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公开(公告)号：CN104183674A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201310204638.2
申请日：2013-05-28
申请人： 奈米晶光电股份有限公司 , 广科精密股份有限公司
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/005
摘要： 本发明是有关于一种半导体基板的制造方法，包括有下列步骤：提供具有成核成长层的半导体基板、形成微粒子刻蚀掩膜于成核成长层上、刻蚀成核成长层、填入无机凝胶于刻蚀凹槽、移除微粒子刻蚀掩膜、进行多晶柱成长及横向接合多晶柱，借此形成具有低缺陷平坦接合薄膜的半导体基板。本发明的制造方法是可将成核成长层或多晶柱成长的缺陷限制在多晶柱之间，在多晶柱的顶端水平接合后便可形成具有低缺陷平坦接合薄膜的半导体基板，亦即低缺陷半导体基板。
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公开(公告)号：CN103378231A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310144119.1
申请日：2013-04-23
申请人： 奈米晶光电股份有限公司
CPC分类号： H01L21/027 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02603 , H01L21/02639 , H01L33/007 , H01L33/18
摘要： 本发明为一种以压印方式制造选择性成长遮罩的方法，包括有下列步骤：提供蓝宝石基板，形成氮化镓基层及绝缘层及光刻胶层，进行压印，进行曝光及显影，进行干蚀刻及清除光刻胶剂。以本发明的方法所制造的选择性成长遮罩，可使纳米柱的成长更容易成为柱状体，且与蓝宝石基板及氮化镓基层相垂直，每一纳米柱彼此间更互相平行。
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公开(公告)号：CN104233223A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201310275086.4
申请日：2013-07-02
申请人： 奈米晶光电股份有限公司 , 广科精密股份有限公司
CPC分类号： B29C33/64 , B29C33/424
摘要： 本发明是有关于一种半导体制造工具的强化方法,包括有下列步骤：提供一模仁、形成原生氧化层、附着离型剂以及形成玻璃键结离型层，以上步骤所形成的坚固的玻璃键结离型层是均匀分布地包覆于模仁表面，使半导体制造工具的模仁可以降低磨耗，提高模仁耐用度，节省成本，并且使模仁容易脱模，提高生产速率，同时模仁表面玻璃键结离型层的均匀分布又可使模仁制造的子模良率提升。
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公开(公告)号：CN103378230A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310144118.7
申请日：2013-04-23
申请人： 奈米晶光电股份有限公司
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： C30B25/04 , H01L33/007
摘要： 本发明是有关于一种低缺陷密度平坦基板的制造方法，包括有下列步骤：提供一基板、进行选择性成长、进行侧向长晶、进行横向接合、进行高温退火及进行LED结构生长。本发明的制造方法是搭配调整不同浓度的添加剂，使纳米柱进行横向及纵向的成长，并接合成为一平坦接合薄膜的薄膜衬底，再经由进行高温退火消除晶粒边界后，在薄膜衬底上方生长可提高整体的光输出效率的LED单晶半导体结构。
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公开(公告)号：CN104216218A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201310244945.3
申请日：2013-06-19
申请人： 奈米晶光电股份有限公司 , 广科精密股份有限公司
IPC分类号： G03F7/00
CPC分类号： G03F7/0002 , H01L21/0337
摘要： 本发明是有关于一种无缺陷模仁的制造方法，包括以下步骤：(1)提供一模仁;(2)制作一光阻图案于该模仁上;(3)镀制一金属薄膜;(4)形成多个金属圆柱;(5)进行加热及退火;(6)进行干蚀刻;以及(7)移除金属圆球。通过本发明方法形成的无缺陷模仁可用于制造磊晶晶圆的纳米压印制造工艺，微观上可精确控制模仁图案间距的一致及排除模仁图案的错位问题，宏观上可消除磊晶晶圆的格纹的产生，大幅提高磊晶晶圆的产品合格率。无缺陷模仁具有制造简易、成本低廉又可完全复制的特性，可使纳米压印技术得以真正取代现今制造磊晶晶圆制造中的步进曝光机。
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公开(公告)号：CN103378229A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310143414.5
申请日：2013-04-23
申请人： 奈米晶光电股份有限公司
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L21/027 , C30B25/02 , C30B29/406 , G03F7/00 , G03F7/0002 , H01L33/18
摘要： 本发明是有关于一种以填胶烧结方式制造选择性成长遮罩的方法，包括有下列步骤：提供蓝宝石基板，形成氮化镓基层，涂布光刻胶层，进行压印及曝光显影，进行填胶以及进行烧结。本发明的制造方法可以在大气环境中制造，无须抽真空，快速简便又成本低廉。以本发明的方法所制造的选择性成长遮罩，可使纳米柱的成长更容易成为柱状体，且与蓝宝石基板及氮化镓基层相垂直，每一纳米柱彼此间更相互平行。
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