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公开(公告)号：CN102951644A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210469465.2
申请日：2012-11-20
申请人： 昆明理工大学 , 云南宏盛锦盟企业集团有限公司
IPC分类号： C01B33/037
摘要： 本发明提供一种工业硅制备超冶金级硅的消泡方法，以工业硅为制备超冶金级硅的原料，将工业硅经过破碎后球磨至50～600目，然后采用无机酸或无机酸的组合酸作为浸出剂进行浸出，以去除工业硅中的杂质，待浸出完毕后过滤得到滤饼，滤饼经过纯水或者自来水洗涤后烘干，烘干后即可得到杂质含量较低的超冶金级硅；其特征在于：所述浸出时，加入浸出剂体积的10～500%的消泡剂。本发明具有使用简单、无毒、无污染的优点。本发明可有效减少或消除工业硅湿法除杂制备超冶金级硅浸出过程所产生的泡沫，促进浸出过程中的液固两相接触，同时，消除因泡沫导致体积膨胀而产生的生产危险和对操作的不利影响。
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公开(公告)号：CN103058200B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201310020851.8
申请日：2013-01-21
申请人： 昆明理工大学 , 云南宏盛锦盟企业集团有限公司
IPC分类号： C01B33/037
摘要： 本发明提供一种炉外精炼提纯工业硅熔体的方法，经过下列步骤：往抬包内通入空气，再将矿热炉内的硅熔体释放到抬包内，对抬包内的硅熔体进行微波加热，保持硅熔体的炉外精炼温度进行炉外吹气、造渣精炼0.5～10h；待炉外精炼完毕后，进行渣硅分离，再进行浇注，即完成炉外精炼提纯工业硅熔体。通过上述炉外精炼过程，可以去除工业硅熔体中包括Al、Ca、Ti、Na、Mg在内的大部分金属杂质和部分B、P、S、C等非金属杂质，同时可以为后续的工业硅提纯控制有效的成分，为冶金法制备太阳能级硅提供高品质的原料。本发明具备充分利用和节约能源、生产效率高、基建投资较少、环境无污染等特点。
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公开(公告)号：CN103058200A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201310020851.8
申请日：2013-01-21
申请人： 昆明理工大学 , 云南宏盛锦盟企业集团有限公司
IPC分类号： C01B33/037
摘要： 本发明提供一种炉外精炼提纯工业硅熔体的方法，经过下列步骤：往抬包内通入空气，再将矿热炉内的硅熔体释放到抬包内，对抬包内的硅熔体进行微波加热，保持硅熔体的炉外精炼温度进行炉外吹气、造渣精炼0.5～10h；待炉外精炼完毕后，进行渣硅分离，再进行浇注，即完成炉外精炼提纯工业硅熔体。通过上述炉外精炼过程，可以去除工业硅熔体中包括Al、Ca、Ti、Na、Mg在内的大部分金属杂质和部分B、P、S、C等非金属杂质，同时可以为后续的工业硅提纯控制有效的成分，为冶金法制备太阳能级硅提供高品质的原料。本发明具备充分利用和节约能源、生产效率高、基建投资较少、环境无污染等特点。
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公开(公告)号：CN203159236U
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201320029757.4
申请日：2013-01-21
申请人： 昆明理工大学 , 云南宏盛锦盟企业集团有限公司
IPC分类号： C01B33/037
CPC分类号： Y02P20/124
摘要： 本实用新型涉及一种采用微波加热的工业硅炉外精炼抬包，包括电控单元、包体、磁控管、吹气系统，所述磁控管为微波源，分布在包体的底部和/或侧壁的外壁上；在包体的底部或侧壁上安装有吹气系统。包体自身带有微波加热系统，可以对抬包内熔体进行加热，微波加热装置可以安装在抬包底部、侧壁，通过微波对熔体进行加热。抬包底部安装有吹气系统，可以分别通入精炼气体、精炼剂，也可以同时通入精炼气体和精炼剂对熔体进行精炼。本实用新型实现工业硅熔体的炉外精炼温度保持在一定范围之内，可以实现出硅、加热、精炼同时进行的工业硅炉外精炼用抬包，是一种加热效率高、精炼效果好、环境污染小、生产效率高的工业硅熔体精炼装置。
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