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公开(公告)号：CN110610894A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201911043432.X
申请日：2012-11-27
申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/687
摘要： 本发明揭示了使用基板支撑装置清洗基板背面的方法，包括：终端执行器夹持基板至旋转夹盘的上方，第一气体通道和第二气体通道关闭；终端执行器向下移动至基板靠近导柱，打开第二气体通道，通过第二注入口向基板的正面喷射气体；终端执行器释放基板，关闭第二气体通道，第二注入口停止向基板的正面喷射气体，基板沿导柱的侧表面下落至导柱的支撑部并由支撑部支撑；打开第二气体通道，第二注入口喷射出的气体吹浮起基板；终端执行器从旋转夹盘的上方移走，打开第一气体通道，通过第一注入口向基板的正面吹气，利用伯努利效应使基板保持稳定的漂浮状态；旋转夹盘旋转，将至少一个喷嘴移至基板背面的上方，喷嘴向基板背面喷洒清洗液，清洗基板的背面。
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公开(公告)号：CN105983552B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201510081989.8
申请日：2015-02-15
申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
摘要： 本发明涉及半导体生产和制造领域，更具体地说，涉及到一种防掉落的半导体清洗装置。该防掉落的半导体清洗装置包括：固定模组和喷头，以及声波发生器和位移探测器，其中，声波发生器与喷头搭配运作，该位移探测器包括固定端和测量端，其中位移探测器的固定端被固定在所述固定模组上，位移探测器的测量端为可伸缩的，声波发生器压紧位移探测器的测量端且与固定模组固定，该位移探测器感应测量端的伸缩量以检测所述声波发生器是否松动。采用本发明提供的半导体清洗装置，能够防止其中的声波发生装置掉落，从而避免了晶圆被砸碎的情况发生。
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公开(公告)号：CN105448775B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201410512991.1
申请日：2014-09-29
申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
摘要： 本发明涉及半导体加工领域，更具体地说，涉及一种半导体硅片的双面气相刻蚀工艺。本发明提出了一种硅片的双面气相刻蚀装置，包括刻蚀腔，该刻蚀腔分别与输气系统和排气系统相连，刻蚀腔内刻蚀气体的进出及流通由输气系统后排气系统控制，在该装置的刻蚀腔内设置有至少3个导向轮，刻蚀过程中，导向轮位于与硅片重合的平面且沿着硅片的径向向内卡位，以将硅片卡持固定，导向轮分布于硅片的边缘位置处；导向轮中至少有一个与驱动装置相连并在该驱动装置的作用下发生滚动以带动所述硅片，硅片由导向轮传动而旋转；输气系统与喷嘴连接，喷嘴在硅片的侧方喷气，喷嘴喷出的气体流经硅片的正反两面。本发明还提出了一种双面气相刻蚀的方法。
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公开(公告)号：CN108291325B
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201580085077.6
申请日：2015-12-04
申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： C25D17/06
摘要： 本发明公开了一种基板保持装置，包括杯形夹盘(101)、密封件(111)、夹盘板(102)和竖直驱动装置(103)。密封件(111)包括底部(1111)、外壁(1112)和内壁(1114)。内壁(1114)设有唇形密封部(1115)。密封件(111)的底部(1111)和外壁(1112)分别包裹住杯形夹盘(101)的基部(1011)的底壁和侧壁的外表面。唇形密封部(1115)包裹杯形夹盘(101)的支撑部(1014)以密封基板(113)正面的边缘。该装置防止基板正面的边缘、基板的背面及杯形夹盘接触电解液溶液。
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公开(公告)号：CN105321843B
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201410366171.6
申请日：2014-07-29
申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明揭示了一种均匀气流装置，包括：导气管，导气管中空形成气体腔，在导气管的侧壁和底端开有出气孔，出气孔与气体腔连通，气体腔连接到气体输送管道，导气管沿高度方向具有数个安装槽，每两个安装槽之间为一段，每一段中具有不同数量的出气孔。数个引导片，分别安装在导气管的外壁上的安装槽中，数个引导片具有不同的面积，引导片引导从导气管的不同的段中输出的气流，沿不同的引导片流至引导片的边缘之后向下，由不同的段中输出的气流在该均匀气流装置的下方形成各自的气流区域，气流区域的正投影面积与对应段中出气孔的数量相关。
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公开(公告)号：CN105506728B
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201410512977.1
申请日：2014-09-29
申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
摘要： 本发明涉及电化学抛光领域，尤其涉及抛光液中的金属离子回收系统。本发明公开了一种从电化学抛光液中析出金属离子的装置，包括液槽和电源，其中所述液槽分为溢流池和电解池，该溢流池和该电解池通过疏通管路相连通，二者之间还设置有循环泵，使液槽中的溶液在溢流池和电解池之间循环流动；电解池内插入与直流电源相连通的阳极板和阴极板，阳极板和阴极板分别连接至直流电源的正极和负极，直流电源供电后在阴极板处发生固态物质的析出反应；电解池内设置有回收滤袋，该回收滤袋允许溶液及溶液中所含的离子自由通过，而阻挡所述固态物质的通过，固态物质被过滤并留滞于回收滤袋内。整套回收装置能够使电解反应进行的更加均匀、充分，并很好地解决了金属颗粒污染溶液的问题，具有突出的进步效果。
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公开(公告)号：CN105313015B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201410366212.1
申请日：2014-07-29
申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： B24B57/00
摘要： 本发明揭示了一种抛光液过滤装置，包括储液桶、第一阀门、泵、过滤器、颗粒检测器及第三阀门。储液桶储存抛光液原液或回收的抛光液。第一阀门的进液端与储液桶连接。泵的进液端与第一阀门的出液端连接。过滤器的进液端与泵的出液端连接。颗粒检测器的进液端与过滤器的出液端连接。第三阀门的进液端与颗粒检测器的出液端连接，第三阀门的出液端与储液桶连接。本发明通过反复过滤抛光液，并采用颗粒检测器检测经由过滤器过滤后的抛光液中的颗粒含量，能够确保抛光液中的颗粒含量小于或等于预设值。
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公开(公告)号：CN104867845B
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201410066813.0
申请日：2014-02-26
申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明揭示了一种气相刻蚀装置，包括：工艺腔、氢氟酸储存罐、汽化器、质量流量控制器、真空泵及自动压力控制器。工艺腔用于气相刻蚀反应。氢氟酸储存罐储存液态的氢氟酸。汽化器使液态的氢氟酸汽化转变成氟化氢气体与水蒸汽的混合气体。质量流量控制器控制输送至工艺腔的气体的流量。真空泵对工艺腔抽真空。自动压力控制器控制工艺腔内的气压，使工艺腔内的气压保持在一设定值，在该设定值，供应至工艺腔内的气体及刻蚀反应的生成物均以气态的形式存在于工艺腔中。本发明将液态的氢氟酸作为反应物原料，能够降低工艺成本，且更安全，此外，供应至工艺腔内的气体及刻蚀反应的生成物均以气态的形式存在于工艺腔中，避免发生粘连。
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公开(公告)号：CN105196177B
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201410235876.4
申请日：2014-05-30
申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： B24B49/00
摘要： 本发明揭示了一种利用现有的电化学抛光设备对晶圆夹盘的倾斜度进行检测的晶圆夹盘倾斜度的检测方法，包括如下步骤：分别测量晶圆中心点(O点)以及晶圆上其他两点(A点与B点)与喷头喷射出的抛光液的液面之间的高度值Ho，Ha，Hb，其中该其他两点(A点和B点)的连线不经过晶圆中心点(O点)；计算Ha与Ho之间的差值，以及Hb与Ho之间的差值；结合A点与O点之间的水平距离La以及B点与O点之间的水平距离Lb，计算晶圆上A点与O点所在的直线与水平面之间的倾斜度为arctan((Ha‑Ho)/La)，B点与O点所在的直线与水平面之间的倾斜度为arctan((Hb‑Ho)/Lb)。
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公开(公告)号：CN105088328B
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201410190482.1
申请日：2014-05-07
申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
摘要： 本发明揭示了一种电化学抛光供液装置，包括腔室、第一抛光液槽、第二抛光液槽、第一喷头、第二喷头及电源。腔室开设有排液口。第一抛光液槽盛有抛光液，第一抛光液槽与腔室的排液口连接。第二抛光液槽盛有抛光液。第一喷头的上端口设置在腔室内，第一喷头的下端口设置在第一抛光液槽内，第一喷头通过其上端口将第一抛光液槽内的抛光液喷射至待抛光晶圆的表面。第二喷头的上端口设置在腔室内，第二喷头的下端口设置在第二抛光液槽内，第二喷头通过其上端口将第二抛光液槽内的抛光液喷射至待抛光晶圆的外边缘。电源的阴极与第一喷头电连接，电源的阳极与第二喷头电连接。
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