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公开(公告)号：CN101635322B
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200910091520.7
申请日：2009-08-26
申请人： 北京中联科伟达技术股份有限公司
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 一种多晶太阳能电池片的链式制绒的方法及装置，采用槽体四面溢流方式，使得反应后液体快速溢出；采用上喷淋方式；药液由上部直接补充到硅片的周围；这样使药液和硅片接触更加充分，同时也使药液温度更有利于控制，保持均匀一致，改善制绒效果；采用槽体内槽底部进液，进液口向下，并对进液管路进行处理，控制调节流量，内槽的上部开有堰口，由进液管进入的液体，向上溢出堰口流到外槽内，外槽底部开有回液口，回液口通过管路与药液循环供给槽相连，靠重力使药液流回药液循环供给槽。本发明的有益效果：温度控制更容易，温控精度达到±1℃以内；有效改善制绒效果，提高产品品质，降低反射率，制绒后反射率达到20％以下。
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公开(公告)号：CN101656221A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200910092223.4
申请日：2009-09-07
申请人： 北京中联科伟达技术股份有限公司
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/687 , H01L21/00
摘要： 应用于半导体刻蚀清洗设备的全塑料高速机械手，属于机械技术领域。采用全自动单轴模式、具备专用移载物水平保持机构、全防腐塑料机构设计方案、动力源与执行机构分区设置，是达到了高速运转、平稳传送、无金属离子污染、无颗粒污染、防腐蚀等优越性和谐统一的机械手。
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公开(公告)号：CN102386249A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110338024.4
申请日：2011-10-31
申请人： 北京中联科伟达技术股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/04
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 一种下一代结构高效率晶体硅电池及制作方法，属于晶体硅太阳能电池领域，含有以下步骤；氧化硅钝化步骤，是指在P型硅片的磷掺杂面形成一层氧化硅膜；氧化铝钝化步骤，是指在P型硅片的非掺杂面形成一层氧化铝膜；MWT(Metal Wrap Through)技术步骤，是指采用激光打孔，把电池片正面电极引到背面；新栅线形成步骤，是指采用电镀，溅射步骤。本发明有效结合了MWT，正面双层膜钝化，背面氧化铝钝化；并采用了新电池形成方案，如电镀，溅射等克服了对丝网印刷银浆的依赖，同时降低了由电极产生的电阻。能使P型单晶电池片效率提升到20％以上，P型多晶电池片效率提升到18％以上。
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公开(公告)号：CN101635322A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200910091520.7
申请日：2009-08-26
申请人： 北京中联科伟达技术股份有限公司
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 一种多晶太阳能电池片的链式制绒的方法及装置，采用槽体四面溢流方式，使得反应后液体快速溢出；采用上喷淋方式；药液由上部直接补充到硅片的周围；这样使药液和硅片接触更加充分，同时也使药液温度更有利于控制，保持均匀一致，改善制绒效果；采用槽体内槽底部进液，进液口向下，并对进液管路进行处理，控制调节流量，内槽的上部开有堰口，由进液管进入的液体，向上溢出堰口流到外槽内，外槽底部开有回液口，回液口通过管路与药液循环供给槽相连，靠重力使药液流回药液循环供给槽。本发明的有益效果：温度控制更容易，温控精度达到±1℃以内；有效改善制绒效果，提高产品品质，降低反射率，制绒后反射率达到20％以下。
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公开(公告)号：CN101656221B
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：CN200910092223.4
申请日：2009-09-07
申请人： 北京中联科伟达技术股份有限公司
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/687 , H01L21/00
摘要： 应用于半导体刻蚀清洗设备的全塑料高速机械手，属于机械技术领域。采用全自动单轴模式、具备专用移载物水平保持机构、全防腐塑料机构设计方案、动力源与执行机构分区设置，是达到了高速运转、平稳传送、无金属离子污染、无颗粒污染、防腐蚀等优越性和谐统一的机械手。
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公开(公告)号：CN101651170A
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200910194856.6
申请日：2009-08-31
申请人： 北京中联科伟达技术股份有限公司
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开一种全自动化多晶槽式酸处理设备，包括处理槽以及处理液循环用的储存罐，所述处理槽包含内槽与外槽，其中内槽下部设有液体的注入口、循环口和排液口，内槽顶面四周形成溢流以及内槽四壁侧面开一定数量的孔，从孔中连续排出药液并能达到循环。本发明处理设备从槽的下部到槽的顶部形成四面溢流，液体状态向上形成层流化，设置在内槽侧面的整流板使处理槽上部的断面积大于下部断面积以此来减少液体的滞流，使之形成对流的方式，可以确保被处理物的表面温度和浓度均匀，以及提高刻蚀后的表面精度。
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公开(公告)号：CN101640229A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200910091754.1
申请日：2009-08-27
申请人： 北京中联科伟达技术股份有限公司
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 一种多晶太阳能电池片的链式制绒降低碎片率的方法及装置，传动滚轮与限位辊子分体设计，限位辊子的设计使硅片受力方向有利于硅片的居中传送；在与硅片传送方向垂直的方向上布置限位辊子，该限位辊子绕自己的轴线自由旋转，当硅片碰到辊子时，产生的摩擦力使辊子绕自己的轴线旋转，并使硅片向传送的中心线方向移动，由于硅片的两边都布置有限位辊子，这样不论硅片碰到任一侧的限位辊子，都会使硅片产生向输送中心线方向的移动，起到自动纠偏的作用。本发明的有益效果：改变原有方案的输送滚轮与限位滚轮一体化设计，去掉限位滚轮与硅片摩擦产生的交变剪切力，减少硅片碎片的诱因，碎片率减到2‰以内。
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公开(公告)号：CN201497299U
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200920208696.1
申请日：2009-08-31
申请人： 北京中联科伟达技术股份有限公司
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本实用新型公开一种用于多晶槽式制绒设备的热风干燥系统，包括热风循环动力系统、加热系统、烘干主槽、净化系统、充N2系统；热风循环动力系统、加热系统、净化系统均位于加热系统封闭箱体内；热风循环动力系统进风口直接与烘干主槽的回风系统相连，出口与加热系统的进口直接相连；加热系统位于热风循环动力系统的前方，出口直接与净化系统的进口相连；净化系统位于加热系统的前方，出口直接与烘干主槽的循环进口相连；充N2系统是由外围的N2管道直接通到加热系统内部。本实用新型可以大大提高效率，并降低能耗、碎片率及安全隐患。
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公开(公告)号：CN201478285U
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200920222404.X
申请日：2009-09-07
申请人： 北京中联科伟达技术股份有限公司
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/687 , H01L21/00
摘要： 应用于半导体刻蚀清洗设备的全塑料高速机械手，属于机械技术领域。采用全自动单轴模式、具备专用移载物水平保持机构、全防腐塑料机构设计方案、动力源与执行机构分区设置，是达到了高速运转、平稳传送、无金属离子污染、无颗粒污染、防腐蚀等优越性和谐统一的机械手。
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公开(公告)号：CN201601138U
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200920173249.7
申请日：2009-08-27
申请人： 北京中联科伟达技术股份有限公司
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 一种多晶太阳能电池片的链式制绒降低碎片率的装置，传动滚轮与限位辊子分体设计，限位辊子的设计使硅片受力方向有利于硅片的居中传送；在与硅片传送方向垂直的方向上布置限位辊子，该限位辊子绕自己的轴线自由旋转，当硅片碰到辊子时，产生的摩擦力使辊子绕自己的轴线旋转，并使硅片向传送的中心线方向移动，由于硅片的两边都布置有限位辊子，这样不论硅片碰到任一侧的限位辊子，都会使硅片产生向输送中心线方向的移动，起到自动纠偏的作用。本实用新型的有益效果：改变原有方案的输送滚轮与限位滚轮一体化设计，去掉限位滚轮与硅片摩擦产生的交变剪切力，减少硅片碎片的诱因，碎片率减到2‰以内。
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