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公开(公告)号：CN103311797B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201210070727.8
申请日：2012-03-16
申请人： 山东华光光电子有限公司
摘要： 本发明涉及一种半导体器件烧结用夹具及半导体激光器多管芯的烧结方法。该夹具包括底座、支撑架、盖板、升降柱、弹簧、固定柱，底座上有固定支撑架，其上安装有带的盖板，升降柱装在盖板的槽孔内并伸到盖板下方，升降柱柱体上套有弹簧且其下端底面有凹槽，用于插入固定柱；在升降柱下方侧面有丝孔，螺丝拧入丝孔内用以挡住弹簧并固定凹槽内的固定柱。将半导体激光器器件放置在带有焊料的热沉上，正放在固定柱下，所述弹簧使固定柱对管芯施压，很好的固定住激光器管芯和热沉，将保护罩盖住夹具并密封，放到加热台上烧结。本发明夹具结构简单，可一次烧结多个半导体激光器件，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN103629596B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201210313283.6
申请日：2012-08-29
申请人： 山东华光光电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种激光器植物照明灯，包括电路板、在所述电路板上封装有半导体激光器管芯、在所述半导体激光器管芯上方罩有一与所述电路板形状相适应的匀光片；所述半导体激光器管芯是边发射型激光器，所述半导体激光器通过L形热沉与所述的电路板电连接，所述的L形热沉，包括L形的负极层、L形的绝缘层和L形的正极层，在所述的L形的负极层的内表面设置有L形凹槽，所述的L形的正极层嵌入设置在所述的L形凹槽内，所述L形的负极层和L形的正极层之间设置有L形的绝缘层。本发明可以提供植物所需波长的光线，具有光谱性好、功率高、响应时间短、体积小、高可靠性、强耐用性、低成本、寿命长、环保节能等显著特征。
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公开(公告)号：CN105390937A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201511024066.5
申请日：2015-12-30
申请人： 山东华光光电子有限公司
IPC分类号： H01S5/343
CPC分类号： H01S5/343 , H01S5/34326
摘要： 一种短波长AlGaInP红光半导体激光器，其结构从下至上依次为衬底、下缓冲层、下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、上限制层、上缓冲层和欧姆接触层；下缓冲层为AlxIn1-xP组分渐变层，x由0.5线性渐变至0.6；上缓冲层为AlyIn1-yP组分渐变层，y由0.6线性渐变至0.5；下波导层及上波导层均为(AlzGa1-z)0.6In0.4P；下限制层及上限制层均为Al0.6In0.4P。本发明通过AlInP组分渐变缓冲层，使得限制层及波导层的In组分降到0.4，限制层材料折射率减小，波导层材料带隙增加，可以更好地限制光子和载流子，同时，量子阱层在低应变条件下即可获得590-620nm的短波长的光。
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公开(公告)号：CN105352610A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510821309.1
申请日：2015-11-23
申请人： 山东华光光电子有限公司
IPC分类号： G01J9/00
CPC分类号： G01J9/00
摘要： 本发明涉及一种测试GaAs基半导体激光器外延片发光波长的方法及其应用，包括由下至上依次设置的衬底、下包层、有源区、上包层、接触层，具体步骤：(1)在所述GaAs基半导体激光器外延片表面生长一层不吸收有源区发出的光的介质膜，介质膜折射率m的取值为1＜m＜n，n为GaAs基半导体激光器外延片发出的光线在GaAs中的折射率；介质膜厚度d的取值为0＜d≤λ/2m，λ为GaAs基半导体激光器外延片发出的光线的波长；介质膜表面粗糙；(2)进行常规光致发光测试；(3)去除所述介质膜。采用本发明所述方法，GaAs基半导体激光器外延片发出的光线入射到空气中时发生全反射的几率大大减小，逃逸出外延片的光线数量增加。
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公开(公告)号：CN105319834A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201410374231.9
申请日：2014-07-31
申请人： 山东华光光电子有限公司
IPC分类号： G03F1/44
摘要： 一种具有集成检测标记的光刻掩膜版，包括在所述光刻掩膜版上设置的对准标记、测量标记和包含脊形波导信息的图案，所述对准标记用于与晶片定位边对齐；测量标记A包括至少两条分别与所述对准标记相垂直的标记条；所述每条标记条分别包括个数相同的标记格顺次垂直于对准标记排列。本发明所述检验标记包括对准标记与偏离度测量标记，其中的偏离度测量标记设计，可同时用于检验工艺中图形质量。本发明提供的检验标记给出测量偏离度的简单有效的方法，有助于节省购买专用设备的资金、提高产品合格率；同时集偏离度测量与图形质量检验于一体，减少检验标记在晶片上的占用面积，提高有效产品产出率。
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公开(公告)号：CN105310771A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201410375344.0
申请日：2014-07-31
申请人： 山东华光光电子有限公司
摘要： 本发明涉及一种出射均匀光斑的半导体激光器医疗模组及其应用，包括半导体激光器、激光器散热片、孔径光阑、准直透镜、镜筒、光斑匀化装置和玻璃窗口，所述半导体激光器设置在激光器散热片上，所述在半导体激光器射出激光束的方向上依次平行设置孔径光阑、准直透镜、光斑匀化装置和玻璃窗口，所述半导体激光器、激光器散热片、孔径光阑、准直透镜、光斑匀化装置和玻璃窗口均固定设置于镜筒内。本发明采用多种组合方式确保了激光束射出后后的光斑匀化效果更好，作用更明显，尤其提高了在医疗领域的使用效果。
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公开(公告)号：CN105244756A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510822357.2
申请日：2015-11-24
申请人： 山东华光光电子有限公司
摘要： 一种微通道半导体激光器的烧结夹具及其烧结方法，该烧结夹具包括定位底座和可调盖板，可调盖板连接在定位底座上，定位底座上设置有凹面，凹面的两侧为凸台；可调盖板包括主体、压块和压块调节机构，主体上设置有压块槽，压块通过压块调节机构安装于压块槽内。上述装置对微通道半导体激光器烧结的方法，是将烧结有半导体激光器巴条芯片的微通道热沉、绝缘片和可调盖板自下至上依次连接在定位底座上，并用螺栓固定，将上述固定好的整个夹具密封在通有氮气的保护罩壳内，放于加热台上进行烧结。本发明结构简单，成本低廉，操作简便可靠，通过一次烧结即对微通道半导体激光器的巴条芯片、微通道热沉、绝缘片和负极片实现快速精准的固定连接。
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公开(公告)号：CN105226502A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201410323884.4
申请日：2014-06-30
申请人： 山东华光光电子有限公司
IPC分类号： H01S5/343
摘要： 本发明一种窄脊条型GaAs基GaInP量子阱结构半导体激光器的制备方法，通过在外延片上面旋涂光刻胶后利用PECVD生长干法刻蚀的掩膜，再选用合适的光刻版通过光刻制备需要的掩膜图形，采用干法刻蚀的方式刻蚀掉没有保护处的掩膜和光刻胶，制备出所需要的掩膜图形以及与掩膜图形一致的光刻胶图形，而且光刻胶图形在掩膜图形的下面，再利用干法刻蚀的方式制备出侧面垂直且形貌比较好的脊型结构，最后生长电流阻挡层，剥离光刻胶去掉脊条上面的电流阻挡层，制备出侧面垂直形貌良好的脊型结构。本方法不仅可以利用干法刻蚀的方式制备出侧面垂直形貌良好无盖帽的脊型结构，还采用剥离生长电流阻挡层的方式，在脊条上面形成良好的欧姆接触，防止电流侧向泄露，减小激光器的阈值电流，提高激光器的性能。
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公开(公告)号：CN103364956B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201210088322.7
申请日：2012-03-29
申请人： 山东华光光电子有限公司
摘要： 一种光纤输出激光均匀化消散斑的方法及装置，属于激光应用技术领域。本方法是通过给光纤施加应力改善光纤输出激光光束的空间分布，同时由震动马达带给光纤的轻微震动匀化照射面上的干涉散斑。本发明的光纤输出激光均匀化消散斑的装置包括底座、光纤、光纤压紧器、震动源；光纤压紧器由顶紧螺丝及上、下两页片扣合组成，扣合面为起伏面。本发明用于光纤输出半导体光纤耦合输出激光器，解决了光纤输出激光的空间分布不均匀性及相干散斑问题，本装置使用简单、效果显著，可广泛应用于激光显示、激光照明、夜视、安防等领域。
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