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公开(公告)号：CN109643645A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780053614.8
申请日：2017-06-01
Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构
IPC: H01L21/20 , C23C14/06 , C23C14/34 , H01L21/203 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/786 , H01L29/812 , H01L33/32 , H01S5/042 , H01S5/183 , H01S5/343
CPC classification number: C23C14/0641 , C23C14/06 , C23C14/34 , H01L21/20 , H01L21/203 , H01L29/778 , H01L29/7788 , H01L29/786 , H01L29/78603 , H01L29/812 , H01L33/32 , H01L33/325 , H01S5/042 , H01S5/0425 , H01S5/183 , H01S5/343
Abstract: 本发明的化合物半导体具有5×1019cm-3以上的高电子浓度，显示46cm2/V·s以上的电子迁移率，且显示低电阻性，由此构成高性能的半导体器件。根据本发明，提供一种能在室温～700℃下在大面积的衬底上成膜的n型导电型13族氮化物半导体。
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公开(公告)号：CN109149367A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810621937.9
申请日：2018-06-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 吉永弘幸
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/3402 , H01S5/0202 , H01S5/0206 , H01S5/02272 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/1039 , H01S5/12 , H01S5/2224 , H01S5/227 , H01S5/2275 , H01S5/3401 , H01S5/343 , H01S2301/176
Abstract: 本发明提供量子级联激光器、发光设备、制作半导体激光器的方法。量子级联激光器包括：激光器结构，所述激光器结构具有第一区、第二区和第三区，第一区具有端面；高比电阻区，所述高比电阻区被设置在第一区和第二区的主表面上；金属层，所述金属层被设置在第三区的主表面上；介电膜，所述介电膜被设置在端面和高比电阻区上；以及反射金属膜，所述反射金属膜被设置在介电膜、端面和高比电阻区上。第一至第三区被依次布置在第一轴的方向上。激光器结构具有半导体台面和半导体基部。半导体基部安装半导体台面。介电膜在第一区与第二区之间的边界处具有水平差，并且台阶在与第一轴的方向交叉的第二轴的方向上延伸。
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公开(公告)号：CN109066291A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201811002764.9
申请日：2018-08-30
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/34313 , H01S5/343
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，提供了一种半导体芯片及其制作方法，该半导体芯片包括：衬底、依次层叠设置在衬底上的隔离层以及功能层；隔离层包括下悬浮层以及牺牲层，下悬浮层设置在衬底上，牺牲层设置在下悬浮层上；隔离层还包括悬浮区域，下悬浮层以及牺牲层沿悬浮区域的周向设置；其中，悬浮区域的深度大于牺牲层的厚度。本发明的半导体芯片的功能层通过悬浮区域悬浮在衬底上，由于悬浮区域的深度大于牺牲层的厚度使得功能层与衬底之间的空气间隔较大，具有较好的隔热性，有效减少了热量通过衬底耗散的情况的发生，从而将大部分热量传导至热调谐电极，提高了芯片的热调谐效率。
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公开(公告)号：CN108886236A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780018613.X
申请日：2017-02-08
Applicant: 斯考皮欧技术有限公司
Inventor： 达米安·兰贝特
IPC: H01S5/183 , H01S5/22 , H01L21/768
CPC classification number: G02B6/12002 , G02B6/12004 , G02B6/12007 , G02B6/122 , G02B6/136 , G02B2006/12061 , G02B2006/12104 , G02B2006/12121 , G02B2006/12142 , G02B2006/12147 , H01S5/0202 , H01S5/021 , H01S5/02252 , H01S5/026 , H01S5/028 , H01S5/22 , H01S5/3013 , H01S5/343 , H01S5/4025 , H01S5/4087 , H04B10/505 , H04J14/02
Abstract: 半导体激光器具有形成于增益芯片中的反射镜。可以将所述反射镜置于所述增益芯片中以提供宽带反射器，从而使用所述增益芯片支持多个激光器。所述反射镜也可以置于所述增益芯片中，以通过改变所述半导体激光器的增益的光程长度来使所述半导体激光器更高效或更强大。
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公开(公告)号：CN108885320A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780019883.2
申请日：2017-02-08
Applicant: 斯考皮欧技术有限公司
Inventor： 李国良 , 斯蒂芬·B·克拉苏利克 , S·德赛
CPC classification number: G02B6/12002 , G02B6/12004 , G02B6/12007 , G02B6/122 , G02B6/136 , G02B2006/12061 , G02B2006/12104 , G02B2006/12121 , G02B2006/12142 , G02B2006/12147 , H01S5/0202 , H01S5/021 , H01S5/02252 , H01S5/026 , H01S5/028 , H01S5/22 , H01S5/3013 , H01S5/343 , H01S5/4025 , H01S5/4087 , H04B10/505 , H04J14/02
Abstract: 400Gb/s发射机集成在硅衬底上。发射机使用四个增益芯片、十六个激光器、四个调制器以及四个多路复用器，其中四个调制器用以按25Gb/s对十六个激光器进行调制，四个多路复用器用以产生四个光输出。每个光输出可以100Gb/s的速率传输，以产生400Gb/s发射机。还描述了其他变型。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104254951B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201380000582.7
申请日：2013-02-19
Applicant: 索尔思光电(成都)有限公司
IPC: H01S5/343 , H01S5/068 , H01S3/0941
CPC classification number: H01S5/343 , G02F1/025 , G02F2001/0155 , H01S5/0265 , H01S5/0612 , H01S5/06213 , H01S5/06251 , H01S5/068 , H01S5/1014 , H01S5/106 , H01S5/34306 , H01S5/347
Abstract: 一种调制激光器系统通常包括发光区域，配备多个半导电层的调制区域，和分隔发光区域和调制区域的隔离区域，其中至少有一个半导电层包含具有可变能带间隙的量子井层。所述激光器可以是电吸收调制激光器，所述发光区域可包含分布反馈激光器，而所述调制区域可包含电吸收调制器。所述激光器的制造步骤包括：在基板上塑造下半导电缓冲层，在下半导电缓冲层上塑造活性层（包含带能带间隙的可变一个或多个量子井层），在活性层上塑造上半导电缓冲层，在上半导电缓冲层塑造接触层，和塑造隔离发光区域和调制区域的隔离区域。
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公开(公告)号：CN107946902A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201711339317.8
申请日：2017-12-14
Applicant: 武汉电信器件有限公司
Abstract: 本发明涉及激光器技术领域，提供了一种DFB激光器及其制作方法。制作方法包括在衬底上制作有缓冲层、下限制层、有源层、上限制层、腐蚀停止层和光栅层，在腐蚀脊波导时，光刻出脊波导图形，脊波导图形包括矩形部分和锥形部分；锥形部分被设置在待制作激光器的出光面侧，其中，锥顶与出光面齐平，锥底与矩形部分衔接；在锥形部分中，其锥顶的宽度比锥底的宽度小0.3-0.5um；同步腐蚀出对应矩形部分和锥形部分的矩形脊波导和锥形脊波导。本发明中锥头短波长光反射回来进入大光场限制因子区域的锥底，而锥底长波长光反射回来进入小光场限制因子区域的锥顶而更容易激射出来，克服常规的双纵模模式，有效提高激光器的单模成品率。
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公开(公告)号：CN104205533B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201280071826.6
申请日：2012-03-26
Applicant: 英特尔公司
Inventor： H·朴
CPC classification number: H01S5/3013 , B82Y20/00 , G02B6/122 , H01S5/026 , H01S5/0422 , H01S5/1032 , H01S5/2027 , H01S5/343 , H01S5/34306
Abstract: 描述了包括包含抗谐振波导的混合激光器的装置和系统以及用于制作这种装置和系统的方法的实施例。混合激光器装置可包括：第一半导体区域，包括选自III族、IV族或V族半导体的一层或多层半导体材料的有源区域；以及与该第一半导体区域耦合并且具有光波导的第二半导体区域，第一沟槽被布置在该光波导的第一侧，并且第二沟槽被布置在该光波导的与该第一侧相对的第二侧。可描述和/或要求保护其他实施例。
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公开(公告)号：CN107851952A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201580080695.1
申请日：2015-06-05
Applicant: I·B·彼得雷斯库-普拉霍瓦
Inventor： I·B·彼得雷斯库-普拉霍瓦
IPC: H01S3/063
CPC classification number: H01S5/1082 , H01S5/1014 , H01S5/125 , H01S5/2031 , H01S5/2086 , H01S5/22 , H01S5/3213 , H01S5/343 , H01S2301/185
Abstract: 具有镜面保护的半导体激光器装置包括横向上的具有双波导的结构以及纵向上的主分段和端部分段，所述双波导由有源波导和分离的或相邻的陷波波导组成，所述端部分段的上包层的厚度朝向反射镜逐渐减小。在主分段中，场分布是非对称的，主要位于下包层。在端部分段中，场分布逐渐进一步向下薄层传输。沿着端部分段，基模限制因子Γ逐渐且显著减小。限制因子Γ的减小防止有源区在出口反射镜上的投影的退化，激光元件对退换最敏感。
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公开(公告)号：CN106340810A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201610876145.7
申请日：2016-10-08
Applicant: 武汉华工正源光子技术有限公司
Inventor： 韩宇
Abstract: 本发明提供了一种五段式InP基单片集成可调谐斜腔激光器芯片及其制作方法，包括以下步骤：选择一磷化铟衬底；在磷化铟衬底上生长一次外延结构，包括缓冲层、四元下波导层、多量子阱层、四元上波导层、腐蚀停止层、光栅层；在一次外延结构上刻蚀光栅调谐区和相位匹配区并对接生长无源波导层；在无源波导层上用二氧化硅掩膜选区制作部分光栅并掩埋；在一次外延结构上刻蚀电吸收外调制区并对接生长电吸收外调制层的下波导层、多量子阱层与上波导层并掩埋；在芯片上制作倾斜脊波导并掩埋生长光限制层与电接触层；在电接触层上制作P面电极，在芯片背面制作N面电极；镀膜并解理成单个芯片，完成该激光器芯片的制作。
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