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公开(公告)号：CN101860781B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN200910130384.8
申请日：2009-04-07
申请人： 国立中兴大学
摘要： 本发明提供丝带式麦克风的声电转换芯片，以半导体制程与微机电技术制成并包含一层支撑框、一层形成在支撑框上用以将声能转换成可输出应用的感应电动势的响应单元，响应单元具有一层绝缘的振膜及形成在振膜上且可导电的音圈膜，特别的是，振膜包括可受声能作用而形变的振动区域，与连结在支撑框的固定区域，音圈膜包括两由内向外概呈矩形同向卷绕的音圈，且每一音圈包括多个垂直于磁场方向并位于振动区域而可位移产生感应电动势的第一垂直段，借着这样的设计可以增加音圈膜的感度，有效提升丝带式麦克风的频率响应特性。
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公开(公告)号：CN101884088A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200880111244.X
申请日：2008-09-17
申请人： 普瑞光电股份有限公司 , 国立中兴大学
IPC分类号： H01L21/00
摘要： 本发明提供一种具有高的光抽取的发光二极管芯片，其包括基板、用于通过光电效应生成光的外延层结构、夹在基板和外延层结构之间的透明反射层、和用于向外延层结构提供电源的一对电极。对外延层结构的底面和顶面进行粗糙化以具有不小于100nm均方根(rms)的粗糙度。因此，有效地抽取出由外延层结构生成的光。不大于5μm rms的透明反射层形成为基板和外延层结构之间的界面。更有效地向上反射朝向基板的光。从而提高光抽取和亮度。本发明还提供了用于制造本发明的发光二极管芯片的方法。
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公开(公告)号：CN101860781A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200910130384.8
申请日：2009-04-07
申请人： 国立中兴大学
摘要： 本发明提供丝带式麦克风的声电转换芯片，以半导体制程与微机电技术制成并包含一层支撑框、一层形成在支撑框上用以将声能转换成可输出应用的感应电动势的响应单元，响应单元具有一层绝缘的振膜及形成在振膜上且可导电的音圈膜，特别的是，振膜包括可受声能作用而形变的振动区域，与连结在支撑框的固定区域，音圈膜包括两由内向外概呈矩形同向卷绕的音圈，且每一音圈包括多个垂直于磁场方向并位于振动区域而可位移产生感应电动势的第一垂直段，借着这样的设计可以增加音圈膜的感度，有效提升丝带式麦克风的频率响应特性。
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公开(公告)号：CN101857609B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN200910134420.8
申请日：2009-04-10
申请人： 长春人造树脂厂股份有限公司 , 国立中兴大学
IPC分类号： C07F9/6574 , C08G69/42 , C08G73/10 , H05K1/03
摘要： 本发明提供一种如通式(I)的磷系化合物，其中R1～R4各自独立选自氢原子、C1～C6烷基、C1～C6氧烷基、C1～C6卤烷基、C3～C7环烷基、-CF3、-OCF3和卤原子所组成的群组；A为-O-或Q选自-NO2、-NH2、所组成的群组；m为1～4的整数。本发明提供一种制备如式(I)化合物的方法。本发明还提供一种如式(PA)的聚合物和其制备方法及用途。本发明还提供一种如式(PI)的聚合物和其制备方法及用途。
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公开(公告)号：CN102145021A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201010112434.2
申请日：2010-02-10
申请人： 国立中兴大学
发明人： 王升阳
摘要： 本发明公开了樟芝子实体抗炎有效部位提取物及其制备方法和用途。其制备方法包括：将樟芝子实体干燥；干燥后的樟芝子实体用乙醇萃取，收集乙醇萃取物，即得樟芝子实体抗炎有效部位提取物。为达到更好的提取效果，还可将乙醇萃取物进一步浓缩；用水和乙酸乙酯将浓缩产物分层；收集乙酸乙酯萃取部位，即得。本发明樟芝子实体抗炎有效部位提取物以及从樟芝子实体中分离到的Antrocamphin A能降低一氧化氮合成酶或第二型环氧酶的表现而抑制促发炎分子的产生。
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公开(公告)号：CN101857609A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200910134420.8
申请日：2009-04-10
申请人： 长春人造树脂厂股份有限公司 , 国立中兴大学
IPC分类号： C07F9/6574 , C08G69/42 , C08G73/10 , H05K1/03
摘要： 本发明提供一种如通式(I)的磷系化合物，其中R1～R4各自独立选自氢原子、C1～C6烷基、C1～C6氧烷基、C1～C6卤烷基、C3～C7环烷基、-CF3、-OCF3和卤原子所组成的群组；A为-O-或Q选自-NO2、-NH2、所组成的群组；m为1～4的整数。本发明提供一种制备如式(I)化合物的方法。本发明还提供一种如式(PA)的聚合物和其制备方法及用途。本发明还提供一种如式(PI)的聚合物和其制备方法及用途。
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公开(公告)号：CN101436632A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200710188144.4
申请日：2007-11-12
申请人： 良峰塑胶机械股份有限公司 , 国立中兴大学
IPC分类号： H01L33/00 , H01L25/00 , H01L25/075 , H01L23/367 , H01L21/50
CPC分类号： H01L2224/32
摘要： 本发明提供一种具有散热基板的发光二极管芯片组件及其制作方法，该发光二极管芯片组件包含一发光二极管芯片，及一以具有高热传导系数的材料构成一体连接在该发光二极管芯片上的散热基板，其中该散热基板具有直接接触该发光二极管芯片的基材，而可直接将热导离该发光二极管芯片的中心部，及一环围该中心部且顶面法线与中心部顶面的法线夹成锐角而可反射发光二极管芯片发出的光使其正向向上射出的反射部，使组件高速散热从而延长工作寿命，并提升组件的出光。
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公开(公告)号：CN101866831B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200910134988.X
申请日：2009-04-20
申请人： 国立中兴大学
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/306 , H01L21/3105 , H01L33/00
摘要： 一种低表面缺陷密度的外延基板及其制造方法，该制造方法先自一层晶格不匹配的基材侧向外延，形成一层具有多个缺陷处且表面缺陷降低的第一外延层，再自该第一外延层的平面进行缺陷选择性蚀刻，将所述缺陷处蚀刻出多个第一凹洞，使该第一外延层具有一界定所述第一凹洞的外延层平面，所述第一凹洞的径宽彼此相近，然后形成一填满所述第一凹洞的阻挡层，以阻隔差排向上延伸，再利用化学机械研磨法均匀地移除多余阻挡层，至该外延层平面裸露并使得其更加平坦，而使该外延层平面与剩下的该阻挡层表面共同定义出一面完整且平坦的外延基面。本发明所述低表面缺陷密度的外延基板及其制造方法，能够有效地降低缺陷密度，且能提高后续外延品质。
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公开(公告)号：CN101436632B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200710188144.4
申请日：2007-11-12
申请人： 良峰塑胶机械股份有限公司 , 国立中兴大学
IPC分类号： H01L33/00 , H01L25/00 , H01L25/075 , H01L23/367 , H01L21/50
CPC分类号： H01L2224/32
摘要： 本发明提供一种具有散热基板的发光二极管芯片组件及其制作方法，该发光二极管芯片组件包含一发光二极管芯片，及一以具有高热传导系数的材料构成一体连接在该发光二极管芯片上的散热基板，其中该散热基板具有直接接触该发光二极管芯片的基材，而可直接将热导离该发光二极管芯片的中心部，及一环围该中心部且顶面法线与中心部顶面的法线夹成锐角而可反射发光二极管芯片发出的光使其正向向上射出的反射部，使组件高速散热从而延长工作寿命，并提升组件的出光。
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