一种微小型超高温压电振动加速度传感器及其装配方法

    公开(公告)号:CN111551760A

    公开(公告)日:2020-08-18

    申请号:CN202010547527.1

    申请日:2020-06-16

    IPC分类号: G01P15/09 G01H11/08

    摘要: 本发明涉及一种微小型超高温压电振动加速度传感器及其装配方法,属于电子材料与器件领域,包括安装底座、装配基面、压电模块和外壳;压电模块包括多片压电晶片和两个质量块,压片晶片为剪切式RECOB晶片,RECOB晶片的化学式为RECa4O(BO3)3(RE为Y和稀土元素);外壳为一端开口的矩形壳体,与安装底座固定连接形成传感器的密封内腔;安装底座上还设置有通孔,通孔内安装有用于信号传输的双屏蔽高温铠装电缆。本发明体积较小,结构简单稳定,低介电损耗、热释电小、温度漂移小于5%,且该传感器耐温高达1000℃,并可在高达1000℃的极端环境下长时间服役。

    一种在SiC衬底上通过点籽晶定位生长大尺寸单晶石墨烯的方法

    公开(公告)号:CN106521618B

    公开(公告)日:2018-10-26

    申请号:CN201610975636.7

    申请日:2016-11-07

    IPC分类号: C30B25/02 C30B29/02

    摘要: 本发明涉及一种在SiC衬底上通过点籽晶定位生长大尺寸单晶石墨烯的方法,包括步骤如下:(1)将SiC进行抛光、清洗后,置于生长炉中,抽真空,升温至1200~1300℃;通入氩气和氢气,升温至1500℃~1600℃,进行氢刻蚀;刻蚀后,关闭氢气,降温至1400~1500℃,保温;氩气氛围降温至800℃~1100℃,将微细导热探针放在SiC衬底上,形成局部过冷点;通入碳源气体和氢气,碳源气体分解后的活性碳源在过冷点处优先生长为石墨烯籽晶;(2)在800℃~1100℃,800~900mbar;碳源气体的供应下,石墨烯以SiC衬底上的籽晶为中心不断长大,得大尺寸单晶石墨烯;(3)生长结束后,通入氩气,降温,即得。本发明不依赖于金属衬底,无需对生长得到的大尺寸单晶石墨烯进行转移,可以直接应用到微电子器件。

    一种杂多酸晶体的制备方法与用途

    公开(公告)号:CN106957313B

    公开(公告)日:2018-01-02

    申请号:CN201710226079.3

    申请日:2017-04-08

    IPC分类号: C01B25/45

    摘要: 本发明属于有机催化技术领域,具体涉及一种杂多酸晶体的制备方法与用途,本发明以Na2WO4.2H2O、NaVO3.2H2O、磷酸氢二钠、醋酸锰和苄基三正丁基氯化铵为原料制备出杂多酸晶体;以杂多酸晶体作为催化剂,催化制备哮喘药物维兰特罗三苯乙酸盐中间体,解决了现有工艺中采用强碱的缺点,减轻了环保压力,工艺路线绿色环保,符合现有工业生产的要求。

    一种在SiC衬底上通过点籽晶定位生长大尺寸单晶石墨烯的方法

    公开(公告)号:CN106521618A

    公开(公告)日:2017-03-22

    申请号:CN201610975636.7

    申请日:2016-11-07

    IPC分类号: C30B25/02 C30B29/02

    CPC分类号: C30B25/02 C30B29/02

    摘要: 本发明涉及一种在SiC衬底上通过点籽晶定位生长大尺寸单晶石墨烯的方法,包括步骤如下:(1)将SiC进行抛光、清洗后,置于生长炉中,抽真空,升温至1200~1300℃;通入氩气和氢气,升温至1500℃~1600℃,进行氢刻蚀;刻蚀后,关闭氢气,降温至1400~1500℃,保温;氩气氛围降温至800℃~1100℃,将微细导热探针放在SiC衬底上,形成局部过冷点;通入碳源气体和氢气,碳源气体分解后的活性碳源在过冷点处优先生长为石墨烯籽晶;(2)在800℃~1100℃,800~900mbar;碳源气体的供应下,石墨烯以SiC衬底上的籽晶为中心不断长大,得大尺寸单晶石墨烯;(3)生长结束后,通入氩气,降温,即得。本发明不依赖于金属衬底,无需对生长得到的大尺寸单晶石墨烯进行转移,可以直接应用到微电子器件。