公开(公告)号：CN108866630A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810827502.X

申请日：2018-07-25

申请人： 汉能新材料科技有限公司

发明人： 肖亚东 ,  雷仁贵 ,  谈笑天

IPC分类号： C30B29/42 ,  C30B28/06

CPC分类号： C30B29/42 ,  C30B28/06

摘要： 本发明提供了一种砷化镓多晶合成方法，包括以下步骤：提供具有相连通的上腔和下腔的反应容器，在下腔内填装砷，在上腔内安装承装容器，且承装容器内填装有镓；然后密封并抽真空反应容器；随后对反应容器进行升温处理，以使砷和镓进行合成反应；最后，对反应容器进行降温处理，并将合成的砷化镓多晶体取出。本发明采用垂直布里奇曼法进行多晶合成，生产量高；多晶料在承装容器内成型，因此在单晶装料时，可与承装容器完全匹配，提高每炉次的投料量并降低单晶生产成本；由于反应容器垂直设置并具有上腔和下腔，反应容器热场的温度梯度分布均匀，合成的多晶料致密、无孔洞，无富镓，合成比例较之前有比较大的改善。

公开(公告)号：CN106062258B

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201480076252.0

申请日：2014-10-08

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 神田乔之 ,  小南信也 ,  上野雄一郎 ,  石津崇章 ,  清野知之 ,  高桥勋

IPC分类号： C30B11/00 ,  C30B29/12

CPC分类号： C30B13/08 ,  C01G15/00 ,  C30B11/00 ,  C30B11/002 ,  C30B11/007 ,  C30B13/14 ,  C30B13/16 ,  C30B29/12 ,  C30B29/42 ,  C30B29/46 ,  C30B29/48 ,  C30B35/002 ,  C30B35/007

摘要： 作为用于晶体培养的晶体培养用坩埚(10)，使用一种坩埚，其具备：保持原料(20)的保持部(12)；回收使保持于保持部(12)的原料(20)气化了时的初级馏出物(24)的初级馏出物回收部(14)；对使保持于保持部(12)的原料(20)气化了时的主馏出物进行凝缩的主馏出物凝缩部(16)；以及对由主馏出物凝缩部(16)凝缩后的原料熔液(28)所构成的主馏出物(30)进行保持且在使晶体从所保持的主馏出物(30)培养时用于生成晶体的晶体培养部(18)。由此，能够实现半导体晶体的原料的高纯度化，并且能够提高晶体的制造效率。

公开(公告)号：CN106894092A

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201510962460.7

申请日：2015-12-21

申请人： 有研光电新材料有限责任公司

发明人： 马英俊 ,  林泉 ,  龙彪 ,  张洁 ,  张赓 ,  刘晓慧 ,  钱钧 ,  王琦

IPC分类号： C30B29/42 ,  C30B15/00

CPC分类号： C30B29/42 ,  C30B15/00

摘要： 本发明公开了一种水平法砷化镓单晶拉制过程中接籽晶的方法，包括以下步骤：(1)将封装好砷化镓多晶料的石英管装入十二段加热区水平单晶炉加热体，以0.5-50℃/min的速率使各温区升温；(2)当各温区温度达到1100℃-1450℃时，停止升温，保持加热体各区温度化料1-30小时；(3)当料化后固液界面从右向左进入界面区(VII区)5-20mm时，保持VI区温度，迅速将除VI区以外的各高温区温度调至1100-1300℃；(4)当熔融的料将籽晶熔掉2-20mm时，用1-35℃/h的速率降VI区温度，至晶体长出后，保持VI区温度开始拉晶。本发明的方法操作简单，可以有效的减少籽晶熔尽，籽晶被熔融的料淹没情况出现给生产带来的损失的几率，提高单晶成品率。

公开(公告)号：CN106435721A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610844357.7

申请日：2016-09-22

申请人： 东莞市联洲知识产权运营管理有限公司

发明人： 王文庆

IPC分类号： C30B25/18 ,  C30B29/42 ,  H01L21/02

CPC分类号： C30B25/183 ,  C30B25/186 ,  C30B29/42 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02546

摘要： 本发明涉及半导体制造及设计技术领域，特别涉及一种GaAs/Si外延材料制备方法，包括：选取单晶Si衬底，并对单晶Si衬底清洗；在所述单晶Si衬底上形成凹层；在所述凹层上形成Si薄膜层，Si薄膜层在凹层的凹槽处悬空设置；在所述Si薄膜层上形成GaAs种子层；在所述GaAs种子层上形成GaAs第一缓冲层；在所述GaAs第一缓冲层上形成GaAs第二缓冲层；在所述GaAs第二缓冲层上形成GaAs外延层。本发明实现了在价格便宜的单晶Si衬底上制备高质量的GaAs晶体薄膜，并且未引入附加应力场，在后续的器件制作中对器件品质不会产生附加的不良影响。

公开(公告)号：CN102057078B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN200980120374.4

申请日：2009-05-29

申请人： 陶氏康宁公司

发明人： M·罗伯达

IPC分类号： C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L21/02447 ,  C23C16/325 ,  C23C16/45523 ,  C30B25/02 ,  C30B29/36 ,  C30B29/406 ,  C30B29/42 ,  C30B29/52 ,  H01L21/02367 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02661

摘要： 提供在外延生长工艺过程中降低记忆效应的方法，其中使用含氢气和含卤素的气体的气体混合物在生长步骤之间冲刷CVD反应腔室。

公开(公告)号：CN104109906A

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201410171993.9

申请日：2010-01-08

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 藤井俊辅 ,  川濑智博 ,  羽木良明 ,  桥尾克司

IPC分类号： C30B29/42 ,  C30B11/00

CPC分类号： C30B29/42 ,  C30B11/00

摘要： 提供一种可通过较简单的构造获得良好品质的单晶的单晶制造装置、单晶的制造方法及单晶，单晶制造装置(1)将坩埚(4)中保持的原料加热熔化后，使其从一个方向凝固，从而制造出单晶，具有安瓿(3)及坩埚(4)、底座(2)、加热器(5)，底座(2)支撑安瓿(3)，加热器(5)用于加热安瓿(3)及坩埚(4)，构成底座(2)的材料的导热率为0.5W/(m·K)以上、应形成的单晶的导热率的值以下，构成底座(2)的材料中，波长为1600nm以上、2400nm以下的光相对于厚4mm的该材料的透光率为10％以下。

公开(公告)号：CN102575378A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080046939.1

申请日：2010-10-14

申请人： 埃尔塔设备公司

发明人： L·D·华盛顿 ,  D·P·波尔 ,  G·西伽士 ,  G·何

IPC分类号： C30B25/02 ,  H01L21/205

CPC分类号： C30B25/02 ,  C30B25/183 ,  C30B29/40 ,  C30B29/42 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262

摘要： 本发明的实施方案一般涉及以高生长速率(诸如大约30μm/hr或更快，例如大约40μm/hr，大约50μm/hr，大约55μm/hr，大约60μm/hr或更快)外延生长III/V族材料的工艺。可以在太阳能、半导体或其他电子装置应用中利用沉积的III/V族材料或膜。在一些实施方案中，可以在气相沉积工艺期间在设置于支撑衬底上或上方的牺牲层上形成或生长III/V族材料。随后，可以在外延剥离(ELO)工艺期间将III/V族材料从支撑衬底上移除。III/V族材料是外延生长层的薄膜，所述外延生长层的薄膜含有砷化镓、砷化镓铝、砷化镓铟、氮化砷化镓铟、磷化镓铝铟、其磷化物、其氮化物、其衍生物、其合金或其组合物。

公开(公告)号：CN102543787A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110381839.0

申请日：2011-11-22

申请人： 寇平公司

发明人： E·M·雷德 ,  M·尤恩格尔斯 ,  P·莱斯

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/8248 ,  C23C16/52 ,  C30B25/16

CPC分类号： H01L22/12 ,  C23C16/52 ,  C30B25/16 ,  C30B29/40 ,  C30B29/42 ,  H01L22/26

摘要： 本发明涉及用于对半导体层的生长进行监控的方法。通过以下方式来监控薄膜的沉积：在薄膜的沉积期间利用入射束照射薄膜，其中入射束的至少一部分反射离开薄膜从而产生反射的束；测量薄膜的生长期间从薄膜反射的束的强度从而得到反射率；以及曲线拟合由反射率数据代表的振荡的至少一部分以得到关于薄膜的厚度、生长速率、组分和掺杂中的至少一个的信息。

公开(公告)号：CN102465344A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201110375181.2

申请日：2011-11-17

申请人： 日立电线株式会社

发明人： 木村健

IPC分类号： C30B29/42 ,  C30B15/20

CPC分类号： C30B29/42 ,  C30B15/22 ,  C30B27/02 ,  Y10T428/21

摘要： 本发明的课题在于提供即使大口径化也可抑制滑移不良的发生的GaAs晶片及其制造方法。本发明的解决课题的方法为GaAs晶片的制造方法，其具有以下工序：通过LEC法生长GaAs单晶的生长工序、和将生长工序中得到的GaAs单晶进行切片来制作GaAs晶片的晶片制作工序；在生长工序中，GaAs单晶与原料熔液之间的固液界面的形状在上述原料熔液侧成为凸状，由原料熔液与液体密封材之间的界面到原料熔液中的GaAs单晶的顶端部的长度T1、与GaAs单晶的外径T2之比T1/T2为0.25≤T1/T2≤0.45，在晶片制作工序中得到的GaAs晶片的通用硬度在晶片面内一样为4000N/mm2以上4850N/mm2以下。

公开(公告)号：CN102272359A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201080004316.8

申请日：2010-01-08

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 藤井俊辅 ,  川濑智博 ,  羽木良明 ,  桥尾克司

IPC分类号： C30B11/00 ,  C30B29/42

CPC分类号： C30B29/42 ,  C30B11/00

摘要： 提供一种可通过较简单的构造获得良好品质的单晶的单晶制造装置、单晶的制造方法及单晶，单晶制造装置(1)将坩埚(4)中保持的原料加热熔化后，使其从一个方向凝固，从而制造出单晶，具有安瓿(3)及坩埚(4)、底座(2)、加热器(5)，底座(2)支撑安瓿(3)，加热器(5)用于加热安瓿(3)及坩埚(4)，构成底座(2)的材料的导热率为0.5W/(m·K)以上、应形成的单晶的导热率的值以下，构成底座(2)的材料中，波长为1600nm以上、2400nm以下的光相对于厚4mm的该材料的透光率为10％以下。