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公开(公告)号：CN1260402C
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN03109067.2
申请日：2003-04-03
Applicant: 天津市环欧半导体材料技术有限公司 , 中国核动力研究设计院第一研究所
Abstract: 本发明公开一种气相预掺杂和中子辐照掺杂组合的区熔硅单晶的生产方法，有：1.气相预掺杂：(1)装炉、抽真空、充氩气；(2)硅棒预热；(3)化料；(4)掺杂；(5)熔接籽晶；(6)引晶；(7)生长细颈；(8)放肩；(9)等径生长；(10)收尾、拉断；(11)停气；(12)停炉、拆炉。2.中子辐照掺杂：将气相预掺杂生产出的硅单晶再进行中子辐照掺杂，(1)中子辐照掺杂注量的计算；(2)中子辐照装置设计；(3)中子辐照掺杂辐照条件的选择；(4)中子辐照掺杂辐照条件控制；本发明具有如下明显效果：(1)成倍的提高了核反应堆的辐照产量，(2)有效的降低了中子辐照掺杂对硅单晶的晶格损伤。
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公开(公告)号：CN1455029A
公开(公告)日：2003-11-12
申请号：CN03109067.2
申请日：2003-04-03
Applicant: 天津市环欧半导体材料技术有限公司 , 中国核动力研究设计院第一研究所
Abstract: 本发明公开一种气相预掺杂和中子辐照掺杂组合的区熔硅单晶的生产方法，有：1.气相预掺杂：(1)装炉、抽真空、充氩气；(2)硅棒预热；(3)化料；(4)掺杂；(5)熔接籽晶；(6)引晶；(7)生长细颈；(8)放肩；(9)等径生长；(10)收尾、拉断；(11)停气；(12)停炉、拆炉。2.中子辐照掺杂：将气相预掺杂生产出的硅单晶再进行中子辐照掺杂，(1)中子辐照掺杂注量的计算；(2)中子辐照装置设计；(3)中子辐照掺杂辐照条件的选择；(4)中子辐照掺杂辐照条件控制；本发明具有如下明显效果：(1)成倍的提高了核反应堆的辐照产量，(2)有效的降低了中子辐照掺杂对硅单晶的晶格损伤。
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公开(公告)号：CN1325701C
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610013533.9
申请日：2006-04-26
Applicant: 天津市环欧半导体材料技术有限公司
Abstract: 本发明涉及一种区熔硅单晶的生产方法，特别涉及一种气相预掺杂和中子辐照掺杂组合的区熔硅单晶的生产方法。该方法包括气相预掺杂阶段的装炉、抽空、充氩气、掺杂、等径生产工艺，其特征在于：在所述的等径生长工艺中，利用区熔硅单晶炉电气控制系统进行如下操作：当按下触摸屏给定下转电机正向、反向运动及加热线圈移动的指令后，下转电机带动单晶按照设定的时间进行正向反向运动；正向转动1～90秒后再变回反向转动，如此往复运动；加热线圈移动后，使加热线圈的中心与下轴的中心重合或偏离1-50mm。经本方法生产的区熔硅单晶，降低了硅单晶的径向及轴向电阻率不均匀性问题，提高了硅单晶的稳定性及可靠性。从而满足了用户对气相预掺杂和中子辐照掺杂组合的区熔硅单晶的需求。
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公开(公告)号：CN1865529A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610013533.9
申请日：2006-04-26
Applicant: 天津市环欧半导体材料技术有限公司
Abstract: 本发明涉及一种区熔硅单晶的生产方法，特别涉及一种气相预掺杂和中子辐照掺杂组合的区熔硅单晶的生产方法。该方法包括气相预掺杂阶段的装炉、抽空、充氩气、掺杂、等径生产工艺，其特征在于：在所述的等径生长工艺中，利用区熔硅单晶炉电气控制系统进行如下操作：当按下触摸屏给定下转电机正向、反向运动及加热线圈移动的指令后，下转电机带动单晶按照设定的时间进行正向反向运动；正向转动1～90秒后再变回反向转动，如此往复运动；加热线圈移动后，使加热线圈的中心与下轴的中心重合或偏离1－50mm。经本方法生产的区熔硅单晶，降低了硅单晶的径向及轴向电阻率不均匀性问题，提高了硅单晶的稳定性及可靠性。从而满足了用户对气相预掺杂和中子辐照掺杂组合的区熔硅单晶的需求。
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