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    互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法
    1.
    发明授权
    互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN101866938B

    公开(公告)日：2012-09-26

    申请号：CN201010187292.6

    申请日：2007-04-25

    申请人： 智慧投资II有限责任公司

    发明人： 车韩燮

    IPC分类号： H01L27/146

    CPC分类号： H01L27/14603 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14689

    摘要： 本发明提供一种制造互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器的方法，其包括：一种制造互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器的方法，所述方法包括：在衬底上形成栅极结构；使用第一掩模在紧邻于所述栅极结构的衬底上实施第一离子注入过程以形成光电二极管；在所述光电二极管上形成第一图案化阻挡层；在所述栅极结构的侧壁上和第一图案化阻挡层的侧壁上形成隔离物；以及使用作为第二掩模的掩模图案和所述隔离物实施第二离子注入过程。

    互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法
    4.
    发明公开
    互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法 无效

    公开(公告)号：CN102931132A

    公开(公告)日：2013-02-13

    申请号：CN201210390789.7

    申请日：2009-06-10

    申请人： 智慧投资II有限责任公司

    发明人： 表成奎

    IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L27/146

    CPC分类号： H01L27/14687 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L27/14689

    摘要： 本发明的目标是提供一种CMOS图像传感器的制造方法，该方法能够防止在CMOS图像传感器中由配线升起现象引起的小丘缺陷。为此，本发明提供一种CMOS图像传感器的制造方法，包括步骤：准备在其上形成有第一金属配线的基板；在第一金属配线上形成层间绝缘层；蚀刻层间绝缘层以形成暴露第一金属配线的一部分的接触孔；沿接触孔的内表面在层间绝缘层上形成缓冲层；进行热处理工艺；蚀刻缓冲层以在接触孔的内壁形成间隔物；沿层间绝缘层的包括间隔物的内表面形成阻挡金属层；在阻挡金属层上形成接触插塞以使得接触孔被掩埋；以及在层间绝缘层上形成第二金属配线以使得第二金属配线连接到接触插塞。

    用于高分辨率CMOS图像传感器的堆叠式像素
    5.
    发明授权
    用于高分辨率CMOS图像传感器的堆叠式像素 有权

    公开(公告)号：CN101866939B

    公开(公告)日：2012-11-28

    申请号：CN201010197949.7

    申请日：2006-06-27

    申请人： 智慧投资II有限责任公司

    发明人： 雅罗斯拉夫·希内切克

    IPC分类号： H01L27/146

    CPC分类号： H01L27/14621 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14643

    摘要： 提供了一种固态CMOS图像传感器，特别是一种具有堆叠式光位点、高灵敏度和低暗电流的CMOS图像传感器。在包括像素阵列的图像传感器中，每个像素包括：标准光感测和电荷存储区域，其形成于基片的表面部分下的第一区域中，且收集产生光的载流子；第二电荷存储区域，其相邻于所述基片的表面部分而形成，且与所述标准光感测和电荷存储区域分离；以及势垒，其形成于所述第一区域与所述第一区域之下的第二区域之间，且将所述产生光的载流子从所述第二区域转向至所述第二电荷存储区域。

    光掩模以及利用该光掩模制造图像传感器的方法
    6.
    发明授权
    光掩模以及利用该光掩模制造图像传感器的方法 有权 转让 复审申请

    公开(公告)号：CN101271864B

    公开(公告)日：2012-07-18

    申请号：CN200810087507.X

    申请日：2008-03-19

    申请人： 智慧投资II有限责任公司

    发明人： 南现熙 ,  朴正烈

    IPC分类号： H01L21/311 ,  G03F1/38

    CPC分类号： H01L21/31144 ,  G03F1/50 ,  H01L21/31116

    摘要： 本发明涉及一种光掩模以及利用该掩模来制造图像传感器的方法，图像传感器的制造方法包括在逻辑电路区域和像素区域中的在衬底上形成绝缘层；在绝缘层上形成光刻胶；图案化光刻胶以形成其中暴露像素区域中的绝缘层而不暴露逻辑电路区域中的绝缘层的光刻胶图案，其中在逻辑电路区域到像素区域的方向上光刻胶图案的厚度在像素区域与逻辑电路区域之间的界面区域中逐渐减小；和在光刻胶图案和绝缘层的蚀刻速率基本相同的条件下在绝缘层和光刻胶图案上实施回蚀刻工艺。

    背照式图像传感器
    7.
    发明授权
    背照式图像传感器 有权 转让

    公开(公告)号：CN101335282B

    公开(公告)日：2012-07-04

    申请号：CN200810127544.9

    申请日：2008-06-27

    申请人： 智慧投资II有限责任公司

    发明人： 朴成炯 ,  李柱日

    IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L27/148

    CPC分类号： H01L27/14603 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/1464

    摘要： 一种背照式图像传感器，包括：光电二极管，形成在半导体衬底的顶表面之下，用于接收从半导体衬底背侧照射的光以产生光电荷；反射栅极，形成在半导体衬底正面的上表面上的光电二极管上，用于反射从衬底背侧照射的光和接收偏压以控制光电二极管的耗尽区；和转移栅极，用于将光电荷从光电二极管转移至像素的感测结点。

    在图像传感器中形成金属互连的方法
    8.
    发明授权
    在图像传感器中形成金属互连的方法 失效 转让 复审申请

    公开(公告)号：CN1992199B

    公开(公告)日：2012-01-18

    申请号：CN200610168217.9

    申请日：2006-12-26

    申请人： 智慧投资II有限责任公司

    发明人： 崔璟根

    IPC分类号： H01L21/768

    CPC分类号： H01L21/76801 ,  H01L21/76828 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14687

    摘要： 一种在图像传感器中形成金属互连的方法，所述方法包括：(a)在衬底上形成具有接触塞的第一层间介电(ILD)层，其中接触塞包含具有层叠的Ti/TiN双层的钨；(b)在第一ILD层上形成扩散阻挡层；(c)在H2和N2的混合气体环境下进行混合气体退火；(d)在扩散阻挡层上形成第二ILD层；(e)蚀刻第二ILD层和扩散阻挡层来形成暴露所述接触塞表面的沟槽；(f)形成导电层来填充所述沟槽以及(g)使导电层平坦化来形成用电连接接触塞的金属互连，其中金属互连由Cu形成，第二ILD层由包含氮和氮-氢的氟化硅酸盐玻璃形成，步骤(b)和(c)相继地实施。

    背照式图像传感器的像素
    9.
    发明授权
    背照式图像传感器的像素 有权

    公开(公告)号：CN102709299B

    公开(公告)日：2014-11-05

    申请号：CN201210151627.8

    申请日：2008-06-27

    申请人： 智慧投资II有限责任公司

    发明人： 朴成炯 ,  李柱日

    IPC分类号： H01L27/146

    CPC分类号： H01L27/14603 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/1464

    摘要： 一种背照式图像传感器的像素，包括：衬底，具有正上表面和背侧；光电二极管，配置为响应从所述衬底的背侧接收的光以产生光电荷，其中所述光电二极管形成在所述衬底的所述正上表面附近；以及反射栅极，设置在所述光电二极管之上，并且配置为将从所述衬底的背侧接收的光反射到所述光电二极管的前侧，其中所述反射栅极还配置为接收偏压信号，以控制所述光电二极管的耗尽区的范围。