公开(公告)号：CN118658940A

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202410688387.8

申请日：2017-03-09

申请人： 洛克引线框架私人有限公司

发明人： R·亚拉尼安 ,  S·扎莫达兰

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/62 ,  H01L33/60 ,  H05K3/06 ,  H05K3/18 ,  H05K1/02

摘要： 本发明涉及半导体器件和制造方法，具体地涉及引线框架或柔性印刷电路(FPC)以及制造GAM值大于2.0的引线框架或FPC的方法。所述方法包括对经电解清洁的引线框架或FPC进行微蚀刻步骤，以提供经微蚀刻的引线框架或FPC；或者对经电解清洁的引线框架或FPC进行镀铜工序，以提供双重镀铜的引线框架或FPC。随后对经微蚀刻的引线框架或者双重镀铜的引线框架或FPC进行亮沉积镀镍工序、银触击电镀工序、亮银电镀工序和随后的银剥离工序，以提供镜面亮银引线框架或FPC。

公开(公告)号：CN109075019A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780024743.4

申请日：2017-03-09

申请人： 洛克引线框架私人有限公司

发明人： R·亚拉尼安 ,  S·扎莫达兰

IPC分类号： H01L21/00 ,  H05K3/00 ,  C23F1/00 ,  C25D3/12 ,  C25D3/40 ,  C25D3/46

摘要： 本发明涉及引线框架或柔性印刷电路(FPC)以及制造GAM值大于2.0的引线框架或FPC的方法。所述方法包括对经电解清洁的引线框架或FPC进行微蚀刻步骤，以提供经微蚀刻的引线框架或FPC；或者对经电解清洁的引线框架或FPC进行镀铜工序，以提供双重镀铜的引线框架或FPC。随后对经微蚀刻的引线框架或者双重镀铜的引线框架或FPC进行亮沉积镀镍工序、银触击电镀工序、亮银电镀工序和随后的银剥离工序，以提供镜面亮银引线框架或FPC。