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公开(公告)号：CN109417126B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN201880002089.1
申请日：2018-03-14
申请人： (株) 凯希思
IPC分类号： H01L41/22 , H01L41/09 , H01L41/337 , H01L41/338 , H01L41/43 , H01L41/047 , G06V40/13
摘要： 提供超声波指纹传感器及其制造方法。所述制造方法包括：准备按预先指定的非完全烧结条件烧结的压电片形态的陶瓷烧结体；在陶瓷烧结体的第一表面方向按预先指定的间隔向第一方向平行地切削加工至第二表面侧剩下残留区域的深度并在陶瓷烧结体的第二表面方向按预先指定的间隔向垂直于第一方向的第二方向平行地切削加工至第一表面侧剩下残留区域的深度形成陶瓷加工体；按预先指定的完全烧结条件对陶瓷加工体进行烧结处理；向通过切削加工形成于陶瓷加工体的槽填充绝缘材料；以及进行研磨处理去除分别位于第一表面侧与第二表面侧的残留区域使在第一表面的方向与第二表面的方向露出分别排列成阵列形态的压电棒。
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公开(公告)号：CN108461622B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201810149813.5
申请日：2018-02-13
申请人： (株) 凯希思
发明人： 房昌爀
IPC分类号： H01L41/047
摘要： 本发明提供一种压电传感器制造方法，本发明的压电传感器制造方法包括如下步骤：刻蚀半导体基板而形成包含多个凹槽的传感器阵列图案形式的模具；将压电材料注入所述凹槽并烧结；刻蚀半导体基板，以使压电材料突出，由此，形成传感器阵列图案形式的压电杆，并以在图案的一侧面突出第一区域的方式进行刻蚀；将绝缘材料填充至半导体基板而形成绝缘层；对绝缘层进行平坦化处理，直至压电材料露出时为止；在压电材料及绝缘层的第一面形成第一电极；在形成有第一电极的半导体基板上粘结工艺基板；对所述半导体基板的第二面进行平坦化处理，直至压电材料露出时为止；在压电材料的第二面形成第二电极；及刻蚀所述第一区域而露出所述第一电极。
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公开(公告)号：CN108447884B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN201810153213.6
申请日：2018-02-13
申请人： (株)凯希思
发明人： 房昌爀
IPC分类号： H01L27/20 , H01L41/047 , H01L41/29 , H01L41/312
摘要： 本发明的压电传感器制造方法包括如下步骤：刻蚀底板而形成包含多个凹槽的传感器阵列模式形式的模具；将压电材料注入至所述多个凹槽中的里侧凹槽，并将导电材料注入外侧凹槽；对所述注入的压电材料及导电材料进行烧结；刻蚀所述底板，以使所述压电材料及导电材料突出，而形成压电杆及导电杆；将绝缘材料填充至所述底板而形成绝缘层；将所述绝缘层平坦化，直至所述压电杆及导电杆露出；在所述压电材料及导电材料的第一面形成第一电极；在形成有所述第一电极的底板上粘结工艺基板；将所述底板平坦化，直至所述压电杆及导电杆露出；及在所述压电杆及导电杆的第二面形成第二电极。
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公开(公告)号：CN106296646A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510995969.1
申请日：2015-12-25
申请人： (株)凯希思
CPC分类号： B60R1/00 , B60R2300/402
摘要： 本发明公开了AVM系统的公差校正装置及其方法。根据本发明的一实施例中的公差校正装置，包括：图像输入部，将由所述车辆具备的摄像机对配置在所述车辆周边的圆形图案进行拍摄而获得的图像信号，分别转换为摄像机图像数据；以及公差校正部，在所述摄像机图像数据中提取与所述圆形图案对应的椭圆，利用所述椭圆和所述圆形图案之间的相关关系，计算出所述摄像机图像数据和顶视图图像之间的单应矩阵，并计算出所述摄像机的外部参数，从而在世界坐标上推定所述摄像机的位置。
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