废气处理装置的废气处理塔及该处理塔所用的电加热器

    公开(公告)号:CN100562355C

    公开(公告)日:2009-11-25

    申请号:CN200510082344.2

    申请日:2001-12-21

    发明人: 今村启志

    IPC分类号: B01D53/70 B01D53/74

    摘要: 一种废气处理塔,当进行半导体废气的高温热分解反应时,该废气处理塔可确保废气分解处理室中使用的电加热器的供电部的绝缘性良好,且可尽可能地降低电加热器通电时的负荷,并将热损耗降至最低。解决的方案是由如下所述部件构成废气处理塔:(a)内部形成有废气分解处理室(1a)的废气处理塔主体(3);(b)安装在废气处理塔主体(3)的底部上的主体底部(4);(c)插入主体底部(4)且设置在废气处理塔主体(3)内的供气管(6),废气(F)通过该供气管的前端被放入废气分解处理室(1a)内;(d)主体底部(4)内设有其供电部(8b)且设立在主体底部(4)上的电加热器(7)。

    气体处理装置
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103316561B

    公开(公告)日:2016-07-06

    申请号:CN201310009031.9

    申请日:2013-01-10

    发明人: 加藤利明

    IPC分类号: B01D53/00 B01D53/18 F23G7/06

    摘要: 本发明提供一种气体处理装置,即使氢气等可燃气体以高浓度流入,也能够安全且可靠地一并对包含其在内的各种处理对象气体进行除害处理。气体处理装置(10)从处于竖立设置在水槽(18)上的筒状的反应器(12)的上部的入口端口(28)供给处理对象气体(F),在所述反应器(12)的内部进行所述处理对象气体(F)的热分解之后,从设置在所述反应器(12)的下部的排出口(12a)排出热分解处理后的排出气体(G)。所述反应器(12)的下端面开口,并且在所述水槽(18)内的水(W)中经过而输送来的氧化性气体(A)通过该下端开口(12b)被导入所述反应器(12)。

    气体处理装置
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103316561A

    公开(公告)日:2013-09-25

    申请号:CN201310009031.9

    申请日:2013-01-10

    发明人: 加藤利明

    IPC分类号: B01D53/00 B01D53/18 F23G7/06

    摘要: 本发明提供一种气体处理装置,即使氢气等可燃气体以高浓度流入,也能够安全且可靠地一并对包含其在内的各种处理对象气体进行除害处理。气体处理装置(10)从处于竖立设置在水槽(18)上的筒状的反应器(12)的上部的入口端口(28)供给处理对象气体(F),在所述反应器(12)的内部进行所述处理对象气体(F)的热分解之后,从设置在所述反应器(12)的下部的排出口(12a)排出热分解处理后的排出气体(G)。所述反应器(12)的下端面开口,并且在所述水槽(18)内的水(W)中经过而输送来的氧化性气体(A)通过该下端开口(12b)被导入所述反应器(12)。

    气体处理装置
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101541400A

    公开(公告)日:2009-09-23

    申请号:CN200780043055.9

    申请日:2007-08-03

    IPC分类号: B01D53/46 B01J19/08

    摘要: 提供一种气体处理装置,该气体处理装置容易管理,维修的频率低,而且可对从半导体制造过程等工业过程排出的各种处理对象气体进行处理,通用性高。气体处理装置(10)具有反应器(12),该反应器(12)围绕大气压等离子体(P)和朝大气压等离子体(P)供给的处理对象气体(F),在其内部进行处理对象气体(F)的热分解;其中特征在于:在反应器(12)设置用于由水(W)覆盖其内面的水供给装置(16)。按照该构成,大致在反应器(12)的内面整体形成所谓的“润湿壁”。为此,可防止处理对象气体(F)中的固体成分接触在反应器(12)的内面而产生附着、堆积,同时,可使该内面的劣化延迟。

    半导体排放气体处理装置

    公开(公告)号:CN101357296A

    公开(公告)日:2009-02-04

    申请号:CN200710138267.7

    申请日:2007-07-31

    发明人: 今村启志

    IPC分类号: B01D53/75 F23G7/06

    摘要: 本发明提供一种半导体排放气体处理装置,其可以把包含PFCs的半导体排放气体高效而且安全可靠地进行分解、使其无害化。本发明的半导体排放气体处理装置设有湿式的入口洗涤器(12)、反应炉(14)、湿式的出口洗涤器(16)和排气扇(18);所述湿式的入口洗涤器通过入口管(22)与半导体制造装置的腔室连接,通过从喷嘴(12b)喷射的水对从该腔室排出的半导体排放气体(X)进行清洗;所述反应炉通过电加热器(34)产生的热量对被所述入口洗涤器水洗了的半导体排放气体进行分解处理;所述湿式的出口洗涤器对在所述反应炉中热氧化分解了的处理完了的半导体排放气体进行水洗·冷却;所述排气扇安装在所述出口洗涤器的气体流通方向下游端部,对半导体排放气体进行吸引·排气。

    半导体排放气体处理装置

    公开(公告)号:CN101357295A

    公开(公告)日:2009-02-04

    申请号:CN200710138266.2

    申请日:2007-07-31

    发明人: 今村启志

    IPC分类号: B01D53/74 F23G7/06

    摘要: 本发明提供一种半导体排放气体处理装置,该半导体排放气体处理装置可以高效而且可靠地将半导体排放气体分解使其无害化,而且维护保养性优异。其特征在于,设有反应炉(14),反应炉(14)由筒状的反应炉本体(30)、电加热器(32)和气体导入管(34)构成;反应炉本体设有在由耐火材料围着的内部将半导体排放气体X热分解的排放气体处理室(38),而且在底部的相互接近的位置开设有气体导入口(40)和气体排出口(42);电加热器对排放气体处理室进行加热;气体导入管把半导体排放气体导入排放气体处理室的上部,其上端配设在排放气体处理室的上部,而且其下端向反应炉本体的外部突出地插入气体导入口。

    全氟化碳或全氟化物的除害方法及除害装置

    公开(公告)号:CN1227054C

    公开(公告)日:2005-11-16

    申请号:CN00126859.7

    申请日:2000-09-07

    发明人: 今村启志

    IPC分类号: B01D53/70

    CPC分类号: Y02C20/30

    摘要: 提供了一种能够在尽可能低的温度下(消耗的热能少),以高除害率分解除去PFC成分的方法。一种全氟化碳或全氟化物的除害方法,其特征在于在制造设备排出的含有全氟化碳或全氟化物的被处理气体中,混合烃气体或氨气中一种或两种以上气体后,在非氧化性气氛下使上述混合气体热分解。