一种基于Er、Zr共掺杂TiO2薄膜的电致发光器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN109686826A

    公开(公告)日:2019-04-26

    申请号:CN201811570134.1

    申请日:2018-12-21

    申请人: 浙江大学

    IPC分类号: H01L33/26 H01L33/00

    CPC分类号: H01L33/26 H01L33/005

    摘要: 本发明公开了一种基于Er、Zr共掺杂TiO2薄膜的电致发光器件及其制备方法,属于光电子技术领域。所述电致发光器件,包括硅衬底,硅衬底正面依次设有发光层、透明电极层,硅衬底背面设有欧姆接触电极,所述的发光层为Er、Zr共掺杂的TiO2薄膜。本发明是基于Zr、Er共掺杂进TiO2薄膜来实现Er相关电致发光的增强,Zr的掺杂并不改变TiO2:Er薄膜晶体的锐钛矿晶型,并且Zr掺杂进一步扭曲Er3+离子周围的晶体场,从而增强Er相关的发光。

    LED结构、显示面板及其制作方法

    公开(公告)号:CN109449270A

    公开(公告)日:2019-03-08

    申请号:CN201811257618.0

    申请日:2018-10-26

    发明人: 何泽尚 符鞠建

    IPC分类号: H01L33/38 H01L33/00 H01L27/15

    摘要: 本发明实施例公开了一种LED结构、显示面板及其制作方法,该LED结构包括:在第一方向上相对设置的第一端和第二端;第一电极,所述第一电极的连接端包括位于所述第一端的第一连接端以及位于所述第二端的第二连接端;第二电极,所述第二电极的连接端包括位于所述第一端的第三连接端和位于所述第二端的第四连接端。该LED结构在应用于显示面板的制作时,无论所述LED结构的第一端朝向所述显示面板的阵列基板,还是所述LED结构的第二端朝向所述显示面板的阵列基板,都能保证所述LED结构发亮,从而保证所述显示面板的正常显示。

    批量移载微细元件的方法及其装置

    公开(公告)号:CN109390267A

    公开(公告)日:2019-02-26

    申请号:CN201710675244.3

    申请日:2017-08-09

    发明人: 吴智孟

    IPC分类号: H01L21/683 H01L33/00

    摘要: 本发明公开了一种批量移载微细元件的方法及其装置,先将多个探针呈阵列载设于一移载单元上,让探针的针头伸出移载单元底部,该移载单元内部设有一温控流道,导入热水到温控流道中使探针温度提高,然后驱动移载单元使针头沾润一接着材料,再导入冷水至温控流道中,以对探针进行降温,促使接着材料暂时附着于针头上,接着,将移载单元位移至多个微细元件上方,并下压借着接着材料以批量沾黏微细元件,最后将该移载单元位移至一基板上方,并再次加温使得接着材料热熔后流至该基板上,并控制基板在低温,使接着材料凝结在微细元件与基板之间,即完成转移,从而本发明具有生产快速、可提升产量及降低制造成本的特点。

    发光二极管芯片及其制备方法

    公开(公告)号:CN109192833A

    公开(公告)日:2019-01-11

    申请号:CN201810963017.5

    申请日:2018-08-22

    IPC分类号: H01L33/24 H01L33/02 H01L33/00

    摘要: 本申请提供一种发光二极管芯片及其制备方法。所述发光二极管芯片的制备方法包括以下几步。第一步,提供一衬底。第二步,在所述衬底表面通过黄光制程制备出多个凸形结构。第三步,垂直于所述衬底表面生长外延层,覆盖所述多个凸形结构。所述外延层包括第一半导体层、活性层和第二半导体层,所述第一半导体层包裹所述凸形结构。第四步,利用光刻方法制备出待刻蚀图形。第五步,利用干法刻蚀沿所述待刻蚀图形刻蚀所述外延层,形成间隔设置的多个发光二极管芯片,相邻所述发光发光二极管芯片之间的所述凸形结构露出。第六步,通过湿法刻蚀去除所述多个间隔设置的所述发光二极管芯片之间的所述凸形结构。

    一种具有掩膜层的反极性LED芯片及其制备方法

    公开(公告)号:CN109037412A

    公开(公告)日:2018-12-18

    申请号:CN201810937533.0

    申请日:2018-08-16

    IPC分类号: H01L33/36 H01L33/02 H01L33/00

    摘要: 本发明涉及一种具有掩膜层的反极性LED芯片,所述芯片包括基板层、键合层、粘结保护层、复合结构层、外延层、掩膜层、N电极和钝化层;基板层的上面依次从下至上为键合层、粘结保护层、复合结构层;外延层在复合结构层的上面,外延层依次从下至上为p型层、发光层、n型层、粗化层、欧姆接触层;在外延层上面设有掩膜层、N电极和钝化层,掩膜层在欧姆接触层之上,且与N电极图形对应,环绕在N电极周围。本发明还提出一种具有掩膜层的反极性LED芯片的制备方法。本发明可以解决粗化工艺中,欧姆接触层湿法腐蚀过程侧钻导致的N电极脱落问题,有效地提高了LED芯片的制备良率。

    晶片的加工方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108735593A

    公开(公告)日:2018-11-02

    申请号:CN201810353472.3

    申请日:2018-04-19

    发明人: 桐原直俊

    IPC分类号: H01L21/304 H01L21/784

    摘要: 提供晶片的加工方法,解决因碎屑飞散使光器件的品质降低、从正面朝向背面倾斜地分割而无法形成垂直的侧壁以及正面上所形成的发光层损伤的问题。该晶片的加工方法包含:盾构隧道形成工序,将对于蓝宝石基板具有透过性的波长的脉冲激光光线的聚光点定位于与分割预定线对应的区域而对晶片照射脉冲激光光线,按照规定的间隔沿分割预定线形成多个盾构隧道,该盾构隧道由多个细孔和围绕各细孔的非晶质构成;改质层形成工序,将对于蓝宝石基板具有透过性的波长的脉冲激光光线的聚光点定位于分割预定线的内部而对晶片照射脉冲激光光线,在相邻的盾构隧道之间形成改质层;和分割工序,对晶片施加外力而将晶片分割成多个光器件芯片。

    LED支架及其制造方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108461601A

    公开(公告)日:2018-08-28

    申请号:CN201810217376.6

    申请日:2018-03-15

    IPC分类号: H01L33/48 H01L33/00

    CPC分类号: H01L33/48 H01L33/005

    摘要: 本发明公开了一种LED支架的制造方法,所述制造方法包括:在金属带材上冲压形成反光杯;在该反光杯两侧冲压形成正电极引脚和负电极引脚,在该正电极引脚和该负电极引脚上设有正负电极,在所述正电极引脚和所述负电极引脚之间设置有用于电气绝缘的空隙,以形成LED支架的金属框架;采用射出成型的方式形成外壳体,以形成LED支架。与现有技术相比,本发明的制造方法生产工艺简单、易于批量化封装生产,能与现有的贴片支架封装工艺兼容。另外,使用本发明的制造方法制成的LED器件具有高出光效率、高聚光性,易于批量生产,并且白光产品的颜色一致性好。