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公开(公告)号：CN104934508A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201410121029.5
申请日：2014-03-20
申请人： 山东华光光电子有限公司
IPC分类号： H01L33/10
CPC分类号： H01L33/10
摘要： 本发明提供一种反射镜结构粗化的AlGaInP反极性发光二极管结构，由底部至顶部的结构依次为p电极、衬底、键合层、带有粗化结构的反射镜层、绝缘层、电流扩展层、p型半导体层、有源发光区、n型半导体层、窗口层，n电极；所述带有粗化结构的反射镜层覆盖于键合层之上，呈现粗化形式，并以开孔的形式穿透绝缘层与带有粗化结构的电流扩展层直接接触。本方法可有效解决AlGaInP反极性LED光提取效率低下的问题，且易于与现有工艺相集成，在大功率LED生产中具有很大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN103545403A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201210240470.6
申请日：2012-07-11
申请人： 山东华光光电子有限公司
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 一种光辅助LED湿法粗化设备，属于发光二极管制造设备技术领域。包括密封箱体、腐蚀溶液槽、光源模块、通风排气扇、恒温加热装置以及定时器。腐蚀溶液槽、光源模块、通风排气扇以及恒温加热装置安装在密封箱体的内部，恒温加热装置安装在密封箱体的底部，腐蚀溶液槽安装在恒温加热装置的上方，光源模块与通风排气扇安装在箱体的顶部，定时器安装在密封箱体的外部。本发明可以有效粗化Ga面GaN以及GaP等难以粗化的半导体材料,显著缩短LED芯片粗化加工的时间，提高生产效率，并且使得LED 芯片的粗化制程高度可控，显著提高LED芯片的良率。
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公开(公告)号：CN101908594A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN201010206097.3
申请日：2010-06-23
申请人： 山东华光光电子有限公司
IPC分类号： H01L33/44
摘要： 本发明提供了一种反极性AlGaInP红光LED芯片电流扩展的制作方法，包括以下步骤：在AlGaInP红光LED外延片的P面蒸镀的金属层上光刻出圆形图案，将这些圆形图案以外的金属层去掉，形成一个个金属小圆柱；使P面的外延层与金属层形成欧姆接触；在整个P面上淀积介质膜；在介质膜上用光刻的方法套刻圆形图案，腐蚀掉每个圆形图案上的介质膜，形成电流窗口；在介质膜和电流窗口上蒸发金属，形成一个莲蓬式的电流扩展层；采用常规晶片粘接工艺，将GaAs衬底置换为Si或SiC衬底。本发明以多孔结构组成莲蓬式的电流扩展，使电流得到了很好的扩展，大大提高了LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN103633552B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201210313306.3
申请日：2012-08-29
申请人： 山东华光光电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种贴片式激光器封装结构，包括半导体激光器管芯和L形热沉；所述L形热沉，包括L形的负极层、L形的绝缘层和L形的正极层，在所述的L形的负极层的内表面设置有L形凹槽，所述的L形的正极层嵌入设置在所述的L形凹槽内，所述L形的负极层和L形的正极层之间设置有L形的绝缘层；所述半导体激光器管芯安装在所述L形的负极层内表面且无L形凹槽的部位。本发明体积小、可靠性高、焊点缺陷率低，且易于实现自动化，提高生产效率，降低成本。
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公开(公告)号：CN103367465A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201210087908.1
申请日：2012-03-29
申请人： 山东华光光电子有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及一种有金属反射镜的多结太阳能电池及其制备方法。本发明在多结太阳能电池结构上制作局部接触的欧姆接触电流通道，将其它区域的第二帽子层去掉，依次制备透明导电介质材料和蒸镀金属反射镜、阻挡金属层和键合金属。采用键合技术，将外延片键合到第二衬底上，去除第一衬底后的外延片进行电极蒸镀，光刻电极图形，同时去掉多余的第二帽子层后进行合金，然后蒸镀减反射膜，光刻出电极图形，最后蒸镀背面金属，进行合金。本发明在键合的过程中，制备了金属反射镜，将对光吸收严重的帽子层去掉，多余的光会反射回电池，提高光利用率，提高电池效率。
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公开(公告)号：CN101908592A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN201010226992.1
申请日：2010-07-15
申请人： 山东华光光电子有限公司
IPC分类号： H01L33/38
摘要： 本发明公开了一种有效利用电流的LED电极结构及其制作方法；该LED电极结构是在LED电极的下方设置有部分非欧姆接触区；其制作方法是在LED管芯制作出欧姆接触层后，在欧姆接触层上所要制作电极的位置去除掉部分欧姆接触层，接着去胶清洗，在整个欧姆接触层上，包括去掉的那一部分，按常规方法蒸镀上金属电极层，腐蚀去除所要制作的电极图形之外的那部分金属电极层；最后合金，在没有去除掉的欧姆接触层上形成欧姆接触。本发明减少了遮挡光，增加了电流的有效利用，提高了发光效率，且制作方法操作简单，实施容易，可靠性稳定性高，适用范围广。
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公开(公告)号：CN103629596B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201210313283.6
申请日：2012-08-29
申请人： 山东华光光电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种激光器植物照明灯，包括电路板、在所述电路板上封装有半导体激光器管芯、在所述半导体激光器管芯上方罩有一与所述电路板形状相适应的匀光片；所述半导体激光器管芯是边发射型激光器，所述半导体激光器通过L形热沉与所述的电路板电连接，所述的L形热沉，包括L形的负极层、L形的绝缘层和L形的正极层，在所述的L形的负极层的内表面设置有L形凹槽，所述的L形的正极层嵌入设置在所述的L形凹槽内，所述L形的负极层和L形的正极层之间设置有L形的绝缘层。本发明可以提供植物所需波长的光线，具有光谱性好、功率高、响应时间短、体积小、高可靠性、强耐用性、低成本、寿命长、环保节能等显著特征。
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公开(公告)号：CN104916752A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201410102782.X
申请日：2014-03-14
申请人： 山东华光光电子有限公司
摘要： 本发明提供一种窗口层覆盖有氧化铟锡的反极性AlGaInP发光二极管结构，由底部至顶部的结构依次为p电极、衬底、键合层、反射镜层、绝缘层、电流扩展层、p型半导体层、有源区、n型半导体层、n型半导体接触层、窗口层、氧化铟锡层、n电极；所述氧化铟锡层覆盖于窗口层之上并以圆柱体形式贯穿开孔的窗口层与n型半导体接触层直接接触。本发明可有效提升LED芯片的光提取效率与电流扩展效率，并且易于与现有工艺相结合。
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公开(公告)号：CN104078535A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201310108349.2
申请日：2013-03-31
申请人： 山东华光光电子有限公司
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/0066
摘要： 本发明涉及一种反极性AlGaInP基LED侧壁粗化方法，包括步骤如下：（1）利用现有的光刻工艺对反极性AlGaInP基LED的mesa图形外延片进行曝光与显影，在所述mesa图形外延片四周形成定周期性边缘图形；（2）利用所述含饱和Br2去离子水对步骤（1）显影完成的所述mesa图形外延片进行腐蚀；（3）对步骤（2）腐蚀后的mesa图形外延片按照常规工艺进行清洗、去胶处理，形成与所述周期性边缘图形形状对应的粗化侧壁。本发明首次提出利用光刻技术实现LED芯片的侧壁粗化，与现有技术相比本发明极大的提升了LED的光提取效率特别是LED芯片侧面的光提取效率，改善LED器件的外量子效率，降低内部发热，延长LED的工作寿命。
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公开(公告)号：CN103682003A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210318969.4
申请日：2012-08-31
申请人： 山东华光光电子有限公司
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/0062 , H01L33/22 , H01L33/30
摘要： 本发明涉及一种湿法加工窗口层侧壁倾斜的AlGaInP四元LED芯片，包括在所述LED芯片的上表面设置有侧壁倾斜的窗口层，在所述窗口层的倾斜侧壁与顶面上设置有利用湿法粗化法制备的锥状粗化结构。所述窗口层的侧壁法向倾斜角度范围：36～75°，所述窗口层的厚度范围：1～10μm。所述锥状粗化结构包括多个紧密排列的单元锥体，所述单元锥体的底面直径范围：300nm～4μm，所述单元锥体的高度范围：200nm～4μm。本发明湿法加工窗口层侧壁倾斜的AlGaInP四元LED芯片极大的提升了AlGaInP四元LED的光提取效率，相对于传统结构芯片其光提取效率可提升60%以上。
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