远离半导体衬底的一侧表面沉积第一氧化层；图形化第一氧化层，并在第一氧化层形成第一开口；在第一开口内制作第一对准结构；将第一氧化层远离半导体衬底的一侧表面与信号传输层远离透明衬底的一侧表面键合；在透明衬底远离信号传输层的一侧表面沉积第二氧化层；将超透镜与透光基板的第二氧化层键合，得到半导体器件。采用上述技术方案，降低了半导体器件的制备难度，提高了半导体器件的可靠性，可实现半导体器件的批量、标准化生产。
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公开(公告)号：CN116798945A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310854560.2
申请日：2023-07-12
申请人： 上海芯物科技有限公司
IPC分类号： H01L21/762 , H01L27/12 , H01L21/316
摘要： 本发明公开了一种半导体器件的键合方法及半导体器件，该半导体器件的键合方法包括：提供第一晶圆；通过原子层沉积工艺在第一晶圆的一侧沉积预设厚度的二氧化硅层；提供第二晶圆并通过二氧化硅层键合第一晶圆与第二晶圆。采用上述技术手段，通过采用原子层沉积工艺在第一晶圆的一侧沉积二氧化硅层，能够保证二氧化硅层的致密性与均匀性，有利于将第一晶圆与第二晶圆通过二氧化硅层进行键合，进而可以保证键合效果，提高半导体器件的性能及可靠性。
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公开(公告)号：CN113540140B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202110802231.4
申请日：2021-07-15
申请人： 上海芯物科技有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明实施例公开了一种背照式互补金属氧化物半导体图像传感器及其制备方法。该互补金属氧化物半导体图像传感器的制备方法包括：提供第一晶圆；在第一晶圆的表面形成外延层，其中，外延层和第一晶圆的导电类型相同，且外延层的掺杂浓度小于第一晶圆的掺杂浓度，外延层内设置有至少一个像素单元；在外延层形成至少一个掺杂区，其中，掺杂区围绕像素单元设置；在第一晶圆的表面形成第二晶圆，其中，第二晶圆内设置有图像处理电路；通过湿法刻蚀工艺去除第一晶圆；通过湿法刻蚀工艺去除掺杂区。本方案相比于干法刻蚀，可以避免对硅表面的损伤，无需修复硅表面的损伤，由此降低互补金属氧化物半导体图像传感器在形成像素单元的隔离结构受到的损伤。
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公开(公告)号：CN118919406A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410967125.5
申请日：2024-07-18
申请人： 上海芯物科技有限公司
IPC分类号： H01L21/306
摘要： 本发明涉及一种超透镜先进集成电路传感器的先进集成电路晶圆回收方法，所述先进集成电路晶圆回收方法包括如下步骤：提供超透镜先进集成电路传感器结构，所述超透镜先进集成电路传感器结构包括键合的超透镜晶圆与先进集成电路晶圆，所述超透镜晶圆与先进集成电路晶圆的键合界面位于超透镜晶圆一侧具有气泡缺陷；对超透镜晶圆的硅衬底进行第一湿法蚀刻，所述第一湿法蚀刻之前或第一湿法蚀刻之后填充气泡缺陷处；然后对超透镜晶圆的超透镜结构层与气泡缺陷处的填充物进行第二湿法蚀刻，所得先进集成电路晶圆经过表面平坦化后进行回收。本发明挽救了由于键合气泡存在导致即将报废的先进集成电路晶圆，降低了工厂成本。
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