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公开(公告)号：CN118267938B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410702408.7
申请日：2024-06-03
申请人： 苏州纽姆特纳米科技有限公司
摘要： 本发明涉及流化床的气相沉积技术领域，尤其涉及基于流化床气相沉积的纳米材料制备方法，本发明通过将反应气体以预设的脉冲频率以及脉冲幅度导入流化床反应器中，通过获取旋风分离器的分离参数计算流化床的流化状态变化表征系数，以判定流化床的流化状态是否存在异常变化，将流化床的气体分配板上温度变化异常的区域确定为温度异性区域，根据温度异性区域与气体分配板上的边缘区域的重合关系确定颗粒堆积影响类别，以对反应气体的导入方式进行调整，进而，实现了及时监测到流化床反应器的流化状态异常，以及根据不同原因造成的气体分配板上颗粒粘结位置不同去采取适应性的反应气体导入方式，提高了纳米材料的制备稳定性。
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公开(公告)号：CN118142465B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410567390.4
申请日：2024-05-09
申请人： 苏州纽姆特纳米科技有限公司
摘要： 本发明涉及流化床自控制技术领域，特别是指自适应流化床反应器控制系统，该系统包括：第一自控模块、第二自控模块、辅助模块和第三自控模块；对流化床反应罐内的反应物料进行周期性一次实时检测，根据各一次实时检测结果确定是否进行进料补充；对所述流化床反应罐内的压力进行周期性二次实时检测，根据各二次实时检测结果确定是否进行进料补充；根据各一次实时检测结果和各二次实时检测结果确定对气体分布板的实际清理周期；对所述流化床反应罐内的气体分布板进行周期性三次实时检测，并根据三次实时检测结果对所述实际清理周期进行修正以得到最优清理周期。本发明通过实时检测结果自主进行调节和优化，提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN118479467A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410925095.1
申请日：2024-07-11
申请人： 苏州纽姆特纳米科技有限公司
IPC分类号： C01B32/16
摘要： 本发明涉及化学制备领域，尤其涉及一种基于流化床气相沉积的材料合成方法，包括获取反应器壁的异常检测点的数量以及分布参考值，并确定反应器壁温状态；根据反应器壁温状态确定异常分析方式；根据工作状态确定分析调节目标，根据催化剂工作时长以及流化床工作时长确定工作状态所处的状态类别，并根据工作状态所处的状态类别确定是否针对催化剂通量参数或出料频次进行调节；根据静电监测图进行分析以确定分析调节目标中，根据静电监测图中各静电监测曲线对应的静电参数确定静电状态，以及根据静电状态确定静电处理策略；本发明提高了流化床气相沉积的材料制备效果。
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公开(公告)号：CN118059770B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410501065.8
申请日：2024-04-25
申请人： 苏州纽姆特纳米科技有限公司
摘要： 本发明涉及流化床包覆技术领域，尤其涉及一种基于流化床的粉体材料包覆工艺，包括，步骤S1，制备包覆溶液；步骤S2，喷洒包覆溶液；步骤S3，采集流化包覆图像；步骤S4，实时包覆面积占比；步骤S5，确定基材的干燥固化；步骤S6，完成粉体材料包覆制备。本发明通过在包覆溶液中加入染色剂，能够准确地判定当前包覆状态，同时筛选出距离罐体视窗位置较近的基材图像部分，能够减少图像采集过程中的环境光线干扰，便于准确地识别图像中基材的颜色，以精准的计算图像中达到染色标准的基材的面积占比，提高流化床的粉体材料包覆效果检测的精准度，同时精准控制粉体材料的加热固化时间节点，有效地提高了粉体材料的流化包覆质量。
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公开(公告)号：CN118267938A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410702408.7
申请日：2024-06-03
申请人： 苏州纽姆特纳米科技有限公司
摘要： 本发明涉及流化床的气相沉积技术领域，尤其涉及基于流化床气相沉积的纳米材料制备方法，本发明通过将反应气体以预设的脉冲频率以及脉冲幅度导入流化床反应器中，通过获取旋风分离器的分离参数计算流化床的流化状态变化表征系数，以判定流化床的流化状态是否存在异常变化，将流化床的气体分配板上温度变化异常的区域确定为温度异性区域，根据温度异性区域与气体分配板上的边缘区域的重合关系确定颗粒堆积影响类别，以对反应气体的导入方式进行调整，进而，实现了及时监测到流化床反应器的流化状态异常，以及根据不同原因造成的气体分配板上颗粒粘结位置不同去采取适应性的反应气体导入方式，提高了纳米材料的制备稳定性。
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公开(公告)号：CN117070915A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311326671.2
申请日：2023-10-13
申请人： 苏州纽姆特纳米科技有限公司
IPC分类号： C23C16/26 , G01D21/02 , H01M4/133 , H01M4/1393 , H01M10/0525 , C23C16/455 , C23C16/44 , C23C16/52
摘要： 本发明涉及电极制备技术领域，尤其涉及一种基于电池电极的碳纳米电极制备系统，包括：基材制备模块用以通过原子层沉积方式制备基体材料；检测模块用以获取基材制备模块的制备参数；电极制备模块用以根据制备参数通过化学气相沉积方式在基体材料表面生长碳纳米管以制备对应的电极材料；回收输送模块用以对基材制备模块的输出气体中的若干杂质进行净化，回收惰性气体并输送至电极制备模块；协调模块，用以确定基材制备模块的稳定性特征参数并根据稳定性特征参数确定对基材制备模块和/或电极制备模块的若干协调方案；通过模块化设计对基材原子层沉积过程和电极碳纳米管过程进行有机结合，有效提高了电极制备系统的整体性。
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公开(公告)号：CN118621304A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410710013.1
申请日：2024-06-03
申请人： 苏州纽姆特纳米科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种制备硅碳材料的取热式化学气相沉积方法，属于硅碳材料技术领域。该方法包括：于取热式化学气相沉积装置中进行硅碳材料的制备；该装置包括反应器主体和控温系统；反应器主体包括加热区和反应区；控温系统包括用于对加热区进行加热的加热设备、用于对反应区进行换热的取热组件及用于监测反应器主体温度变化的测温元件；制备过程包括：于加热区进行的原料加热过程以及于反应区进行的硅沉积过程和碳沉积过程；硅沉积过程及碳沉积过程均于恒温条件下进行。该方法能够实现恒温硅沉积和恒温碳沉积，制备过程中控温系统的控温方式简单可靠，控温效果佳，能够有效提高硅碳材料的产率，且易于实现硅碳材料产品的安全、高质量稳定制备。
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公开(公告)号：CN118173750A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410399437.0
申请日：2024-04-03
申请人： 苏州纽姆特纳米科技有限公司
IPC分类号： H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/583 , H01M10/0525 , C23C16/24 , C23C16/26 , C23C16/442 , C23C16/52
摘要： 本发明涉及电池负极材料技术领域，具体而言，涉及硅碳材料及其制备方法和锂电池负极材料。该制备方法包括对大颗粒多孔炭进行硅沉积和碳包覆，且在硅沉积和碳包覆任意步骤后对物料颗粒进行破碎处理；其中，大颗粒多孔炭的粒径范围为0～150μm，破碎后的物料颗粒的平均粒径不大于20μm；碳包覆时采用一步碳包覆方式或两步碳包覆方式；碳包覆时形成的包覆层质量占硅碳材料总质量的0.01％～10％。本发明提供的硅碳材料的制备方法涉及独特的原材料、设备和工艺，所需生产流程短、设备少、理论成本低，本发明应用于锂电池负极材料的制备，提升了现有电池材料的化学气相沉积技术过程的稳定性、可控性和安全性。
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公开(公告)号：CN117139573B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311416895.2
申请日：2023-10-30
申请人： 苏州纽姆特纳米科技有限公司
摘要： 本发明涉及复合碳纳米管技术领域，尤其涉及一种复合碳纳米管的表面精度控制方法，本发明在搅拌过程中实时获取加热混合仓内混合物表面的图像以及搅拌棒所受压力值，计算搅拌上浮表征系数，并判定是否满足预设上浮标准，在满足预设上浮标准时，根据搅拌上浮表征系数调整第一搅拌棒的旋转速度以及超声波发生装置的发射频率，在不满足预设上浮标准时，开启第二搅拌棒运行，并调整第二搅拌棒的旋转速度，本发明考虑搅拌过程中碳纳米管颗粒聚集上浮的现象，适应性调整搅拌参量，并且，通过第二搅拌棒将上浮的碳纳米管引入搅拌涡流中，进而，减少搅拌过程中碳纳米管颗粒团聚和上浮，提高复合碳纳米管的均匀性，减少气孔孔隙，提高成品表面精度。
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公开(公告)号：CN117181136A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311443245.7
申请日：2023-11-02
申请人： 苏州纽姆特纳米科技有限公司
摘要： 本发明涉及流化床技术领域，尤其涉及一种基于流化床的纳米喷雾包覆系统，包括罐体，用以为罐体提供经加压、加热的流化床所需气体的进风加热模块；用以向待包覆材料喷射加压的包覆溶液的喷雾模块；用以收集包覆颗粒以获取包覆颗粒的图像的图像获取模块；用以获取待包覆材料的物理参数、包覆溶液的物理参数及所述包覆颗粒的图像的数据获取模块；用以基于所述包覆颗粒的图像确定所述待包覆材料的包覆状态，以使根据待包覆材料的包覆状态确定所述流化床执行包覆作业的对应参数的数据分析模块；用以根据所述数据分析模块确定的对应参数控制所述流化床执行包覆作业的控制执行模块；本发明克服了现有技术对流化床参数调整的精确度低的问题。
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