公开(公告)号：CN117242040A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202280023466.6

申请日：2022-03-22

申请人： AXT有限公司

发明人： 刘伟国 ,  拉贾拉姆·谢蒂 ,  张伟

IPC分类号： C03B11/08

摘要： 提供了用于垂直梯度凝固8英寸砷化镓(GaAs)衬底的方法和晶片。在公开的示例中，公开了用于形成具有硅作为掺杂剂的砷化镓(GaAs)衬底的垂直梯度凝固系统，该系统包括坩埚，其用于在形成过程中容纳GaAs液态熔体和晶种材料；一个或多个加热线圈，其布置在多个加热区中；以及基座，其相对于坩埚移动，该系统可操作以控制多个加热区的加热和基座的移动以形成单晶GaAs衬底。

公开(公告)号：CN115279953A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202180017346.0

申请日：2021-02-26

申请人： AXT有限公司

发明人： 莫利斯·扬 ,  刘伟国 ,  周闻万 ,  逊格尼·乔治·楚 ,  张伟

IPC分类号： C30B11/00 ,  C30B29/40

摘要： 本发明公开了具有低腐蚀坑密度、低滑移线密度、以及低应变磷化铟的方法和晶片，其可以包括具有4英寸以上的直径，具有小于500cm‑2的测量的腐蚀坑密度，并具有通过X射线衍射成像测量的少于5个位错或滑移线的磷化铟单晶晶片。所述晶片可具有200cm‑2以下、或100cm‑2以下、或10cm‑2以下的测量的腐蚀坑密度。所述晶片可以具有6英寸以上的直径。测量的腐蚀坑密度为零的晶片面积可以是表面总面积的至少80％。测量的腐蚀坑密度为零的晶片面积可以是表面总面积的至少90％。

公开(公告)号：CN1303263C

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN98811320.1

申请日：1998-11-20

申请人： AXT有限公司

发明人： 肖留 ,  朱萌

IPC分类号： C30B11/00 ,  C30B29/00

CPC分类号： C30B11/00 ,  C30B29/42

摘要： 在砷化镓单晶锭的垂直舟生长中，将预定数量的粉末石墨包含在炉料中，以直接确立生长晶锭中有关的预计目标电学特征。电学特征相应于生长晶锭中的碳的浓度。