公开(公告)号：CN1260402C

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN03109067.2

申请日：2003-04-03

Applicant: 天津市环欧半导体材料技术有限公司 ,  中国核动力研究设计院第一研究所

Inventor： 沈浩平 ,  郭丽华 ,  高树良 ,  李颖辉 ,  刘为刚 ,  王振东 ,  刘凤林 ,  赵喜君

IPC: C30B13/12 ,  C30B31/20

Abstract: 本发明公开一种气相预掺杂和中子辐照掺杂组合的区熔硅单晶的生产方法，有：1.气相预掺杂：(1)装炉、抽真空、充氩气；(2)硅棒预热；(3)化料；(4)掺杂；(5)熔接籽晶；(6)引晶；(7)生长细颈；(8)放肩；(9)等径生长；(10)收尾、拉断；(11)停气；(12)停炉、拆炉。2.中子辐照掺杂：将气相预掺杂生产出的硅单晶再进行中子辐照掺杂，(1)中子辐照掺杂注量的计算；(2)中子辐照装置设计；(3)中子辐照掺杂辐照条件的选择；(4)中子辐照掺杂辐照条件控制；本发明具有如下明显效果：(1)成倍的提高了核反应堆的辐照产量，(2)有效的降低了中子辐照掺杂对硅单晶的晶格损伤。

公开(公告)号：CN1455029A

公开(公告)日：2003-11-12

申请号：CN03109067.2

申请日：2003-04-03

Applicant: 天津市环欧半导体材料技术有限公司 ,  中国核动力研究设计院第一研究所

Inventor： 沈浩平 ,  郭丽华 ,  高树良 ,  李颖辉 ,  刘为刚 ,  王振东 ,  刘凤林 ,  赵喜君

IPC: C30B13/12 ,  C30B31/20

Abstract: 本发明公开一种气相预掺杂和中子辐照掺杂组合的区熔硅单晶的生产方法，有：1.气相预掺杂：(1)装炉、抽真空、充氩气；(2)硅棒预热；(3)化料；(4)掺杂；(5)熔接籽晶；(6)引晶；(7)生长细颈；(8)放肩；(9)等径生长；(10)收尾、拉断；(11)停气；(12)停炉、拆炉。2.中子辐照掺杂：将气相预掺杂生产出的硅单晶再进行中子辐照掺杂，(1)中子辐照掺杂注量的计算；(2)中子辐照装置设计；(3)中子辐照掺杂辐照条件的选择；(4)中子辐照掺杂辐照条件控制；本发明具有如下明显效果：(1)成倍的提高了核反应堆的辐照产量，(2)有效的降低了中子辐照掺杂对硅单晶的晶格损伤。