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公开(公告)号：CN118962919A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411419569.1
申请日：2024-10-12
申请人： 北京世维通科技股份有限公司
IPC分类号： G02B6/42
摘要： 本发明公开了一种空间集成的光放大装置及其制备方法，包括热沉基板、第一透镜组件、光放大器芯片、第二透镜组件、柱面镜和电光调制器组件，所述第一透镜组件、所述光放大器芯片、所述第二透镜组件、所述柱面镜和所述电光调制器组件集成在所述热沉基板上，提高了产品的空间集成度和稳定性，有利于实现产品集成一体化设计和封装，适用于任意调制器芯片与半导体光放大器芯片的空间集成，在通信技术领域中适用范围广和应用价值高。
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公开(公告)号：CN117111211A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311111266.9
申请日：2023-08-30
申请人： 北京世维通科技股份有限公司
摘要： 本申请公开一种应用于光子芯片的混合集成Y波导分束器及制备方法，分束器包括：基底层；下包层，设置于基底层上；Y波导分束结构，包括位于不同高度且材料不同的的第一波导和第二波导，设置于下包层上；第一波导和第二波导在下包层上的投影具有交叉，第一波导和第二波导间隔设定距离且二者有效折射率相等；第一波导的第一端口用于光能量输入时，经Y波导分束结构后，光能量分别经第一波导的第二端口和第二波导的第二端口输出。本申请的方案，具有结构简单、刻蚀要求低和套刻容差大的优点，实现高度精确的分束效果，在满足传统分束需求的同时，大幅提升混合集成芯片的套刻精度。
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公开(公告)号：CN116027485A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211550410.4
申请日：2022-12-05
申请人： 北京世维通科技股份有限公司
摘要： 本发明提供一种基于薄膜铌酸锂与氮化硅材料混合集成的光栅耦合器，包括自下至上依次层叠设置的硅衬底层、二氧化硅下包层、铌酸锂薄膜层、氮化硅层、二氧化硅上包层；其中，所述氮化硅层包括周期性光栅结构；所述铌酸锂薄膜层包括在其顶部依次连接设置的聚焦结构和波导结构；所述聚焦结构对应所述周期性光栅结构的位置设置。还提供光栅耦合器的制备方法。该光栅耦合器中周期性光栅结构的刻蚀精度要求不高，耦合损耗低，制备方法简单。
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公开(公告)号：CN115902481A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211524613.6
申请日：2022-11-30
申请人： 北京世维通科技股份有限公司
摘要： 本发明提供一种电光调制器正交点检测系统及方法，该系统包括激光器，用于向待测电光调制器提供光源信号；数字模拟转换器，用于产生锯齿波电信号，所述锯齿波电信号用于控制所述待测电光调制器的输入电压；电压转换器，用于将所述待测电光调制器的输出电流转换成输出电压；控制器，用于根据所述输出电压计算出所述待测电光调制器的当前输出光功率，并根据所述当前输出光功率判断所述待测电光调制器的正交点是否发生偏移。实施本发明，可以快速、准确地检测到待测电光调制器的正交点，效率高，检测方法简单，易于实现。
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公开(公告)号：CN113267912A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110532761.1
申请日：2021-05-17
申请人： 北京世维通科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种金属电极的制备方法，包括：在铌酸锂衬底上沉积金属种子层；在所述金属种子层上沉积硅层，所述硅层的厚度大于10μm；在所述硅层上制作掩膜图形，所述掩膜图形所暴露的位置为金属电极的位置；在所述掩膜图形所暴露的位置处进行刻蚀得到硅凹槽，所述硅凹槽处暴露出金属种子层；使用电极金属填充所述硅凹槽，得到金属电极。本申请中的方案通过硅刻蚀的方式得到金属填充的硅凹槽，在硅凹槽内制备金属电极，由于硅层厚度大于10μm，因此通过本申请方法制备得到的金属电极的厚度能够大于10μm，同时金属电极的高宽比可以大于3。采用本申请制备得到的金属电极可极大提高铌酸锂电光调制器的带宽。
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公开(公告)号：CN111239905A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010173189.X
申请日：2020-03-12
申请人： 北京世维通科技股份有限公司
摘要： 本发明提供一种耦合元件和铌酸锂薄膜波导耦合装置，基于本发明提供的耦合元件能获得满足实用化应用需求的铌酸锂薄膜波导耦合装置，能提高耦合效率。所述耦合元件，包括容纳管、单模光纤和模斑转换器，其中，所述容纳管具有容纳腔；所述模斑转换器位于所述容纳管的容纳腔中，且所述单模光纤的一端插入所述容纳管的容纳腔并与所述模斑转换器连接；所述模斑转换器和所述单模光纤均粘接固定于所述容纳管；所述模板转换器设有锥形脊波导，所述锥形脊波导包括两个末端，其中一端为宽端，另一端为窄端；所述宽端与所述单模光纤的纤芯耦合，所述窄端用于耦合所述铌酸锂薄膜波导。
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公开(公告)号：CN118586413A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410575302.5
申请日：2024-05-10
申请人： 北京世维通科技股份有限公司
IPC分类号： G06K7/10 , G06Q10/0639 , G06Q50/04
摘要： 本申请提供了一种器件快速抽取方法、电子设备及系统，获取抽检信息表，在抽检信息表中记录有抽检器件的序列号，根据预设编码方式对每一抽检器件的序列号进行编译得到每一抽检器件的器件码并存储；获取依次扫描器件得到的序列号，采用预设编码方式对扫描到的器件序列号进行编译得到扫描器件码；比对扫描器件码与已存储的抽检器件的器件码；若扫描器件码与任一抽检器件的器件码相同，则判定被扫描的器件为抽检器件之一。通过本申请的方案，能够在抽取器件时减少人工操作时间，释放人力资源，利用自动识别和比对的方式确定被扫描器件是否为抽检器件，相比人工比对具有更高的准确性。
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公开(公告)号：CN110908048B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN201911360917.1
申请日：2019-12-25
申请人： 北京世维通科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种尾纤组件及包括其的电光调制器，尾纤组件包括：锥形透镜光纤，所述锥形透镜光纤包括相对设置的第一端和第二端，所述第一端与芯片连接；第一保护套，所述第一保护套套设固定在所述锥形透镜光纤上，且所述第一端可延伸到所述第一保护套的外部；第一金属管，所述第一金属管与所述第一保护套相对且间隔设置，所述第一金属管套设固定在所述锥形透镜光纤上，且所述第二端贯穿所述第一金属管；第二保护套，所述第二保护套套设在所述锥形透镜光纤上，且与所述第一金属管远离所述第一保护套一端抵接，所述第二端可延伸到所述第二保护套的外部。本发明提供一种尾纤组件及包括其的电光调制器，尾纤组件具有良好的气密性，能够降低耦合损耗。
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公开(公告)号：CN116719123B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202311006076.0
申请日：2023-08-10
申请人： 北京世维通科技股份有限公司
摘要： 本发明公开一种光放大集成模块及其组装方法，属于光通信与光互连的模块集成技术领域。其包括第一安装基座以及安装于所述第一安装基座上的光放大芯片组件以及第一光纤固定组件；所述光放大芯片组件出射光的偏振方向与第一光纤固定组件光轴的偏振方向一致；第二安装基座以及安装于所述第二安装基座上的电光调制器芯片以及第二光纤固定组件；所述电光调制器芯片的光轴的偏振方向与第二光纤固定组件的光轴的偏振方向一致；光纤，所述光纤的第一端连接于所述第一光纤固定组件上，所述光纤的第二端连接于所述第二光纤固定组件上。本发明实现了光放大模块各器件的集成化。
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公开(公告)号：CN115621839B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211638173.7
申请日：2022-12-20
申请人： 北京世维通科技股份有限公司
发明人： 李俊慧
IPC分类号： H01S5/026 , H01S5/0239 , H01S5/02315
摘要： 本发明公开一种激光装置及其制作方法，属于光学芯片设计领域。激光装置包括依次耦合连接的激光器芯片、铌酸锂芯片以及光纤单元；所述激光器芯片包括第一发光管芯与第二发光管芯，所述铌酸锂芯片包括第一波导与第二波导，所述第一波导与所述第一发光管芯耦合，所述第二波导与第二发光管芯耦合，其中，所述第一波导的宽度大于第二波导的宽度；所述第一波导与第二波导的中部区域形成定向耦合部，所述铌酸锂芯片还包括设置于定向耦合部之间的推挽电极以及设置于第一波导上的光栅；所述光纤单元包括光纤阵列，所述光纤阵列与所述铌酸锂芯片的第一波导与第二波导光学耦合。本发明的激光装置实现起偏、滤波和波长可调谐等功能。
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